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存储“超级周期”进行时:“两存”崛起 中国半导体突围

来源:21世纪经济报道

媒体

2026-05-28 08:50:52

(原标题:存储“超级周期”进行时:“两存”崛起 中国半导体突围)

21世纪经济研究院张赛男

一根DDR5内存芯片,价格一年涨了414%。这不是炒作,这是AI算力掀起的存储“超级周期”,全球市场为之疯狂。

这一次,牌桌上不只三星、海力士和美光,以长鑫科技和长江存储为代表的中国存储产业坐到了他们对面。

长鑫科技一个季度狂赚247亿元,直接填平两年亏损;长江存储全球份额飙升,或首次逼近全球前三。更关键的是,在两大存储大厂的带动下,设备、材料、封测整条产业链集体爆发,中国第一次拥有了从晶圆到模组的全链路自主能力。

为什么偏偏是现在?答案不在“超级周期”的风口,而在风口到来之前那些年无人看见的冷板凳上。从1975年北大实验室里第一块1024位MOS DRAM,到2016年“两存”在质疑声中艰难起步,再到2023年行业最寒冷的低谷期逆势扩产、跳代研发——中国存储用近半个世纪的追赶、近十年的巨额亏损和数千亿元投入,换来了今天“超级周期”里的“一鸣惊人”。

我们欣喜地看到,本轮“超级周期”正在深刻重构全球半导体产业版图,中国存储产业不再是“旁观者”或低附加值的“代工者”,而是深度参与价值分配,甚至在某些环节掌握定价权的“共建者”。

对于投资者而言,超级周期带来了巨大的投资机会——涨价直接转化为上市公司的利润与估值提升,这很重要。但更重要的是,这场“超级周期”还将带给存储产业的巨变和机遇:它提供了宝贵的“利润反哺研发”窗口期,推动中国半导体产业从一个原本依赖进口、被动跟随的行业,走向自主可控、主动定义规则的战略新高度。

一、关键“狠人”的押注:迂回突围

世界半导体贸易统计组织(WSTS)将集成电路分成四大类:逻辑芯片、存储芯片、微处理器、模拟芯片。结合WSTS多年数据来看,存储芯片具有强周期属性,上行期占全球半导体销售额可超过30%,成为半导体最大品类;下行期可跌至23%以下。

正是存储芯片应用足够广且存在周期性窗口的特点,让中国在存储芯片领域有了“弯道超车”的可能。

回头来看,中国存储行业的发展首先离不开几位“关键先生”。

1975年,由北京大学王阳元带领的团队,在没有图纸、资料和设备的情况下,研制出第一块1024位MOS动态随机存取存储器。这意味着中国的技术探索在“追赶”的起跑线上迈出了关键一步,但与国际领先水平存在着巨大的“代差”。

此后一段时期,中国存储产业有过零星尝试,但反复失败,尚未形成体系化布局。

时间来到2004年,在硅谷半导体公司工作的朱一明作了一个足以影响中国存储行业的决定。他敏锐地察觉到,存储行业曾从美国转移至日本,再转移至韩国和中国台湾,未来中国大陆同样有机会诞生“中国版三星”。因此,他放弃了硅谷的工作,于2005年回国创办兆易创新的前身芯技佳易,专注于存储芯片领域。

一开始,芯技佳易专注SRAM领域,但后又转攻国际巨头们战略性放弃的NOR Flash利基市场。

朱一明后来接受媒体采访时解释了这个选择的逻辑:“任何一个产业的发展都要有一个过程,从小到大,从弱到强,要避免一开始就与‘强敌’正面竞争。”2008年,其团队推出了中国首颗自主设计的180nm SPI NOR Flash芯片,在夹缝中站稳了脚跟。

此后,从NOR切入存储器,又发展2D NAND,最终切入DRAM,兆易创新就循着这样的道路一步步走了过来。

2016年,决定性的转折真正到来。朱一明与合肥政府达成协议,而后双方联合创立长鑫科技,全力攻坚技术壁垒极高的DRAM制造。彼时,三星、SK海力士、美光三家巨头已拿下全球90%以上份额,技术、资金、专利三重高墙把中国挡在门外。

