股票简称：龙图光罩 股票代码：688721
深圳市龙图光罩股份有限公司
募集说明书
保荐机构（主承销商）
中国（上海）自由贸易试验区商城路 618 号
二〇二六年七月
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声 明
本公司及全体董事、高级管理人员承诺本募集说明书内容真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应
的法律责任。
公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人（会计主管人员）保证
本募集说明书中财务会计报告真实、准确、完整。
中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对申请
文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表明其对发行人的
盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反
的声明均属虚假不实陈述。
根据《证券法》的规定，证券依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发
行人自行负责。投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承
担证券依法发行后因发行人经营与收益变化或者证券价格变动引致的投资风险。
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重大事项提示
本重大事项提示仅对需要特别关注的风险因素和其他重要事项做扼要提示。
投资者做出决策前，应当认真阅读募集说明书全文。
一、本次向特定对象发行方案概要
（一）本次发行股票的种类和面值
本次向特定对象发行股票的股票种类为境内上市的人民币普通股（A 股），
每股面值为 1.00 元。
（二）发行方式及发行时间
本次发行全部采用向特定对象发行 A 股股票的方式进行，将在通过上交所
审核并获得中国证监会同意注册的批复后，在有效期内择机向特定对象发行股票。
（三）发行对象和认购方式
本次向特定对象发行股票的发行对象为不超过三十五名（含三十五名）特定
投资者，包括符合中国证监会规定条件的证券投资基金管理公司、证券公司、信
托公司、财务公司、保险机构投资者、合格境外机构投资者、人民币合格境外机
构投资者以及其他符合相关法律、法规规定条件的法人、自然人或其他机构投资
者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外
机构投资者以其管理的二只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托公司作为
发行对象的，只能以自有资金认购。
最终发行对象由公司董事会及其授权人士根据股东会授权，在公司取得中国
证监会对本次发行予以注册的决定后，与保荐机构（主承销商）按照相关法律、
法规和规范性文件的规定及本次发行申购报价情况，遵照价格优先等原则协商确
定。若国家法律、法规及规范性文件对本次发行对象有新的规定，公司将按新的
规定进行调整。
所有发行对象均以人民币现金方式并以同一价格认购公司本次发行的股票。
（四）定价基准日、发行价格及定价原则
本次向特定对象发行股票采取竞价发行方式，本次向特定对象发行股票的定
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价基准日为发行期首日。本次发行价格不低于定价基准日前 20 个交易日公司 A
股股票交易均价的 80%。定价基准日前 20 个交易日公司 A 股股票交易均价=定
价基准日前 20 个交易日公司 A 股股票交易总额÷定价基准日前 20 个交易日公
司 A 股股票。
若公司股票在定价基准日至发行日期间发生因派息、送股、资本公积转增股
本等除权、除息事项引起股价调整的情形，则对调整前交易日的交易价格按经过
相应除权、除息调整后的价格计算。调整方式如下：
派发现金股利：P1=P0-D
送红股或转增股本：P1=P0÷（1+N）
派发现金同时送红股或转增股本：P1=（P0-D）÷（1+N）
其中，P0 为调整前发行底价，D 为每股派发现金股利，N 为每股送股数或转
增股本数，调整后发行底价为 P1。
最终发行价格将在公司获得上交所审核通过并经中国证监会作出同意注册
决定后，由公司董事会或其授权人士在股东会的授权范围内，根据发行对象申购
报价的情况，以竞价方式遵照价格优先等原则与保荐机构（主承销商）协商确定，
但不低于前述发行底价。
（五）发行数量
本次向特定对象发行股票的股票数量按照募集资金总额除以发行价格确定，
同时本次发行股票的数量不超过发行前公司总股本扣除回购专用证券账户持有
的股份后的股本总额的 30%，即本次发行的股票数量不超过 40,050,000 股（含本
数），最终发行数量上限以中国证监会同意注册的发行数量上限为准。在前述范
围内，最终发行数量由董事会或其授权人士根据股东会的授权结合最终发行价格
与保荐机构（主承销商）协商确定。
若公司股票在定价基准日至发行日期间有送股、资本公积金转增股本、新增
或回购注销股票等事项导致公司总股本发生变化的，则本次发行数量上限将进行
相应调整。
若国家法律、法规及规范性文件、监管政策变化或根据发行注册文件要求调
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整的，则本次发行的股票数量届时相应调整。
（六）限售期
本次向特定对象发行股票的发行对象认购的 A 股股票，自本次向特定对象
发行股票结束之日起 6 个月内不得转让。法律法规、规范性文件对限售期另有规
定的，依其规定。
本次发行完成后，发行对象基于本次发行所取得的股票，因公司分配股票股
利、资本公积金转增股本等情形所衍生取得的股票亦应遵守上述限售期的安排。
发行对象基于本次发行所取得的股票在限售期届满后减持还需遵守相关法
律、法规、规范性文件以及上交所、中国证监会的相关规定。
（七）上市地点
本次发行的股票将在上交所科创板上市交易。
（八）公司滚存未分配利润的安排
本次向特定对象发行股票前公司滚存的未分配利润，由本次向特定对象发行
股票完成后的新老股东按照本次发行后的股份比例共享或承担。
（九）募集资金用途及数额
公司本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过 146,000.00 万元（含本
数），扣除发行费用后的净额将全部用于以下项目：
单位：万元
序号 项目名称 投资总额 拟使用募集资金
合计 195,436.81 146,000.00
募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自有或自
筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行
费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自有或
自筹资金解决。
（十）决议有效期
本次发行决议的有效期为十二个月，自股东会审议通过之日起计算。
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二、重大风险提示
（一）主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险
公司的主要原材料为石英基板、苏打基板和光学膜等。石英基板和光学膜技
术门槛高，全球供应高度集中于日本、中国台湾等地区的少数厂商，公司存在显
著的进口依赖；报告期内，公司向前五大供应商采购原材料的金额占原材料总采
购金额的平均比例为 71.87%，供应商集中度较高。公司主要生产设备如光刻机
等，亦主要向境外供应商采购。
当前，中美、中日地缘政治关系复杂多变，叠加半导体领域贸易保护主义抬
头，全球半导体供应链正面临重构压力。尽管目前贸易限制政策主要针对先进制
程相关产品，但不排除未来上述国家进一步扩大限制范围，将公司现有制程涉及
的设备、材料纳入管制范畴，从而导致采购成本上升、交货周期延长甚至断供风
险，对公司生产经营的连续性与稳定性产生不利影响。此外，若地缘政治冲突加
剧导致供应链受阻，或核心供应商自身经营状况、交付能力发生重大不利变化，
亦将直接影响公司的生产组织与订单交付，进一步凸显供应链安全面临的挑战。
（二）产品迭代风险
半导体掩模版是芯片制造的关键工具，对晶圆光刻的质量有重要影响。公司
第三代半导体掩模版产品 PSM 目前处于批量供货前期，若公司不能继续保持充
足的研发投入以满足技术研发的需求，在关键技术上未能持续创新，或新产品开
发未能满足更多下游客户需求，可能导致公司产品被赶超或替代，前期的各项成
本投入无法收回，将对公司的经营业绩造成不利影响。
（三）市场竞争不断加剧的风险
当前全球半导体掩模版市场呈现高度集中的寡头垄断格局，日本科盛德、美
国 Photronics、日本 DNP 三家占据独立第三方掩模版市场 80%以上的市场份额，
技术节点已突破至 7nm 以下，并在设备、工艺和客户黏性上形成深厚壁垒，占
据着显著的市场竞争优势。近年来，在产业政策推动及国产替代需求下，半导体
掩模版行业发展态势向好，吸引了多家新兴光罩企业进入和布局，伴随行业新增
产能的逐步释放，国内光罩市场竞争日趋激烈。
公司经过多年的发展与积累，通过工艺迭代与大量新产品的开发、生产实践，
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积累了丰富的产品开发和生产经验，但相较于全球龙头企业，公司在技术先进性、
市场竞争力上仍存在一定差距，同时面对国内新入局光罩厂的快速布局与竞争，
也面临着新的市场挑战。未来，若国际主要竞争对手为稳固中国大陆市场份额加
大投入，新兴光罩厂加速产能与技术突破并为争夺市场采取价格竞争等手段，将
进一步加剧行业竞争程度，对公司的经营业绩产生不利影响。
（四）毛利率水平下滑的风险
未来竞争对手加大市场开拓力度或采取低价竞争手段，或下游半导体行业的整体
需求大幅下降或半导体产品创新周期拉长，或主要原材料受贸易政策限制、全球
市场供应紧张等因素影响价格上涨，以及珠海募投项目投产后固定资产折旧分摊
大幅提升，抑或人工成本大幅上升，且公司不能适时调整适应市场竞争策略或产
品成本控制不力，均将可能导致公司面临毛利率继续下降的风险。
（五）经营业绩下滑风险
报告期内各期，公司营业收入分别为 21,829.27 万元、24,650.35 万元和
度的下滑，主要系一方面 130nm 及以上制程半导体掩模版市场进入国产替代后
期，市场竞争有所加剧导致销售单价有所下滑；另一方面，珠海新厂处于产能爬
坡期，固定成本分摊较高，导致产品毛利率为负且计提了较多原材料跌价损失所
致。公司经营业绩受到宏观经济波动、产业政策调整、市场需求改变、市场竞争
加剧等诸多外部因素影响，若未来 130nm 及以上制程半导体掩模版产品销售单
价进一步下降，公司珠海工厂产能释放及下游客户产品认证不及预期，外部因素
发生重大不利变化或未得到有效改善，存在公司业务利润不及预期，甚至持续下
滑的风险。
（六）募投项目新增产能难以消化的风险
