存储板块首份年报预告出炉 约5倍业绩增长“剧透”行业高景气度

1月14日，A股存储模组龙头佰维存储发布业绩预告，盈利实现大幅增长。公司预计2025年度实现营业收入100亿元至120亿元，同比增长49.36%至79.23%；预计实现归母净利润8.5亿元至10亿元，同比大幅增长427.19%至520.22%。

公司表示，从2025年第二季度开始，随着存储价格企稳回升，重点项目逐步交付，公司销售收入和毛利率逐步回升，经营业绩逐步改善。

价格持续上行

2025年以来，全球存储市场步入一轮强劲的涨价周期。Wind数据显示，DRAM（动态随机存取内存）方面，DDR5（16Gb）1月14日报价34.08美元，较去年年初的4.68美元上涨627.79%；DDR4（16Gb）报价75美元，较去年年初的3.19美元涨幅更是达到2252.57%。NAND Flash（闪存）方面，64G闪存产品最新报价7.113美元，较2025年年初上涨超60%。

随着AI算力需求爆发，存储芯片市场迎来强劲的需求拉动。IDC预测，全球数据量将在2025年达到213.6ZB，预计到2029年将增至527.5ZB，年复合增长率高达25.4%。中国的数据量预计将从2025年的51.8ZB激增至2029年的136.1ZB，年复合增长率高达27.3%。数据爆发式增长下，存储器的需求持续攀升。

同时，因产能向高端型号倾斜，一般型DRAM、闪存等价格明显上涨。根据TrendForce集邦咨询最新调查，2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM合约价将季增55%~60%。NAND Flash则因原厂控管产能和服务器强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价持续上涨33%~38%。

花旗研究团队在最新报告中明确指出，预计2026年商品存储器市场将出现“严重的供应短缺”。这种短缺并非暂时性的供应链扰动，而是由结构性数据增长驱动的。花旗将2026年DRAM的平均售价同比增速预期从之前的增长53%大幅上调至增长88%。

企业积极扩充产能

面对持续的涨价趋势，各大存储厂商纷纷抛出扩产计划，以把握市场机遇并提升全球市场份额。

A股上市公司中，通富微电已发布定增预案，拟募资不超过44亿元，其中8亿元用于存储芯片封测产能提升项目，建成后年新增存储芯片封测产能84.96万片。通富微电表示，实施本次募集资金投资项目旨在优化公司产能水平及结构布局，提升公司持续创新能力，实现公司业务升级。

上市公司中，天山电子、长电科技也公布扩产计划。

此外，近期多家存储厂商的IPO进程值得关注。1月13日，兆易创新H股上市，净募资额约为46.11亿港元，其中约35%将用于战略性行业相关投资及收购。兆易创新在投资者调研活动中表示，公司LPDDR4预计在2026年上半年推出产品，并在下半年实现量产，基于新产线的DDR4产品预计在下半年推出样品。

长鑫科技已递交科创板IPO招股说明书，公司是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。根据Omdia数据，按出货量统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。根据招股说明书，公司募资主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

存储公司业绩可期

随着存储价格自低位快速反弹，A股相关上市公司盈利能力明显提升。

12只存储器概念股预计2025年度实现净利润同比增长或扭亏，其中江波龙、全志科技预测净利润增幅超100%，龙头股兆易创新、澜起科技预测净利润增幅在40%以上。

江波龙2025年第三季度业绩已经大幅增长，单季度实现归母净利润6.98亿元，同比增长近20倍。截至2025年7月底，公司自研主控芯片全系列产品累计出货超8000万颗。国信证券表示，公司已点亮SOCAMM产品，作为面向新一代AI数据中心设计的低功耗内存模块产品，根据公司内部评估，SOCAMM相同容量下带宽比传统RDIMM高2.5倍以上，降低延迟约20%，尺寸更小，性能有明显优势。

澜起科技在内存接口芯片行业处于领先地位，是全球三大DDR5生产商之一。东吴证券表示，随着DDR5渗透率持续提升及AI驱动下PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD等新品持续放量，同时公司津逮服务器平台产品线不断拓展，公司业绩有望保持强劲增长态势。