2018年,在长鑫存储即将量产的关键节点,朱一明辞去兆易创新总经理职务,全身心投入长鑫,并立下军令状:在项目盈利之前,不领取任何薪酬和奖金。2019年7月,长鑫实现8Gb DDR4工程样品试产,中国不能制造DRAM的历史被终结了。

真正让长鑫突破巨头封锁的,是朱一明最为关键的战略决策:跳代研发。他放弃常规追赶路线,直接跳过成熟但落后的DDR4产品,全力攻坚DDR5、LPDDR5高端存储芯片。2024年底长鑫果断全面停产DDR4,将全部产能转向AI高端算力赛道。

即便在行业低谷期,朱一明也始终坚持逆周期布局:2023年全球DRAM价格暴跌40%,国际巨头纷纷收缩战线,他却带领长鑫逆势扩产,将月产能从9万片提升至15万片。跳代研发+逆势扩产,这才有了现在长鑫精准踩中存储行业的“超级周期”。

回看长鑫的发展史,“跳代研发”和朱一明最开始提出的“避免一开始就与‘强敌’正面竞争”的迂回策略一脉相承。在历史的纵深之处,总有一些人以非凡的远见和魄力,深刻地改写产业的航向。

二、政府托底:保持战略定力

如果说长鑫科技的故事里站着一位孤注一掷的英雄,那么长江存储崛起的背后,则是一座城市长达二十多年的“静默陪跑”。

2000年,作为中心城市的武汉,在传统工业转型升级中亟需引入像集成电路这样的新兴产业。两年时间内,武汉先后寻找10多家国内外知名芯片厂合作。最终他们偶然邀请到中芯国际高层到武汉考察,双方决定在2006年成立武汉新芯。

这是数十年来中部地区第一条12英寸集成电路生产线项目,但武汉新芯的发展并不顺利。为了活下去,武汉新芯曾为美国闪存厂飞索代工,但飞索随后破产;此时,台积电、美光等半导体巨头又看中武汉新芯,准备收购。

但武汉政府坚持了下来,决定自主发展武汉新芯。2013年中芯国际退出新芯,武汉力邀原中芯国际首席运营官杨士宁加入,开始自主开拓市场。

武汉新芯的转机,离不开顶层设计的支持。2014年6月,国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》,决定了首个主攻对象为存储芯片。同年9月设立“国家集成电路产业投资基金”,作为主力生产企业的武汉新芯受到了政策的青睐和扶持。

2016年3月,总投资1600亿元的国家存储器基地落地武汉光谷,被媒体称为“新中国成立以来湖北省最大的单体投资高科技产业项目”。当时,专家就表示:“这绝不是今年投钱、明年赚钱的项目,而是5到10年的长期投入。”

同年7月,长江存储在武汉新芯基础上整合成立,一、二期联合出资方涵盖国家大基金、紫光集团、湖北地方国资等。

与长鑫存储主攻DRAM不同,长江存储瞄准的是NAND闪存领域。在成立之初,中国在NAND闪存领域同样几乎没有技术积累,长江存储下定决心绕开海外厂商的2D NAND专利壁垒,直接切入3D NAND赛道。

2018年,长江存储量产了第一代32层3D NAND Flash芯片,虽然在堆叠层数与当时国际主流的64层/96层仍有差距,但中国第一次在NAND闪存领域实现了“从0到1”的关键跨越。此后,64层、128层相继量产。2022年,公司正式推出基于Xtacking 3.0架构的232层闪存,首次在堆叠层数上比肩国际对手。到2025年,第五代QLC 3D NAND X4-6080发布,晶栈Xtacking 4.0架构正式投用,长江存储已成为全球NAND领域不可忽视的玩家。

三、两存的“崛起”:“新型举国体制”的胜利

十年冷板凳坐穿,只为等待一个爆发窗口。2025年下半年起,存储芯片出现结构性供需缺口,涨价潮随之席卷全球。

此时,长鑫科技已完成了一轮全面的技术升级,产能集中转向DDR5及LPDDR5/5X等高端产品,其全球市场份额从2025年第二季度的3.97%,增加至2025年第四季度的7.67%。长江存储也迎来质变时刻:2025年第四季度,其全球NAND市场份额已达11%,位列全球第六,部分机构预测其最新份额已逼近全球第三。