本次募投项目的成功实施将显著提升公司更高制程半导体掩模版的研发、生
产能力，公司将新增每年稳定产出 15,000 片半导体掩模版，在产品结构上，除
现有的二元掩模版和相移掩模版外，增加更高制程的 KrF-PSM、ArF-PSM 以及
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OMOG 掩模版产品，可促使公司更好服务下游客户因产线扩建、工艺升级而日
益增长的需求。但若未来出现国际国内形势发生重大不利变化、半导体下游市场
增长不及预期、下游客户产品认证无法通过或不及预期等不利情况，公司将面临
新增产能难以消化及募投项目短期内无法盈利的风险。
（七）募投项目新增折旧摊销影响公司盈利能力的风险
IPO 募投项目及本次募投项目中公司投入较高金额用于高端机器设备的购
置，本次募投项目达产后预计每年固定资产折旧费用将有所增加，预计达产后
IPO 募投项目及本次募投项目年均新增折旧摊销 23,958.70 万元，约占 IPO 及本
次募投项目预计新增营业收入的 16.64%，约占预计新增净利润的 56.27%，将对
公司的业绩存在一定影响。虽然公司已根据行业发展趋势和公司现有技术能力，
对本次募投项目的经济效益经过了合理测算，预计可抵消上述固定资产折旧对经
营业绩的影响，但公司客观上仍存在诸多可能导致募投项目无法按照预期实现
经济效益的风险，主要包括：1、随着制程向更先进和更高端发展，半导体材料
技术迭代和攻关过程中将面临诸多客观挑战，包括众多 Know-how 探索、设备
磨合以及客户工艺融合等。上述情形均可能延缓既定项目的研发及量产进度。
公司本次募集资金项目拟投向 40nm-28nm 半导体掩模版项目（国内独立第三方
掩模版厂商目前所能达到的最高端制程范围），尽管公司已审慎评估技术上的
可行性，但在具体实施本次募投项目的工艺技术前，仍难以完全预估各种因素
挑战，因此公司存在无法按照既定进度推进募投项目的风险；2、目前本项目所
对应的高端掩模版领域，下游客户长期沿用境外供应商的掩模版参数并已相对
固化其工艺窗口（主要因为该制程范围的第三方掩模版厂商以国外企业为主），
公司需要通过精细化的工艺窗口复现以消除因掩模版差异带来的制程波动，这
一过程中涉及到大量的调试与优化工作。加之不同客户之间存在差异，预计公
司与下游客户的工艺磨合周期将更长，甚至存在公司产品难以通过重点客户验
证的风险；3、即使公司顺利推进该项目研发及客户验证等，由于下游客户从认
证通过到下达订单，客观存在交易量爬坡过程，公司存在本次募投项目商业订
单达到预定规模的周期延后风险；4、下游客户通常选择多家合作伙伴进行产品
验证。若竞争对手率先通过客户认证并占据大量份额，或采取价格竞争策略获
取订单，公司存在募投项目产能消化不及预期风险。上述风险因素进而导致募投
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项目实施后产能释放滞后，产能消化不及预期，新增毛利难以覆盖折旧摊销增量，
将导致业绩不达预期。在营业收入增长不及预期的情形下，折旧摊销大幅增加导
致的收入与折旧错配将对公司未来业绩产生不利影响，公司面临募投项目实施后
业绩下滑、甚至亏损的风险。
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目 录
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一、本次发行后公司业务及资产、公司章程、股东结构、高管人员结构、业
三、公司与控股股东及其关联人之间的业务关系、管理关系、关联交易及同
四、本次发行完成后，公司是否存在资金、资产被控股股东及其关联人占用
一、对公司核心竞争力、经营稳定性及未来发展可能产生重大不利影响的因
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三、对本次募投项目的实施过程或实施效果可能产生重大不利影响的因素
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释 义
本募集说明书中，除文义另有所指，下列词语或简称具有如下含义：
一、普通术语
发行人、公司、龙
指 深圳市龙图光罩股份有限公司
图光罩
中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
上交所、交易所 指 上海证券交易所
元、万元 指 人民币元、人民币万元
本次发行、本次向
特定对象发行股 指 深圳市龙图光罩股份有限公司 2026 年度向特定对象发行 A 股股票
票、本次发行股票
深圳市龙图光罩股份有限公司 2026 年度向特定对象发行 A 股股票
本募集说明书 指
募集说明书
定价基准日 指 计算发行底价的基准日
报告期、报告期内 指 2023 年度、2024 年度和 2025 年度
报告期各期末 指 2023 年 12 月 31 日、2024 年 12 月 31 日、2025 年 12 月 31 日
A股 指 境内上市人民币普通股
股东会 指 深圳市龙图光罩股份有限公司股东会
董事会 指 深圳市龙图光罩股份有限公司董事会
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《注册管理办法》 指 《上市公司证券发行注册管理办法》
《<上市公司证券发行注册管理办法>第九条、第十条、第十一条、
《证券期货法律适
指 第十三条、第四十条、第五十七条、第六十条有关规定的适用意见
用意见第 18 号》
——证券期货法律适用意见第 18 号》
《公司章程》 指 《深圳市龙图光罩股份有限公司章程》
龙图有限 指 深圳市龙图光电有限公司，发行人曾用名
深圳市奇龙谷投资合伙企业（有限合伙），发行人股东、员工持股
奇龙谷合伙 指
平台
深圳市众芯赢投资合伙企业（有限合伙），发行人股东、员工持股
众芯赢合伙 指
平台
珠海龙图 指 珠海市龙图光罩科技有限公司，发行人全资子公司
惠友豪嘉 指 厦门市惠友豪嘉股权投资合伙企业（有限合伙），发行人股东
深圳南海成长湾科私募股权投资基金合伙企业（有限合伙），发行
南海成长 指
人股东
华虹虹芯 指 上海华虹虹芯私募基金合伙企业（有限合伙），发行人股东
瑞扬合伙 指 宁波瑞扬泓创业投资合伙企业（有限合伙），发行人股东
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士兰控股 指 士兰控股（浙江）有限公司，发行人股东
银杏谷壹号 指 景宁银杏谷壹号创业投资合伙企业（有限合伙），发行人股东
华虹半导体 指 华虹半导体有限公司，发行人客户
芯联集成 指 芯联集成电路制造股份有限公司，发行人客户
士兰微 指 杭州士兰微电子股份有限公司，发行人客户
积塔半导体 指 上海积塔半导体有限公司，发行人客户
新唐科技 指 新唐科技股份有限公司，发行人客户
比亚迪半导体 指 比亚迪半导体股份有限公司，发行人客户
立昂微 指 杭州立昂微电子股份有限公司，发行人客户
燕东微 指 北京燕东微电子股份有限公司，发行人客户
粤芯半导体 指 粤芯半导体技术股份有限公司，发行人客户
长飞先进 指 安徽长飞先进半导体有限公司，发行人客户
扬杰科技 指 扬州扬杰电子科技股份有限公司，发行人客户
清溢光电 指 深圳清溢光电股份有限公司，发行人同行业公司
路维光电 指 深圳路维光电股份有限公司，发行人同行业公司
迪思微 指 无锡迪思微电子有限公司，发行人同行业公司
中微掩模 指 无锡中微掩模电子有限公司，发行人同行业公司
南京冠石科技股份有限公司，该公司主营业务包括半导体掩模版的
冠石科技 指
研发、生产与制造，属于发行人同行业公司
中国台湾光罩 指 台湾光罩股份有限公司，发行人同行业公司
Photronics,Inc.（福尼克斯），股票代码 PLAB，纳斯达克证券交易
Photronics 指
所上市公司，全球领先的掩模版制造商，发行人同行业公司
Toppan Printing Co.,Ltd.（凸版印刷株式会社），全球领先的掩模版
Toppan 指
制造商，发行人同行业公司
Tekscend Photomask，中文名为科盛德光罩，东京证券交易所上市公
司，股票代码 429A.T。科盛德光罩的前身是 Toppan 集团内部的光
日本科盛德 指
掩模业务部门，专注于先进半导体光掩模的研发与生产，于 2025 年
分拆上市。
Dai Nippon Printing Co.,Ltd.（大日本印刷株式会社），全球领先的
DNP 指
掩模版制造商，发行人同行业公司
Japan Electron Optics Laboratory Co., Ltd.（日本电子株式会社），发
JEOL 指
行人电子束光刻设备供应商
Semiconductor Equipment and Materials International 的简称，即国际
半导体产业协会，SEMI 定期收集和发布全球半导体行业数据及预
SEMI 指
测，是全球半导体行业数据的权威机构，其数据被众多证券公司行
业研究报告引用
World Semiconductor Trade Statistics 的简称，即世界半导体贸易统计
WSTS 指
组织，是全球半导体行业较权威核心的市场数据与预测机构
Semiconductor Industry Association 的简称，即美国半导体行业协会，
SIA 指 是代表美国半导体产业的国家级行业组织，主要负责政策倡导、行
业研究
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国泰海通、保荐人、
保荐机构、主承销 指 国泰海通证券股份有限公司
商
发行人律师、信达 指 广东信达律师事务所
发行人会计师、审
指 中兴华会计师事务所（特殊普通合伙）
计机构、中兴华
二、专业术语
掩模版又称光掩模、光罩、掩模版，英文为 Photomask 或 Reticle，
是微电子加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。掩模版作为
掩模版 指
图形信息的载体，通过曝光过程，将图形转移到基体材料上，从而
实现图形的转移
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料
半导体 指 有硅、锗等元素半导体，以及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半
导体，其中碳化硅、氮化镓是第三代半导体的代表性材料
Integrated Circuit，简称 IC，是采用特定的工艺流程，将一个电路设
计中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元器件通过多层金属线相
集成电路/IC 指
连，在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上制作出来，然后封
装在一个管壳内，使其成为具有所设计的电路功能的微型结构
晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形
晶圆 指
状为圆形，所以称为晶圆
晶体管 指 二极管、三极管、场效应晶体管等半导体器件的泛称
又称空白掩模版，为掩模版生产的原材料，特指在石英或苏打玻璃
基板/掩模基板 指
