晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法”，专利申请号为CN202610267257.6，授权日为2026年6月26日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法，属于半导体领域，在半导体衬底上依次沉积缓冲层和硬质掩模；通过刻蚀形成两种不同大小窗口的硬质掩模图案；沉积阶梯覆盖材料，仅将小窗口封闭；采用选择性刻蚀工艺去除水平方向的阶梯覆盖材料打开大窗口内底部形成刻蚀窗；通过刻蚀窗刻蚀掉缓冲层，并使得大窗口处剩余的缓冲层与硬质掩模图案对齐；去除剩余阶梯覆盖材料后得到硬质掩模图案；以硬质掩模图案作为掩模进行选择性刻蚀，得到大沟槽和小沟槽；填充隔离材料后得到两种不同尺寸STI的双沟槽隔离结构。本发明仅采用一道光罩完成了两种尺寸STI的制备，节省了成本，并且避免了半导体衬底被光刻胶污染。

今年以来晶合集成新获得专利授权250个，较去年同期增加了32.28%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目649次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1709条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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