21世纪经济研究院发现,低谷期扩张产能,高峰期兑现价值,避开正面拼技术代差,在产业节奏上找胜算。这就是“两存”在2016年选择存储赛道的底层逻辑,也是中国存储用十年冷板凳坐出来的战略判断。

回看来时路,中国存储芯片的起步,是一次在棋盘几乎已定局时强行落子的“极限突围”,这场突围需要的技术、资本、人才、政策,缺一不可。

首先,以朱一明为代表的半导体人才,以超前的战略眼光与担当,赌上个人职业生涯回国创业,以二十多年的深耕打破国外垄断。长鑫早期还有前中芯国际CEO王宁国操盘。

技术上则是勇于站在巨人的肩膀。长鑫最初的技术主要来自对已破产德国DRAM厂商奇梦达(Qimonda)合法收购的技术遗产与专利许可,并在此基础上通过自主研发与国际合作快速迭代。

“我们坚持‘知识产权来源干净,研发流程正确,研发活动合法合规’,形成了专业的知识产权人才团队和知识产权管理体系。”朱一明表示。

政府的托底更是不可或缺。长鑫成立之初,就是合肥国资直接下场,以144亿元包揽项目八成出资,用超常规的速度推进产线建设。早在2013年9月,合肥就出台了《合肥市集成电路产业发展规划(2013—2020年)》,并提出了打造“中国硅谷”和“IC之都”的宏伟目标。

接下来就是长达数年的持续投入,以及连年的巨额亏损。仅2022年至2024年,长鑫科技累计亏损就超过318亿元,各级国资承受的压力可见一斑。

而在武汉,当湖北决定举全省之力投资千亿存储器项目时,亦被视为一场“豪赌”。直到2016年长江存储正式成立,质疑的声音依然没有消散。

2014年成立的国家集成电路产业投资基金(“国家大基金”),则以资本力量扮演着战略引导与杠杆放大的角色。从一期基金约1387亿元规模,到三期高达3440亿元的资金规模,累计撬动社会资本的规模达到数万亿元。其投资重点也从早期的制造环节,逐渐转向设备、材料、EDA等“卡脖子”环节与人工智能芯片、先进封装等前沿领域,以真金白银支持关键技术突破。

“该出手时就出手”。在这一“超级周期”的窗口期,两家存储原厂还在加速证券化,标志着中国存储产业从自主化进程迈入新阶段,所募资金将有力支撑后续大规模产能扩张,形成资本反哺产业的良性互动。

“十五五”规划建议提出:“完善新型举国体制,采取超常规措施,全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。”实践深刻表明,在存储产业,中国的“新型举国体制”迎来了阶段性胜利,正是有上述各方的托举,才让“两存”在“超级周期”中坐上牌桌。

四、积极扩产:抢占全球产业高地

不只“两存”,超级周期的另一层产业意义,在于它为更长链条的半导体产业带来了“以扩产换份额”的机遇。

当前,三大存储原厂将先进制程产能向HBM倾斜,大幅缩减通用消费级内存产能。这种供给端的“主动收缩”,为中国存储企业留出了前所未有的市场空白。

中国企业没有浪费这个机会。在“两存”的带动下,整条产业链正在以前所未有的速度奔跑。

长江存储正在进行“史诗级扩产”:三期工厂设备安装已启动,预计2026年底投产,届时有望超越美国存储芯片巨头美光,成为全球第四大存储芯片制造商。据估算,三期计划将带动上下游200家企业聚集,形成千亿级的产业集群。

长鑫存储2026年二季度正式开启招投标,全年计划扩产5万至6万片晶圆。将带动设备采购需求达50亿美元-60亿美元,订单也会加速向国内设备商倾斜。

两大存储龙头同步扩产,直接为国内设备、材料、封测企业创造了宝贵的“入场验证”和“批量供货”机会,这是中国半导体产业链从“备选”走向“必选”的关键一跃。

中微公司最新数据显示,一季度新签订单同比增长52%。“在AI的带动下,订单正一个接一个地来。”一家半导体装备企业内部人士对21世纪经济报道记者表示。

封测环节是扩产落地的“最后一公里”。日前,A股封测龙头长电科技(600584.SH)大幅上调2026年固定资产投资预算,重点投向先进封装产线建设;通富微电(002156.SZ)、华天科技(002185.SZ)、太极实业(600667.SH)、佰维存储、甬矽电子(688362.SH)等封测企业也在积极扩充先进产能。