基板上沉积遮光膜和涂布光刻胶的掩模基材
在集成电路设计中，将前端设计产生的电路图通过 EDA 工具进行
版图 指 布局布线和物理验证，最终产生供掩模版制造用的包含芯片设计信
息的 GDSII 或者 OASIS 格式的图形数据
一种贴附在掩模版表面基于光刻机焦距设计的光学膜，对密封区域
Pellicle 指
的掩模版表面起到防护作用
Electronic Design Automation 的简称，即电子设计自动化，利用计算
EDA 指 机辅助，来完成超大规模集成电路芯片的设计、制造、封测的大型
工业软件
Integrated Device Manufacturer 的简称，指垂直整合制造工厂，是集
IDM 指 芯片设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一体的整合元件制造
商，属于半导体行业的一种业务模式
泛指晶圆代工模式，专门负责芯片制造，不负责芯片设计，可同时
Foundry 指
为多家芯片设计公司或 IDM 公司提供代工服务
泛指芯片设计公司，指没有芯片制造业务、只专注于芯片设计与销
Fabless 指 售的一种业务模式。Fabless 公司负责芯片的电路设计与销售，一般
将生产、测试、封装等环节外包
分立器件 指 单一封装的半导体组件，具备某种基本电学功能
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改
功率半导体 指 变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。按照分类来看，功率
半导体可以分为功率 IC 和功率器件两大类
以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带半导体材料，具有
第三代半导体 指 高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高迁移率、可承受大功
率等特点
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以“超越摩尔定律（More than Moore）”为指导，不完全依赖缩小
晶体管特征尺寸，而是通过聚焦新材料、新结构、新器件的研发创
新与运用，强调定制化和技术品类多元性的半导体晶圆制造工艺。
特色工艺半导体 指 特色工艺通过持续优化器件结构与制造工艺，最大化发挥不同器件
的物理特性来提升产品性能及可靠性，主要包括功率半导体（含第
三代半导体）、MEMS 传感器、先进封装、模拟与电源管理等工艺
平台
Insulated Gate Bipolar Transistor 的简称，即绝缘栅双极型晶体管，
是由 BJT（双极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复
合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET（金氧半场效
IGBT 指
晶体管）的高输入阻抗和 GTR（电力晶体管）的低导通压降两方面
的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力强
等优点
Light Emitting Diode 的简称，即发光二极管，是一种半导体固体发
LED 指 光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向
电压，半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光
Liquid Crystal Display 的简称，即液晶显示器，指利用液晶分子在电
LCD 指
场中产生偏转特性的显示器件
Organic Light-Emitting Diode 的简称，即有机发光二极管，是一种电
OLED 指 流型的有机发光器件，通过载流子的注入和复合而发光，发光强度
与注入的电流成正比
将生产加工后的晶圆进行切割、焊线塑封，使电路与外部器件实现
封装 指 连接，并为集成电路提供机械保护，使其免受物理、化学等环境因
素损伤的工艺
指使用半导体工艺和材料，以半导体为制造技术基础的集成了微传
MEMS 传感器 指 感器、微执行器、微机械结构、微电源、信号处理和控制电路等高
性能电子集成器件于一体的新型传感器
即模拟芯片，处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟
模拟 IC 指 信号是指用电参数，如电流和电压，来模拟其他自然物理量而形成
的连续性的电信号
电源管理芯片（Power Management Integrated Circuits，PMIC），是
电源管理芯片 指 在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管
理的职责的芯片
Computer Aided Manufacturing 的简称，即计算机辅助制造，指利用
CAM 指
计算机辅助完成从生产准备到产品制造整个过程的活动
半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在
光刻工艺 指 光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀将图形转移到所在基
体材料上
集成电路制造中光刻工艺的重要工序之一，是利用激光、电子束、
曝光 指 离子束等光源照射或辐射将掩模版上的图形经过光学系统投影到
光刻胶上，实现图形转移
通过显影介质的作用，将被曝光过的光刻胶溶解掉，留下曝光图形
显影 指
的工序
指在集成电路制造中，在暴露的硅衬底或晶圆表面未保护的薄膜上
刻蚀 指
去除材料的工艺
Optical Proximity Correction 的简称，即光学邻近效应修正技术，是
一种光刻分辨率增强技术。OPC 通过修正光刻图形和设计图形之间
OPC 指
由于曝光产生的变形和偏差，使得投影到光刻胶上的图形更符合设
计要求
BIM 指 二元掩模版（Binary Intensity Mask），是半导体光刻工艺中使用的
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一种掩模版类型。其结构由透光区与不透光区两部分组成，通常以
铬（Cr）作为遮光材料，通过刻蚀工艺在石英基板上形成电路图形
Phase Shift Mask 的简称，即相移掩模版，是利用相移（Phase Shift）
PSM 指 原理实现光的相位反转，改善图形对比度，增强图形曝光分辨率的
一种技术
Chip-on-Wafer-on-Substrate 的简称， 是台积电主导的 2.5D 先进封
CoWoS 指 装技术，核心是用硅中介层实现多芯片的超高密度、超低延迟互联，
是当前高端 AI 与 HPC 芯片的主流封装方案
Opaque MoSi on Glass 的简称，是一种应用于更高制程节点的掩模
版。OMOG 掩模使用的 MoSi 遮光材料具有更高的消光系数，能够
OMOG 指 在保持足够的遮光能力的同时进一步减小膜层厚度，通过 MoSi 材
料与超薄 Cr 膜以及更薄的光刻胶膜的组合，实现了在浸没式光刻
机光源下的更精细的曝光分辨率和更好的 CD 均匀性
KrF 光刻机是半导体制造中使用的一种光刻设备，其使用 248nm 的
深紫外光源，通过氟化氪准分子激光器产生，这种光源相比汞灯（如
KrF 光刻机 指
g-line、i-line）波长更短，能实现更高的分辨率，可将芯片制程推
进至 90nm-65nm 节点
ArF 光刻机是半导体制造中使用的一种光刻设备，其使用 193nm 的
深紫外光源，通过氟化氩准分子激光器产生。这种光源相比 g-line、
ArF 光刻机 指
i-line、KrF 波长更短，能实现更高的分辨率，可将芯片制程推进至
Automated Optical Inspection 的简称，即自动光学检测，是基于光学
AOI 指
原理来对生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备
Job Deck View 的简称，即制版图形的在线检查，是指通过远程连接，
JDV 指
固定账号的方式，使得客户可以实现在线查看制版版图的服务
公司 CAM 版图处理部门自主研发的掩模数据处理（设计）平台致
AMSD 指 力于通过自动化与智能化手段提升掩模数据处理的整体效率与可
靠性
为构建覆盖设计、检查全流程的掩模数据服务体系，公司在推出
AMSD 掩模数据处理（设计）平台的基础上，进一步研发并部署
AMSC 指
AMSC 自动化检查平台，专注于掩模数据的质量验证与工艺合规性
检查，与 AMSD 平台形成“设计-检查”协同闭环
Airborne Molecular Contaminants 的简称，即气态分子污染物，指对
AMC 指 产品或设备及其工艺流程有不良影响的非粒子状的悬浮化学污染
物
当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每 18-24 个
月便会增加一倍，性能也将提升一倍。摩尔定律是由英特尔创始人
摩尔定律 指
之一戈登·摩尔提出的，它并非自然科学定律，而是对信息技术发展
速度的一种分析预测
New Tape-Out 的简称，即新流片申请，即向晶圆厂正式提交流片请
NTO 指
求的流程
向 6G 过渡的关键阶段，核心是在“万兆速率、亚毫秒时延、千亿
连接”基础上，新增通感一体、无源物联、内生智能三大能力，从
“连接人”升级为“连接万物+感知世界”
注：本募集说明书中若出现总数与合计尾数不符的情况，均为四舍五入的原因。
深圳市龙图光罩股份有限公司 募集说明书
第一章 发行人基本情况
一、公司概况
公司名称 深圳市龙图光罩股份有限公司
英文名称 Shenzhen Longtu Photomask Co., Ltd.
股本总额 13,350 万股
股票代码 688721.SH
股票简称 龙图光罩
股票上市地 上海证券交易所
法定代表人 叶小龙
实际控制人 柯汉奇、叶小龙、张道谷
有限公司成立日期 2010 年 4 月 19 日
股份公司成立日期 2022 年 10 月 14 日
深圳市宝安区新桥街道象山社区新玉路北侧圣佐治科技
住所
工业园 4#厂房 101
邮政编码 518125
电话 0755-23207580
传真 0755-29480739
公司网址 www.starmask.cn
电子信箱 ir@starmask.net
一般经营项目是：电子专用材料研发；电子专用材料制
造；电子专用材料销售；集成电路芯片设计及服务；其
他电子器件制造。（除依法须经批准的项目外，凭营业
经营范围 执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：货物
进出口；技术进出口。（依法须经批准的项目，经相关
部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以相关部
门批准文件或许可证件为准）
二、股权结构、控股股东及实际控制人情况
（一）公司股权结构
截至 2025 年 12 月 31 日，公司总股本为 133,500,000 股，股本结构为：
股份类别 数量（股） 占比
限售股 80,015,460 59.94%