更令人振奋的是,中国半导体产业已开始承接全球订单。中芯国际(688981.SH)联合CEO赵海军表示,当前全球产能紧张,AI相关需求旺盛且利润较高,原本在海外代工的手机、电脑、IoT及网通类产品难以继续生产,导致大量海外客户订单正转移至国内制造,中国本土产能建设快、规模大,有能力承接大量回流的订单。

扩产的终局,不是产能的简单叠加,而是产业链话语权的根本转移。当中国存储企业从“替补”变成“主力”,当“两存”扩产的订单持续灌溉设备、材料、封测等各个环节,整条中国半导体产业链正在经历一场从量变到质变的跃升。

五、国产HBM攻坚:下一场硬仗

上文提到,三大存储原厂将先进制程产能向HBM倾斜。HBM是一种新型的存储芯片技术,通过将多个存储芯片堆叠在一起后和GPU封装,实现大容量和高速数据传输的需求。目前产业已迭代出HBM2、HBM3、HBM4等多个版本,产能主要由三巨头SK海力士、三星、美光把持。

市场在售的HBM产品主要是HBM3,其高附加值特性体现得淋漓尽致:公开数据显示,一颗HBM3的价格从2025年第二季度的低点约180至220美元,飙涨至2026年第二季度(现货价)的700至850美元,涨幅超3倍。作为对比,普通DRAM从2025年底到2026年4月约上涨95%至150%,NAND Flash(企业级/消费级)在2026年第一季度上涨55%至60%。也就是说,HBM的涨幅是普通DRAM、NAND的近4倍。

在这一关键赛道,中国厂商仍有追赶空间。目前,长鑫并未将HBM作为主要产品纳入招股书,意味着其HBM并未量产。有受访对象表示,“长鑫科技短期内很难进入HBM赛道,等到三星、SK海力士和美光科技在消费级内存中产能补充完毕,那么很容易进入新一轮存储芯片周期下行阶段。”

HBM的技术难点主要包括TSV(硅通孔)工艺、电镀、测试、键合等环节。其中TSV是核心工艺,对设备和技术精度要求极高;电镀、测试、键合等同样需要高精度设备与工艺,以保证产品的稳定性和可靠性。

长鑫科技也坦言,公司持续进行大额固定资产及研发投入,折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现。同时,公司工艺技术水平等与三星电子、SK海力士及美光科技相比仍有一定差距,产品结构处于持续优化状态,毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。

差距的存在,恰恰指明了下一阶段攻坚的方向。

中国产业链已在加速追赶。据市场消息,长鑫存储正在进行HBM3送样,预计2026年底前后小批量试产。在配套端,长电科技、通富微电均参与HBM先进封装的技术研发;华海诚科的高端材料GMC(高性能环氧塑封料)已通过客户验证,而GMC是HBM的必备材料。长电科技2026年固定资产投资重点投向2.5D/3D晶圆级封装,精准卡位HBM带来的先进封装需求。

在这一轮,中国拥有了全链路自主供给能力——从晶圆制造、设备材料到封测模组,从DRAM到NAND,并有望在未来延伸至HBM。但周期终有退潮的一天,当价格回归理性、供需重新平衡之时,中国半导体产业靠什么继续立足?

21世纪经济研究院认为,答案就在周期赋予的窗口里——用今天涨价赚来的利润,去攻克明天的技术壁垒。站在全球半导体产业变迁的宏观坐标上,“超级周期”对中国半导体公司的意义,远不止于财务业绩的短期爆发。它让全球产业界重新审视中国半导体的战略价值:当长鑫科技、长江存储从“追赶者”成长为“不可忽视的玩家”,当设备、材料、封测的国产力量从“备选”变为“必选”,中国半导体正在经历产业发展的关键一跃。

国产存储产业的突围,才刚刚开始。

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