流通股 53,484,540 40.06%
合 计 133,500,000 100.00%
深圳市龙图光罩股份有限公司 募集说明书
（二）公司前十名股东情况
截至 2025 年 12 月 31 日，公司前十大股东基本情况如下：
股东名称 持股数量（股） 持股比例（%） 持有人类别 股本性质
叶小龙 26,366,670 19.75 境内自然人 限售股 A 股
柯汉奇 26,366,670 19.75 境内自然人 限售股 A 股
张道谷 19,586,700 14.67 境内自然人 限售股 A 股
南海成长 4,882,500 3.66 境内非国有法人 无限售 A 股
华虹虹芯 4,336,347 3.25 境内非国有法人 无限售 A 股
奇龙谷合伙 3,766,680 2.82 境内非国有法人 限售股 A 股
惠友豪嘉 3,049,638 2.28 境内非国有法人 无限售 A 股
众芯赢合伙 2,259,990 1.69 境内非国有法人 限售股 A 股
海通创新 1,668,750 1.25 境内国有法人 限售股 A 股
王日升 1,243,500 0.93 境内自然人 无限售 A 股
合 计 93,527,445 70.05 - -
注：柯汉奇和叶小龙各持有奇龙谷 2.60%份额，张道谷持有奇龙谷 2.20%份额。
（三）公司控股股东、实际控制人基本情况
截至本募集说明书出具日，公司不存在单一持股 30%以上的股东，且第一、
第二、第三大股东持股比例分别为 19.75%、19.75%、14.67%，均无法单独对公
司实施控制，因此公司无控股股东。
柯汉奇、叶小龙、张道谷签署了《一致行动协议》，约定各方在行使股东权
利时采取一致行动，且历史上三人在发行人/龙图有限股东（大）会上的表决意
见均一致。柯汉奇、叶小龙、张道谷分别直接持有龙图光罩 19.75%、19.75%、
股权，三人合计控制龙图光罩 56.99%股权，上述三方为公司的共同实际控制人。
综上，公司无控股股东，柯汉奇、叶小龙、张道谷为公司共同实际控制人，
且公司上市以来未发生变更。
实际控制人的基本情况如下：
柯汉奇先生：1965 年出生，中国国籍，拥有中国香港永久居留权，高级工
程师，研究生学历，固体物理专业。柯汉奇先生 1988 年 9 月至 1992 年 4 月，就
职于深圳市先科企业集团，历任工程师、部门经理；1992 年 4 月至 2016 年 11
深圳市龙图光罩股份有限公司 募集说明书
月，就职于中国南玻集团股份有限公司，历任事业部总裁、集团副总裁；自 2018
年 2 月至今，任职于本公司，担任董事长。
叶小龙先生：1972 年出生，中国国籍，无境外居留权，本科学历，环境设
计专业，深圳市高层次专业人才。叶小龙先生 1998 年 1 月至 2009 年 12 月，就
职于深圳清溢光电股份有限公司，历任市场部经理、总经理助理、副总经理；2010
年 4 月至今，任职于本公司，担任总经理、董事；2025 年 6 月起任广东省集成
电路行业协会副会长。
张道谷先生：1963 年出生，中国国籍，无境外居留权，本科学历，机械制
造工艺及设备专业。张道谷先生 1983 年 9 月至 1995 年 4 月，任职于湖北省黄冈
铝业公司，担任副厂长；1995 年 5 月至 2007 年 11 月，担任深圳美科电脑设计
有限公司总经理；2009 年 3 月至今，担任深圳市美泰莱电脑设计有限公司总经
理；2016 年 8 月至 2024 年 1 月，
担任深圳市兴美科电子科技有限公司执行董事、
总经理；2018 年 2 月至今，担任公司董事。
（四）控股股东和实际控制人最近三年变化情况
报告期内，发行人无控股股东，发行人实际控制人一直为柯汉奇、叶小龙和
张道谷，未发生变化。
（五）持有发行人 5%以上股份的股东及其股份质押、冻结、限售情况
截至报告期末，除柯汉奇、叶小龙和张道谷外，公司无其他持股 5%以上股
东。柯汉奇、叶小龙及张道谷持有公司的股份不存在质押和冻结的情况；但上述
股东持有发行人的股份存在限售的情况，限售期为自股份上市之日起 36 个月。
（六）前十名股东之间的关联关系
公司前十大股东之间的关联关系及关联股东的各自持股比例如下：
持有发行人
序号 股东姓名/名称 关联关系
股份比例
柯汉奇 19.75% 发行人实际控制人、董事长柯汉奇持有奇龙谷合伙
奇龙谷合伙 2.82% 伙人（GP），通过奇龙谷合伙间接控制发行人 2.82%
的股份。
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三、公司组织结构及主要下属企业情况
（一）公司组织结构图
截至本募集说明书出具日，发行人组织结构图如下：
（二）公司重要子公司情况
公司仅拥有 1 家境内全资子公司，具体情况如下：
名称 珠海市龙图光罩科技有限公司
成立日期 2022 年 8 月 31 日
法定代表人 叶小龙
注册资本 60,000 万元
实收资本 60,000 万元
公司类型 有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）
注册地址 珠海市高新区科新二路 130 号 6 栋
主要生产经营地 珠海市高新区科新二路 130 号 6 栋
一般项目：电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用
材料销售；集成电路芯片设计及服务；其他电子器件制造；货
经营范围
物进出口；技术进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业
执照依法自主开展经营活动）
主营业务 掩模版的研发、生产和销售
在发行人业务板块中定位 高端半导体芯片掩模版的研发、生产和销售
股东构成 龙图光罩 100%控股
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项目 2025 年 12 月 31 日/2025 年度
总资产 111,453.86
最近一年一期 净资产 57,880.65
主要财务数据
（单位：人民币，万元） 营业收入 2,728.80
净利润 -1,990.46
审计情况 2025 年度数据经中兴华审计
（三）公司主要参股公司情况
公司不存在参股公司。
四、公司所处行业基本情况
（一）公司所属行业及确定所属行业的依据
根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所属行业为“C39 计
算机、通信和其他电子设备制造业”；根据《重点新材料首批次应用示范指导目
录（2024 年版）》，公司产品属于“先进半导体材料和新型显示材料”中的“光
“信息产业”中的“集成电路”，属于“鼓励类”领域；根据《战略性新兴产业
分类（2018）》，公司主营业务属于“1、新一代信息技术产业”中的“1.2、电
子核心产业”中的“1.2.1、新型电子元器件及设备制造”和“1.2.4、集成电路制
造”。半导体和集成电路产业是我国当前重点发展的战略性新兴产业之一。
（二）行业主管部门、监管机制
公司所处掩模版行业的主管部门为工信部，其主要职责为拟订实施行业规划、
产业政策和标准，监测工业行业日常运行，推动重大技术装备发展和自主创新，
管理通信业，指导推进信息化建设，协调维护国家信息安全等。
公司所处掩模版行业的行业自律性组织主要为中国半导体行业协会和中国
电子材料行业协会，上述协会的主要职责包括向政府部门提出制定行业发展规划
的咨询建议、检查本行业对国家有关政策法规的贯彻执行、规范行业规则、拟定
行业标准、开展行业交流、协调行业发展等。
工信部和行业协会构成了掩模版行业的管理体系，行业内企业在主管部门宏
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观调控、行业协会自律规范的约束下，基于市场化方式自主生产经营，自主承担
市场风险。
我国政府颁布了一系列政策法规，大力扶持集成电路及半导体材料领域的发
展，相关的主要产业政策及规定具体情况如下：
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序号 法律法规及政策 时间 颁布机构 相关内容 与公司产品/服务间的关联性
《中共中央关于制定 提出加强原始创新和关键核心技术攻关，完善新型举国体
公司主营产品为半导体掩模版，属
国民经济和社会发展 2025 年 制，采取超常规措施，全链条推动集成电路、工业母机、
第十五个五年规划的 10 月 高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关
料。
建议》 键核心技术攻关取得决定性突破。
《关于做好 2025 年享
发改委、工信 2025 年享受税收优惠政策的集成电路企业包括集成电路产
受税收优惠政策的集
件企业清单制定工作
家税务总局 上硅片）生产企业。
的通知》
明确将“线宽小于 0.25 微米（含）的特色工艺集成电路生 公司属于线宽小于 0.25 微米的特色
《产业结构调整指导 2024 年
料列为鼓励类发展的项目。 于鼓励类发展的项目。
明确将“光掩模版：G11 代光掩模版、LTPS 用光掩模版、
公司属于“248nm 用光掩模版、
《重点新材料首批次 2024 年 工业和信息 CF 用光掩模版、248nm 用光掩模版、193nm 用光掩模版、
属于鼓励发展的重点新材料行业。
录。
“到 2025 年，建成具有影响力的半导体与集成电路产业集
《深圳市培育发展半
深圳市发展 群，产业规模大幅增长，制造、封测等关键环节达到国内 公司主营产品为半导体掩模版，属
导体与集成电路产业 2022 年
集群行动计划 6月
会 发与产业化，加快光掩模、电子气体等半导体材料的研发 材料。
（2022-2025 年）》
生产。”
公司的掩模版产品是双极型晶体管
（IGBT）、微机电系统（MEMS）
加快集成电路关键技术攻关。推动计算芯片、存储芯片等
等特色工艺器件制造的关键材料。
《“十四五”国家信 2021 年 工业和信息 创新，加快集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关
息化规划》 12 月 化部 键材料研发，推动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电
攻关，推动绝缘栅双极型晶体管
系统（MEMS）等特色工艺突破。
（IGBT）、微机电系统（MEMS）
等特色工艺突破，与公司产品/服务
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序号 法律法规及政策 时间 颁布机构 相关内容 与公司产品/服务间的关联性
密切相关。
《关于加快培育发展 依托优质企业组建创新联合体或技术创新战略联盟，开展 该文件对公司与上下游企业展开合
导意见》 等领域关键核心技术、产品、装备攻关和示范应用。 攻关起到推动作用。
《关于支持集成电路 财政部、海关 对符合要求的逻辑电路、存储器生产企业、集成电路生产
进口税收政策的通知》 局 零配件生产企业免征进口关税。
提出“实施重点产品高端提升行动，面向电路类元器件等 公司的半导体掩模版广泛应用于特
重点产品，突破制约行业发展的专利、技术壁垒，补足电 色工艺半导体的生产环节，包括耐
《基础电子元器件产 子元器件发展短板，保障产业链供应链安全稳定。”“重 高温、耐高压、低损耗、高可靠半
（2021-2023 年）》 高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块， 可靠、高灵敏度电子防护器件，高
小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功 性能、多功能、高密度混合集成电
能、高密度混合集成电路。 路等。
进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，在财税、
《新时期促进集成电 投融资、研究开发、人才、知识产权等方面给予集成电路 公司产品属于线宽小于 0.25 微米
质量发展的若干政策》 于 0.25 微米（含）的特色工艺集成电路生产企业（含掩模 业（含掩模版）。
版）进口用生产性原材料、消耗品等，免征进口关税。
“重点发展低维及纳米材料、先进半导体材料、电子新材
料、先进金属材料、高性能复合材料、新能源材料、生物
医用材料等前沿新材料。加快先进研发、测试和验证等创
《广东省人民政府关
新能力建设，强化应用基础研究和关键技术攻关，着力提
于培育发展战略性支 2020 年 广东省人民 公司主营产品为半导体掩模版，属
柱产业集群和战略性 5月 政府 于该政策提及的先进半导体材料。
推动上下游产业协同发展，在广州、深圳、珠海、佛山、
新兴产业集群的意见》
韶关、东莞、湛江、清远、潮州等地打造各具特色的前沿
新材料集聚区，巩固综合实力全国前列地位，在若干领域
实现引领全国发展。”
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国家相关支持政策明确了半导体行业在国民经济中的战略地位。掩模版作为
半导体产业的上游核心材料，技术壁垒高，国内自产率低，长期依赖国外进口，
在当前贸易摩擦、半导体产业逆全球化的国际形势下，国产替代大势所趋。上述
一系列政策和法规的发布和落实，从财政、税收、技术、人才、知识产权等多个
角度对半导体产业及其关键材料给予了政策支持，为掩模版行业及其上下游行业
创造了良好的经营环境，有力地推动了我国半导体掩模版行业的发展。
（三）发行人产品所属行业发展状况
受全球经济格局深度调整、地缘政治博弈持续交织影响，2025 年全球半导
体行业在产业格局重构中保持强劲上行态势，行业发展呈现分化与机遇并存的多
元特征。半导体行业作为现代高科技产业与战略性新兴产业的核心基石，是数字
经济、高端制造、信息技术、通信产业等领域发展的核心支撑，产业战略地位持
续凸显。近年来，人工智能大模型（AI）、高性能计算（HPC）、智能网联汽车、
新能源、工业物联网、5G-A 通信等新兴领域迎来爆发式增长，驱动半导体芯片
需求结构持续升级，推动全球晶圆制造产能稳步扩张，进而带动半导体材料市场
规模的持续扩容。
从国内市场来看，在全球产业链加速重构、贸易保护主义持续抬头的背景下，
叠加产业政策的持续支持，国内半导体产业自主可控进程全面深化，在特色工艺、
成熟制程、先进封装等关键领域实现多项技术与产品突破，国内晶圆制造产能稳
步释放，带动半导体材料、设备等上游产业链的国产替代进程加速向纵深推进，
为国内具备核心技术与产能优势的半导体掩模版企业持续提供良好的发展环境。
半导体掩模版生产厂商可以分为晶圆厂自建配套工厂和独立第三方掩模厂
商两大类。由于 28nm 以下的先进制程晶圆制造工艺复杂，其配套掩模版涉及晶
圆制造厂的重要工艺机密，因此先进制程晶圆厂所用的掩模版大部分由自己的内
部工厂生产，如英特尔、三星、台积电、中芯国际等。对于 28nm 及以上等较为
成熟的制程所用的掩模版，芯片制造厂商为了降低成本，在满足技术要求下，更
倾向于向独立第三方掩模版厂商进行采购。
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（1）半导体市场：迎来强劲爆发，AI 与存储带动趋势显著
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布的 2025 年全年半导体市场业
绩报告数据显示，2025 年全球半导体销售额达到 7,956 亿美元，同比增长 26.2%，
且根据 WSTS 和 SIA 最新预测，全球半导体销售预计将在 2026 年持续增长，行
业规模将接近 1 万亿美元。
数据来源：WSTS
（2）晶圆制造：全球晶圆产能扩张，先进制程提速，成熟制程稳步增长
据 SEMI 数据研报，2025 年全球新建晶圆厂预计有 18 座，包括 15 座 12 英
寸晶圆厂和 3 座 8 英寸晶圆厂。从地域分布来看，2025 年全球新建晶圆厂中中
国大陆占了 3 座，项目集中于成熟制程领域，主要服务于汽车芯片、工业控制等
内需市场，预计 2027 年中国成熟制程产能在全球的占比将升至 47%，成为全球
最大成熟制程半导体制造市场。从制程结构来看，2025 年预计全球 7nm 及以下
制程节点的月产能将达到 220 万片等效 8 寸晶圆，同比增长 16%；8-45nm 制程
节点的月产能将达到 1,500 万片等效 8 寸晶圆，同比增长 6%；45nm 以上制程节
点的月产能预计将达到 1,400 万片等效 8 寸晶圆，同比增长 5%。
晶圆产能扩张带来光刻环节频次增加，使得掩模版作为消耗品的需求持续放
大，叠加不同制程对掩模版规格、技术参数的差异化需求，进一步丰富了掩模版
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的产品结构，推动掩模版行业整体需求持续向好。
（3）掩模版：半导体材料市场快速增长，设计产业扩张联动
半导体材料是产业的基石，其市场规模与下游技术演进紧密联动。根据
TECHCET 的预测，到 2028 年全球半导体材料市场规模将超过 840 亿美元。同
时，制造更先进技术节点的逻辑芯片、3D 存储芯片及异构集成技术需要更多的
工艺步骤，直接推高了晶圆制造材料的消耗需求。掩模版作为第三大晶圆制造材
料，将受益于此轮结构性增长。从区域格局看，SEMI 报告显示，亚太地区（包
括中国大陆、中国台湾、韩国等）占据全球掩模版市场 40%-45%的核心份额。
区域内晶圆厂的持续扩产是拉动掩模版需求的根本力量。中国大陆半导体材料市
场增速显著高于全球平均水平，这主要得益于国内晶圆产能的快速扩张与国产替
代进程的加速。SEMI 预计，2025 年中国半导体材料市场有望达到 200 亿美元。
因此从半导体材料市场的整体扩容与亚太地区的核心地位看，本土掩模版的市场
空间将持续快速增长。
另从需求前端的角度看，芯片设计行业的发展亦为掩模版需求提供了直接驱
动力。根据中国半导体行业协会集成电路设计分会显示的数据，2025 年中国芯
片设计产业销售额预计达 8,357.3 亿元，同比增长 29.4%，展现出强劲增长势头。
从数量上看，2025 年国内设计企业已增至 3,901 家，其中年销售额超 1 亿元的企
业达 831 家。芯片设计公司数量及其销售额的增长意味着 NTO 数量的增长，每
个 NTO 对应着一套全新的掩模版，NTO 项目的数量增长与掩模版需求量呈正相
关关系。
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2025 年度全球半导体市场销
售额达到 7,956 亿美元（现汇率1折合约 5.4 万亿元人民币），同比增长 26.2%，
这是半导体行业历史上市场规模最大、市场增量最高的年度。同时，2025 年度
全年增长势头呈加快的局面，2025 年第四季度营收达到 2,389 亿美元，较 2024
年第四季度增长 38.4%，反映出数据中心基础设施和人工智能相关系统等几个关
按照 2026 年 4 月人民币兑美元汇率计算。
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键应用领域的强劲需求。
数据来源：世界半导体贸易统计组织（WSTS）
从区域来看，亚太地区和美洲地区为市场增长的主要贡献者。根据 WSTS
数据，2025 年半导体销售额在亚太地区增速最为强劲，同比增长高达 42.40%；
其次为美洲地区，增长 31.40%；欧洲保持温和增长，涨幅 6.70%；而日本则全
年下降 4.30%。
从产品类别来看，逻辑集成电路为整个市场的增长作出了最大的贡献，营收
约 2,995 亿美元，涨幅 38.80%；其次是存储类芯片，营收约 2,300 亿美元，涨幅
器人技术的创新都将进一步带动半导体行业销售的增长。
半导体材料根据前道后道工序，分为晶圆制造材料和封装材料两大类。根据
SEMI（国际半导体产业协会）于 2025 年发布的报告，2025 年全球晶圆制造材
料市场预计达 454 亿美元，2026 年预计增至 489 亿美元，其中硅片 2025 年市场
规模为 132 亿美元，预计 2026 年达 143 亿美元；电子特气 2025 年市场规模为
预计 2026 年达 62 亿美元。光掩模版占整体晶圆制造材料市场规模的 12.99%，
仅次于硅片（29.07%）和电子特气（14.10%），是晶圆制造中的关键材料。
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除此之外，IC 封装、MEMS 传感器、LED 外延片、光电器件的生产均需要
半导体掩模版。（1）IC 封装领域，根据 PW Consulting 数据，2025 年全球 IC
封装掩模版的市场规模为 14 亿美元；（2）MEMS 领域，根据 Statista 数据，2025
年全球 MEMS 行业市场规模将达到 200 亿美元；（3）光电器件领域，根据
Precedence Research 数据，2025 年全球光电器件市场规模约为 93.1 亿美元。按
照掩模版在封装材料中的占比 5%进行计算，全球 MEMS 传感器、光电器件所需
掩模版市场规模分别为 10 亿美元、4.66 亿美元，合计 14.66 亿美元。
综上所述，随着半导体市场规模快速提升、技术不断迭代，特别在 AI 需求
的带动下，集成电路制造、先进封装、光电及传感器件的需求将持续增加，半导
体掩模版的市场需求也将随之增加。根据多方机构预测需求综合研判，预计 2025
年全球半导体掩模版市场规模为 90 亿美元左右，其中晶圆制造掩模版市场规模
为 59 亿美元，IC 封装掩模版为 14 亿美元，其他器件掩模版市场规模约为 17 亿
美元左右。受下游需求的积极推动，未来掩模版市场规模也将持续增长。
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（四）行业未来发展趋势
升
半导体产品随着工艺技术进步和性能提升，线宽越来越窄，对上游掩模版的
工艺水平和精度控制能力提出了更高要求。为了解决掩模版制作过程中由于线宽
逐步缩小带来的诸多难题，以 OPC 光学邻近效应修正技术、PSM 相移掩模版技
术、电子束光刻技术为代表的一系列图形分辨率增强技术兴起并快速发展。
高
随着终端产品的功能日趋复杂，半导体产品的集成度持续提高，晶圆制造的
工艺不断进步。随着芯片堆叠层数的增加，半导体器件与集成电路的电路图也越
发复杂，晶圆表面需要光刻的图案由传统的二维电路图像发展成含有多层结构的
三维电路图像，这也导致半导体掩模版的张数不断增加，CAM 版图处理的难度
进一步加大，掩模版的套刻精度控制也更加困难。
近年来随着新能源汽车、光伏发电、自动驾驶、新一代移动通信、人工智能
等新技术的不断成熟，特色工艺半导体行业发展迅速。特色工艺不完全依赖缩小
晶体管特征尺寸，而是聚焦于新材料、新结构、新器件的研发创新与运用，强调
定制化和技术品类多元性。由于下游特色工艺半导体高度定制化，平台繁多、种
类庞杂、领域众多，且通常会集成多种功能，这对于第三方掩模版厂商的定制化
服务能力提出了更高的要求，掩模版厂商需要有足够的技术储备才能满足快速发
展的特色工艺半导体的定制化要求。
从下游客户需求看，越高制程的掩模版市场呈现客户集中度越高的特征。由
于晶圆厂的资本开支和设备投入随着制程节点的提升而呈指数级上升，因此制程
节点越高，晶圆厂客户数量越稀少，单个客户的规模体量越大。同时，由于高端
制程掩模版对供应链稳定性要求越严苛，头部客户为保障供应安全，通常与具备
较强技术实力的掩模版厂商建立战略合作关系，晶圆厂与掩模厂形成了较强的合
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作黏性。因此，掩模版厂商的制程能力越高，能够合作的客户数量就越多、规模
就越大。
期
以 CoWoS 为代表的 2.5D/3D 异构集成技术将持续迭代，Chiplet 技术的标准
化与规模化应用加速，先进封装与 HBM（High Bandwidth Memory）高带宽内存、
硅光技术的融合将进一步深化，直接带动先进封装专用掩模版需求持续爆发，成
为行业重要的增长极。
（五）行业的经营模式和特征
半导体掩模版生产厂商可以分为晶圆厂自建配套工厂和独立第三方掩模厂
商两大类，其中晶圆厂自建配套工厂生产的掩模版仅供自身内部使用；独立第三
方掩模厂为掩模代工厂，可以给多家晶圆厂代工掩模版产品。
第三方半导体掩模版厂商是半导体产业精细化分工的必然产物。在半导体行
业发展历史上，最初仅有 IDM 一种商业模式，早期的半导体企业需要掌握芯片
设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试的全环节能力。随着半导体的需求量及产
量的不断指数级增长，半导体制造业出现了规模经济性和高资本投入两大特征：
随着制造工艺的进步和晶圆尺寸的增大，单位面积上能够容纳的晶体管数量剧增，
成品率显著提高，企业扩大生产规模会降低单位产品的成本；同时，半导体产业
所需的资本投入巨大，沉没成本极高，通常情况下一条 12 英寸生产线需要 12 亿～
资的 20%，成本极其高昂。上述两大特征决定了仅有极少数实力强大的 IDM 厂
商能够持续发展，而其他的半导体厂商根本无力扩张。
正是在这样的背景下，Foundry（晶圆代工厂）和 Fabless（设计公司）模式
应运而生。Foundry 厂商仅专注于晶圆制造，不涉及芯片设计，同时可为多家
Fabless 公司提供代工服务，具有规模经济化优势；Fabless 仅负责芯片的电路设
计与销售，将生产及测试环节外包，具有轻资产优势。Foundry 的出现降低了芯
片设计行业的进入门槛，众多的中小型 Fabless 公司纷纷成立，Fabless 与 Foundry
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的快速发展，极大地促进了半导体产业的繁荣，并在此基础上又进一步进行产业
精细化分工，出现第三方封测厂、第三方掩模版厂商等模式。第三方半导体掩模
版模式，能够显著降低晶圆厂自产掩模的大量资本投入，同时又能代工多家晶圆
厂的掩模版产品，具备规模经济化优势。
半导体行业的精细化分工趋势是不可逆转的。起初，第三方半导体掩模版的
客户主要集中在 28nm 制程节点以上的晶圆制造厂商，28nm 以下的先进制程晶
圆制造厂商大部分由自己的专业工厂内部生产掩模版。随着半导体行业的精细化
分工趋势快速发展，近年来第三方半导体掩模版厂商的客户逐步渗透至先进制程，
且这一比例正在快速增加。以全球最大的第三方半导体掩模版厂商日本 Toppan
为例，其子公司日本科盛德光罩（Tekscend Photomask）聚焦于先进制程半导体
掩模版的制造，半导体掩模版制程能力可达 2nm，核心客户包括台积电、IBM、
Global Foundries 等晶圆厂，在 3nm 及以下先进制程 EUV 掩模市场占据约全球
半导体掩模版行业具有显著的资本投入大、技术壁垒高、高度依赖专有技术
的特点。晶圆制造厂商自行配套掩模工厂，主要是出于技术可控及保密性的考量，
但随着制程工艺逐渐成熟及第三方掩模版厂商的制作水平的不断提升，自建掩模
工厂的诸多弊端逐渐体现，如设备、人工投入巨大，生产环节过于复杂，成本过
于昂贵等。第三方半导体掩模版厂商能充分发挥技术专业化、规模化优势，具有
显著的规模经济效应。在技术水平、产品性能指标符合要求前提下，独立第三方
掩模版厂商对晶圆制造厂商的吸引力不断增加。
由于掩模版承载着芯片设计方案和图形信息，涉及到芯片设计公司的重要知
识产权，第三方半导体掩模版厂商作为芯片设计与芯片制造的中间桥梁，能够更
好地发挥信息隔离功能，芯片设计公司更倾向于将芯片设计版图交给第三方掩模
厂进行掩模生产以保证自身的信息安全。总体来看，随着技术水平不断提高，第
三方独立掩模版厂商竞争优势将不断体现，市场份额将持续增加。
半导体掩模版行业具备一定的逆周期行业特性，具有较高的需求稳定性。具
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体原因如下：当半导体行业处于下行周期时，晶圆制造厂商的产能利用率不足时，
为了提升产能利用率，晶圆制造厂商会向众多的中小芯片设计公司提供晶圆代工
服务，从而生产的半导体产品类型亦会增多，相应增加掩模版的需求量；同时当
下游需求低迷时，芯片设计公司将通过设计新产品刺激市场，提升销量，新产品
也会带来对掩模版的增量需求。在行业的周期波动中仍能保持一定的需求稳定性，
是半导体掩模版部分逆行业周期具体体现。
半导体行业为技术、人才和资本密集型行业，我国集成电路行业企业主要集
中分布在具有人才和技术优势的长三角地区、珠三角地区以及以重庆等中心城市
圈为重点的中西部地区，因此半导体掩模版的销售区域也主要集中于上述地区。
半导体掩模版行业不存在明显的季节性特征。
（六）行业壁垒
半导体掩模版行业具有较高的行业壁垒，主要体现在技术壁垒、资本投入壁
垒、客户壁垒与人才壁垒四个方面，具体如下：
半导体掩模版在晶圆制造的光刻工艺中需要绘制的图形特征尺寸小、精度高，
配套的掩模版层数多，且随着半导体制程的不断提升，掩模版的要求也越来越苛
刻，因此半导体掩模版对最小线宽、位置精度、CD 精度、缺陷管控等均提出了
很高的要求，工艺难度大。半导体掩模版的生产涉及 CAM、光刻、检测三个主
要环节，具体包括版图处理、图形补偿、曝光、显影、刻蚀、参数测量、清洗、
缺陷检验、模拟曝光、缺陷修补、贴光学膜等多项复杂工艺，PSM 产品还涉及
涂胶、烘烤、二次曝光等，整体制作过程对补偿算法、制程能力、精度水平、缺
陷管控具有严格要求，技术壁垒较高。
半导体掩模版作为半导体制造产业链中的关键材料，其生产对设备精度与工
艺控制能力提出了更高要求，高端生产设备是掩模版产线拉通的基础及关键条件。
半导体掩模版的研发与生产涉及包括光刻机、检测设备、刻蚀设备、显影设备、
修补设备在内的大量昂贵设备，资本投入极高。以 40nm-28nm 制程半导体掩模
版设备投入为例，单条产线的整体投资规模超过 15 亿元，具有较高的资本投入
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壁垒。
掩模版作为下游晶圆制造厂商光刻环节极其重要的设计图案转移工具，是晶
圆制造光刻环节不可或缺的光学模具，对晶圆制造和芯片产品品质影响巨大。因
此，下游晶圆制造厂商对掩模版厂的要求较为严格，一般情况下，晶圆制造厂商
对掩模版工厂的验证和供应商评估期在 6-18 个月不等，且随着制程节点提升周
期更长，如 65nm-40nm 节点通常验证周期在 18 至 24 个月甚至更久。并且，随
着掩模版制程节点的不断提升，图形密度大幅增加，图形间隔的复杂程度更大，
验证流程更为苛刻与复杂，如验证过程中涉及工艺调整则耗时更久。晶圆制造厂
商审核通过后才可纳入合格供应商名单，建立起正式的合作关系。由于下游客户
对半导体掩模版厂商要求高、认证周期长，双方建立合作关系后，不会轻易更换
供应商，合作稳定性较好。因此，半导体掩模版行业具有较高的客户壁垒。
半导体掩模版技术壁垒高，生产工艺复杂，对高端复合型人才需求较高。半
导体掩模版不仅涉及 CAM 版图处理、光刻、刻蚀、显影、清洗、检测等生产工
艺，还要求能够精准识别匹配上下游的需求，需要懂工艺、懂技术、懂设备、懂
软件的高端复合型人才，具有较高的人才壁垒。
五、公司所处行业竞争情况
（一）行业内的主要企业
公司同行业内的主要企业包括：日本科盛德、美国 Photronics、日本 DNP，
中国台湾光罩和中微掩模、迪思微、清溢光电、路维光电、冠石科技等。上述企
业的基本情况如下：
科盛德全称为科盛德光罩株式会社，英文名 Tekscend Photomask Corp.，是
日本 Toppan 集团旗下专注于掩模版业务的子公司。科盛德是全球第一大第三方
掩模版制造商，市场占有率、制程规模均为行业前列，目前在全球范围内拥有 8
家工厂，具备 2nm 制程节点的 EUV 光掩模量产能力。科盛德于 2025 年 10 月在
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东京证券交易所上市，股票代码 429A。
Photronics 成立于 1969 年，总部位于美国康涅狄格州，于 1987 年在美国纳
斯达克市场（NASDAQ）上市，股票代码 PLAB。美国 Photronics 目前在全球范
围内拥有 11 家工厂，主要产品为集成电路和平板显示用掩模版，公司拥有全球
领先的 IC 和平板显示掩模版技术。
DNP 成立于 1876 年，总部位于日本东京，在东京证券交易所上市，股票代
码 7912。DNP 是日本最大的印刷及媒介公司之一，涉及以印刷技术为核心的多
个业务领域，其电子器件业务包括半导体芯片掩模版、硬盘驱动器用引线框架、
LED 用金属板、相机模块、图像处理系统 LSI、电子纸显示系统、微机电产品等。
中国台湾光罩成立于 1988 年，于 1995 年在中国台湾证券交易所上市，股票
代码 2338。中国台湾光罩的主要产品为半导体芯片掩模版，目前可以采用 OPC
及 PSM 技术量产 0.18μm-90nm 的掩模版产品。
中微掩模成立于 2007 年，总部位于江苏省无锡市，是一家专业从事 0.13μ
m 及以上水平的高端集成电路掩模生产和技术开发的高科技公司，可提供 0.35～
迪思微成立于 2012 年，总部位于江苏省无锡市，隶属华润微电子代工事业
群，是华润微电子旗下从事掩模代工业务的专业公司，专注于半导体掩模版的研
发、生产和制作，可提供 0.13μm 及更高工艺节点的掩模产品。
清溢光电成立于 1997 年，总部位于广东省深圳市，科创板上市公司，股票
代码 688138。清溢光电主要产品包括平板显示掩模版和半导体掩模版等，2024
年清溢光电半导体掩模版业务占比 17.51%，平板显示掩模版业务占比 77.85%。
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在半导体掩模版领域，根据清溢光电 2024 年年度报告，已量产 150nm 工艺节点
的半导体芯片用掩模版。
路维光电成立于 2012 年，总部位于广东省深圳市，科创板上市公司，股票
代码 688401。路维光电主要产品包括平板显示掩模版和半导体掩模版等，根据
其向不特定对象发行可转换债券申请文件的审核问询函回复中披露，2024 年 1-9
月路维光电半导体及其他掩模版业务营业收入占比 16.18%，平板显示掩模版业
务占比 83.80%。根据路维光电，2025 年年报披露公司已实现 150nm 制程节点半
导体掩膜版量产，130nm 制程节点半导体掩膜版已通过客户验证并小批量量产。
冠石科技成立于 2002 年，总部位于江苏省南京市，上交所主板上市公司，
股票代码 605588。冠石科技聚焦显示与半导体行业，主要从事半导体显示器件、
特种胶粘材料和半导体光掩模版的研发、生产和销售。根据冠石科技 2025 年年
度报告，当前半导体显示器件是公司主要的收入和利润来源，半导体光掩模版收
入规模较小，其 2025 年年报披露，半导体掩模版收入 1,686.92 万元，收入占比
为 1.24%。
（二）当前市场竞争格局
当前，境内半导体产业正处于技术升级与市场扩张的关键阶段，公司将充分
受益于国产替代带来的市场机会，同时也将面临头部企业向下渗透、行业同质化
竞争加剧的挑战。目前中国大陆第三方光罩市场，境内厂商与境外厂商的技术差
距主要体现在特色工艺、成熟制程与先进制程几个层次：
公司为代表的境内厂商工艺技术水平已经达到国际一线竞争对手同等水平，产品
关键参数无明显差异，性能水平基本相当，产品进入国产替代后期，国产厂商竞
争开始显现；
括公司在内的当前境内第三方厂商技术攻关和产品研发的主要方向。其中
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期内技术追赶存在较大的可能；
具有资本投入的先发优势和产业链集群优势，同时中国大陆半导体行业受贸易制
裁、出口管制等因素影响，目前我国境内第三方掩模版厂商暂时无法涉及 28nm
以下制程节点的先进制程掩模制造，仅有极少数头部晶圆厂具备相应制版技术。
公司不断增加投入进行技术攻关和产品迭代，产品广泛应用于功率半导体、
MEMS 传感器、先进封装等特色工艺制程。目前珠海工厂 90nm 产品已实现量
产，65nm 产品已开始送样验证，并已完成 40nm 工艺节点的生产设备布局，多
项工艺优化技术已应用于现有生产线。公司与国内重点的晶圆厂及设计公司均建
立了深度的合作关系，技术实力及工艺能力在国内独立第三方半导体掩模版厂商
中处于第一梯队。
（三）公司所处的行业地位
段，外资厂商在大陆市场份额亦受到国产替代显著影响。公司作为国内半导体光
罩领域核心参与者，在细分产品市场形成了自身的竞争优势：在 BIM 产品市场，
公司是行业核心参与方之一，凭借稳定的产品品质、及时的交付能力与良好的客
户关系占据重要市场地位；在 65nm 以上 PSM 产品市场，亦具备了为客户提供
相关产品及服务的综合能力。
公司聚焦半导体光罩主业，是国内为数不多的主营半导体光罩的独立第三方
厂商，长期与华虹半导体、士兰微、立昂微、英诺赛科等国内主要晶圆厂保持合
作，在功率半导体、MEMS、第三代半导体等特色工艺光罩领域形成较强客户黏
性，成为下游客户国产化采购的重要选择之一。
得了稳步进展：技术制程方面，公司持续深耕成熟制程，90nm 产品已成功实现
量产，逐步向高端制程领域迈进；在客户合作方面，公司产品与服务覆盖了国内
多家主流晶圆厂。凭借稳定的产品品质和及时的交付响应，公司与核心客户的合
作关系不断深化，在国产化进程加速的行业背景下，市场认可度得到进一步巩固。
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（四）公司竞争优势
半导体掩模版高度依赖专有技术，有鲜明的“Know-How”特点。半导体掩
模版的技术研发需要技术人员懂工艺、懂技术、懂设备、懂软件，对技术人员的
复合能力及从业经验提出了较高的要求。公司的研发团队在半导体掩模版领域耕
耘多年，具有深厚的技术积累以及良好的技术转化能力。同时，公司不断吸收和
引进人才，积极与高校、科研院所开展产学研合作，提升公司研发实力，强大的
人才队伍为公司技术研发与积累提供了坚实的基础，是公司研发实力的有力保证。
报告期内，公司 PSM 和电子束光刻相关技术已开始成熟应用，并成功完成
理方面，公司持续发力自主研发，成功推出 AMSD、AMSC 自动化设计和检查
工具，有效提升了版图处理效率和准确度，缩短了产品研发与交付周期。
凭借强大的研发实力、持续的自主创新能力以及深厚的行业经验，公司获得
了国家工信部专精特新“小巨人”企业认定、广东省功率半导体芯片掩模版工程
技术研究中心认定、广东省专精特新中小企业认定、国家高新技术企业认定。截
至 2026 年 3 月 31 日，公司已取得 29 项发明专利和 41 项软件著作权，具有较强
的研发优势。
公司在高精度半导体掩模版领域不断进行设备引进与技术攻关，针对半导体
掩模版的工艺特点，形成了多项自主研发的核心技术，包括图形补偿（OPC）技
术、精准对位标记技术、光刻制程管控技术、曝光精细化控制技术、缺陷修补与
异物去除技术等，涵盖 CAM、光刻、检测三大环节。同时，公司还积极开展技
术布局与储备，自主研发掌握了电子束光刻及套刻技术及 PSM 相移掩模版相关
技术，可满足模拟 IC 芯片等高端产品对掩模版高可靠性、高精度的要求，契合
当前功率半导体、汽车电子等领域的发展需求。
公司目前已实现 90nm 工艺节点半导体掩模版的量产，技术水平与产能规模
处于国内第三方半导体掩模版厂商第一梯队；未来随着客户送样验证通过，公司
量产的制程节点将进一步提升至 65nm，更好地适配客户需求，覆盖射频芯片、
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MCU 芯片、DSP 芯片等更多应用场景，进一步缩小与行业头部企业的差距，强
化技术领先优势。
经过多年发展，公司凭借扎实的技术实力、优质的服务与可靠的产品质量，
赢得下游客户的广泛认可，已与众多知名客户建立了长期稳定的合作，并形成了
优质的客户结构，客户不仅涵盖芯片制造厂商、MEMS 传感器厂商、先进封装
厂商，还包括进行基础技术研究的知名高校及科研院所，终端应用覆盖新能源、
光伏发电、汽车电子、工业控制、无线通信、物联网等多个高景气领域。
同时，下游客户对半导体掩模版厂商要求高、认证周期长，因此，一旦与下
游客户建立起合作关系，客户不会轻易更换供应商，双方合作稳定性较高，形成
较强的客户黏性。公司紧跟行业趋势，持续深化客户合作，产品已通过多个国内
知名晶圆制造厂商的认证，核心客户包括华虹宏力、芯联集成、士兰微、立昂微、
燕东微、新唐科技、比亚迪半导体、粤芯半导体、华天科技、长飞先进、扬杰科
技、英诺赛科等，涵盖功率半导体、汽车电子、先进封装等核心领域，以上述厂
商为代表的客户构成了公司优质且稳定的客户资源优势，为公司业务持续增长提
供了坚实保障。
掩模版工厂除了需要对晶圆工厂的制版等级要求（品质规格和标准）严格执
行外，还需要深刻理解客户光刻机台特点及其特殊要求。公司有着多年的服务晶
圆厂业务经历，通过不断与客户磨合，积累了大量的服务经验，在掌握并建立了
市场上大部分光刻机的制版要求信息库的同时，还能精准识别并理解不同客户之
间不同设备的特殊要求，可快速匹配技术方案，缩短与下游客户的磨合期，具备
深度全面的客户服务能力，提升了与客户的合作黏性。
同时，公司高度重视售后服务，建立了完善的产品全生命周期追溯体系，保
存了所有掩模版的出厂信息、生产信息及品质信息，在实际掩模版使用过程中出
现异常的情况时，可快速及时识别异常原因并提供解决方案，保障下游客户生产
连续性。此外，公司版图数据处理部门研发的 AMSC、AMSD 等自动化工具，
可快速响应客户版图调整、数据校验等需求，进一步提升服务响应速度与服务质
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量。
六、公司主要业务的具体情况
（一）主要经营模式
公司主营业务为掩模版的研发、生产和销售，根据下游客户定制化的需要，
设计和生产掩模版。公司产品主要应用于半导体领域，凭借良好的客户需求转换
能力、制程能力、品质保证能力、技术服务能力等不断开拓行业内大客户、持续
获取订单，实现产品销售并获得盈利。
公司始终坚持自主研发和技术创新，建立了涵盖新产品开发、工艺研发、
CAM 软件开发、设备研发的研发体系。公司建立了《研发与知识产权内部控制
制度》，规范了从项目立项、项目实施与验收的全流程。公司始终致力于探索、
改进掩模版的工艺制造流程，提升产品良率，提高生产制造效率，同时对掩模版
生产所需的部分设备进行了研发、改进，从工艺到设备多角度提升掩模版产品性
能。
公司采购物料主要分为主料与辅料，其中主料包括制作掩模版所需要的石英
基板、苏打基板以及光学膜，辅料主要为在显影刻蚀环节用到的显影刻蚀材料，
以及 ABS 包装盒等。公司主要采取“以销定采”的方式，同时对于通用性较强
的原材料，如石英基板、苏打基板、光学膜等，根据销售预测、库存情况及原材
料市场供应情况适当备货。
公司的主要产品具有显著定制化特征，主要采用直销模式，同时存在少量代
理商销售收入，其协助公司开拓及维护中国台湾地区客户。公司依据客户对产品
的规格工艺要求，通过产品成本加合理毛利并结合市场竞争情况等确定销售价格。
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由于掩模版为定制化产品，产品需要根据客户的个性化需求进行定制化设计
与生产，因此，公司采取“以销定产”的生产模式，即根据销售订单安排生产。
公司拥有包含 CAM 版图处理、光刻、显影、刻蚀、清洗与检测等掩模版全环节
自主生产能力，凭借丰富的行业经验和领先的技术水平能够快捷高效为客户提供
高质量产品与服务。
（二）发行人主要产品的工艺流程
发行人主要产品为半导体掩模版，是半导体制造工艺中的关键材料，用于半
导体制造的光刻环节。半导体制造的光刻是指通过曝光工序，在晶圆表面的光刻
胶上刻画出电路图形，然后通过显影、刻蚀等工艺流程，最终将电路图形转移到
晶圆上的过程。掩模版在半导体生产中的应用如下图所示：
半导体器件和结构是通过生产工艺一层一层累计叠加形成的，芯片设计版图
通常由十几层到数十层图案组成，芯片制造最关键的工序是将每层掩模版上的图
案通过多次光刻工艺精准地转移到晶圆上（如下图所示）。半导体光刻工艺需要
一整套相互之间能准确套准的、具有特定图形的“光复印”掩模版，其功能类似
于传统相机的“底片”。掩模版是半导体制造工艺中最关键的材料之一，其品质
直接关系到最终产品的质量与良率。
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发行人生产的掩模版产品根据基板材质的不同主要可分为石英掩模版、苏打
掩模版两类，具体图示和介绍如下：
产品名称 产品图例 产品简介 应用场景
以高纯石英玻璃
为基材，具有高透 主要用于对精度
过率、高平坦度、 要求高的功率半
石英掩模版 低膨胀系数等优 导体、模拟芯片、
点，成本较高，通 逻辑芯片等领
常应用于高精度 域。
掩模版产品。
使用苏打玻璃作
主要用于对精度
为基板材料，热膨
要求较低的中低
胀率相对高于石
端半导体制造、
英玻璃，平整度和
苏打掩模版 半导体封装、光
耐磨性相对弱于
学器件、触控屏
石英玻璃，成本相
和电路板制造等
对较低，主要用于
领域。
中低精度掩模版。
公司半导体掩模版的生产主要包括 BIM 二元掩模和 PSM 相移掩模两种工艺，
具体的生产工艺流程如下：
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（1）BIM 二元掩模
BIM 二元掩模的工艺流程图如下所示：
注：1、上述工艺流程图仅包含半导体掩模版的关键生产流程，不代表全部工序；2、光
刻的前制程指光刻环节，后制程指光刻后的显影、蚀刻、脱膜等环节。
书发送给公司。
版图进行数据分层、实体处理、逻辑运算、OPC 等处理，并对处理过的版图数
据进行数据检查和 JDV（制版图形的在线检查）确认，最后按照相应的工艺参数
将文件格式转换为掩模版光刻设备专用的数据形式。
版制造通常采用正性光刻胶，通过曝光作用使目标区域的光刻胶内部发生交联反
应，从而进行图像转移。
下，经过曝光区域的光刻胶会溶解，而未曝光区域则会保留并继续保护遮光膜层。
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刻胶保护的区域会发生化学反应，而有光刻胶保护的区域的遮光膜则会保留。
胶。
位置精度（Registration）、套刻精度（Overlay）等关键参数进行测量，判定尺寸
的准确程度。
测掩模版制版过程产生的缺陷并记录坐标及相关信息。
生产过程产生的瑕疵（Defect）、微粒（Particle）等缺陷。
降低下游客户制造过程中微粒造成的不良率。
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（2）PSM 相移掩模
PSM 相移掩模的工艺流程图如下所示：
注：上述工艺流程图仅包含半导体掩模版的关键生产流程，不代表全部工序。
PSM 相移掩模的工艺流程同样包含 CAM、光刻、检测三大环节，但是各个
环节均有升级，如在 CAM 环节，由于相移掩模版涉及遮光层和相移层的二次光
刻，因此需要对遮光层、相移层两层图形数据进行逻辑运算与版图数据处理，同
时需要对两层版图的数据加入 OPC 补偿；在光刻环节，由于第一次曝光由电子
束光刻进行，因此需要对电子束光刻机进行光刻制程管控与曝光精细化控制，同
时由于涉及二次光刻，需要二次光刻胶涂布与烘烤；在检测环节，由于 PSM 掩
模版涉及了能够部分透光的相移材料，相移层的厚度、透光率、相位角等参数会
对下游晶圆光刻的精确度产生显著影响，因此需要在传统二元掩模版检测技术的
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基础上，增加相位角检测、相移层检测等环节。
（三）与发行人业务相关的主要固定资产和无形资产
截至 2025 年 12 月 31 日，公司固定资产情况如下：
单位：万元
类别 固定资产原值 累计折旧 减值准备 固定资产净值 成新率
房屋及建筑物 15,158.03 338.25 - 14,819.78 97.77%
机器设备 57,166.05 8,585.36 - 48,580.69 84.98%
电子设备 448.68 208.62 - 240.06 53.50%
运输设备 34.53 24.60 - 9.93 28.76%
其他设备 457.80 281.27 - 176.53 38.56%
合 计 73,265.09 9,438.10 - 63,826.99 87.12%
（1）土地使用权
截至 2026 年 3 月 31 日，公司及其子公司拥有的土地使用权情况如下：
权利 权利 他项
序号 产权证号 坐落地 用途 面积（m2） 终止日期
人 性质 权利
珠海市高新
粤（2022）
区金鼎片区
珠海 珠海市不动 工业
龙图 产权第 用地
东、金瑞二
路北侧
（2）商标
截至 2026 年 3 月 31 日，公司及其子公司拥有的境内注册商标专用权 4 项，
如下所示：
取得 他项
序号 注册人 商标图案 注册号 使用类别 有效期限至
方式 权利
原始
取得
原始
取得
原始
取得
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取得 他项
序号 注册人 商标图案 注册号 使用类别 有效期限至
方式 权利
取得
（3）专利
截至 2026 年 3 月 31 日，公司已取得 67 项专利，其中发明专利 29 项，具体
参见“附表一、专利情况”。
（4）计算机软件著作权
截至 2026 年 3 月 31 日，公司及其子公司拥有的计算机软件著作权共 41 项，
具体参见“附表二、软件著作权情况”。
（四）重大资产重组情况
报告期内，发行人不存在重大资产重组情形。
（五）发行人境外经营情况
截至本募集说明书签署日，发行人不存在境外经营的情况。
七、截至最近一期末，不存在金额较大的财务性投资的基本情况
（一）财务性投资及类金融业务的认定标准
根据《注册管理办法》规定，申请向特定对象发行证券，除金融类企业外，
最近一期末不存在金额较大的财务性投资。根据《证券期货法律适用意见第 18
号》规定，（1）财务性投资包括但不限于：投资类金融业务；非金融企业投资
金融业务（不包括投资前后持股比例未增加的对集团财务公司的投资）；与公司
主营业务无关的股权投资；投资产业基金、并购基金；拆借资金；委托贷款；购
买收益波动大且风险较高的金融产品等。（2）金额较大是指公司已持有和拟持
有的财务性投资金额超过公司合并报表归属于母公司净资产的百分之三十（不包
括对合并报表范围内的类金融业务的投资金额）。
关于类金融业务，根据《监管规则适用指引——发行类第 7 号》，除人民银
行、银保监会、证监会批准从事金融业务的持牌机构外，其他从事金融活动的机
构为类金融机构。类金融业务包括但不限于：融资租赁、融资担保、商业保理、
典当及小额贷款等业务。与公司主营业务发展密切相关，符合业态所需、行业发
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展惯例及产业政策的融资租赁、商业保理及供应链金融，暂不纳入类金融计算口
径。
（二）截至最近一期末，公司不存在金额较大的财务性投资
截至 2025 年 12 月 31 日，公司财务报表中可能涉及财务性投资（包括类金
融业务的投资）的主要科目及具体情况如下：
单位：万元
项目 金额 占合并报表归属于母公司净资产
交易性金融资产 6,014.50 4.96%
其他应收款 43.28 0.04%
其他流动资产 14,352.07 11.84%
其他非流动资产 13,169.88 10.87%
截至 2025 年 12 月 31 日，公司交易性金融资产账面价值为 6,014.50 万元，
具体构成情况如下：
单位：万元
项目 截至 2025.12.31 账面价值
债务工具投资 6,014.50
合计 6,014.50
截至 2025 年 12 月 31 日，公司债务工具投资金额为 6,014.50 万元，具体情
况如下：
单位：万元
受托方 产品名称 收益类型 本金 起始日 到期日 年化收益率
申万宏源证券
有限公司龙鼎
保本浮动收
申万宏源 金牛定制 3056 3,000.00 2025/11/18 2026/2/24 1.55%
益型
期（98 天）收
益凭证
信银理财安盈
象固收稳益封
中信银行 浮动收益型 3,000.00 2025/11/04 2026/02/04 1.95%
闭式 205 号理
财产品
合计 - - 6,000.00 - - -
公司购买上述理财产品主要为提高资金的使用管理效率，单个产品的投资期
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限一般不超过一年，风险较低且期限较短，因此上述投资不属于期限较长、收益
波动大且风险较高的金融产品，不属于财务性投资。
截至 2025 年 12 月 31 日，公司其他应收款账面价值为 43.28 万元，主要为
与公司经营相关的押金、备用金、保证金等，不属于财务性投资。
截至 2025 年 12 月 31 日，公司其他流动资产账面价值为 14,352.07 万元，具
体构成如下：
单位：万元
项目 2025 年 12 月 31 日
增值税留抵扣额 9,344.67
待认证进项税额 3.02
短期债权投资 5,003.78
待取得抵扣凭证的进项 0.60
合计 14,352.07
其中，增值税留抵扣额、待认证进项税额及待取得抵扣凭证的进项，不属于
财务性投资。短期债权投资是为提高资金的使用管理效率购买的风险较低的收益
凭证产品，不属于财务性投资。该产品的具体情况如下：
单位：万元
受托
产品名称 收益类型 本金 起始日 到期日 年化收益率
方
国泰海通证 券君柜
国泰
宝一号【2025】年第 固定收益型 5,000.00 2025/12/15 2026/3/16 1.70%
海通
【22】期收益凭证
截至 2025 年 12 月 31 日，公司其他非流动资产账面价值为 13,169.88 万元，
为公司预付工程及设备款，不属于财务性投资。
综上所述，截至 2025 年 12 月 31 日，公司最近一期末不存在持有金额较大
的财务性投资（包括类金融业务）情形，符合相关法律法规的要求。
自本次董事会决议日（2026 年 3 月 23 日）前六个月起至本报告出具日，发
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行人不存在如下情形：（1）投资类金融业务；（2）非金融企业投资金融业务（不
包括投资前后持股比例未增加的对集团财务公司的投资）；（3）与公司主营业
务无关的股权投资；（4）投资产业基金、并购基金；（5）拆借资金；（6）委
托贷款；（7）购买收益波动大且风险较高的金融产品等财务性投资（包括类金
融业务）情形。
八、公司科技创新水平以及保持科技创新能力的机制和措施
（一）公司科技创新水平
公司主营业务为半导体掩模版的研发、生产和销售，是国内稀缺的独立第三
方半导体掩模版厂商。公司紧跟国内半导体发展路线，不断进行技术攻关和产品
迭代，量产产品对应下游晶圆制造的工艺节点已提升至 90nm，更高节点产品已
在送样验证和规划建设中。公司掩模版产品广泛应用于信号链及电源管理 IC 等
成熟制程，以及功率器件、MEMS 传感器、先进封装等特色工艺制程。报告期
内，公司持续加大研发投入，已掌握 65nm 及以上节点半导体掩模版制作的关键
技术，形成涵盖 CAM、光刻、检测三大环节全流程的核心技术体系，技术实力
稳居行业前列。
公司是国家工信部认定的专精特新“小巨人”企业，此外还获得广东省功率
半导体芯片掩模版工程技术研究中心认定、广东省专精特新中小企业认定、国家
高新技术企业认定等。截至 2026 年 3 月 31 日，公司拥有发明专利 29 项，计算
机软件著作权 41 项。
（二）保持科技创新能力的机制或措施
公司始终坚持以技术创新为支撑，以市场需求为导向的发展策略，建立了一
套完善的研发体系及管理制度。公司设立了由董事长直接管理的研发中心，包括
新品研发组、工艺研发组、软件开发组三个小组，负责公司的技术研发和技术战
略规划。三个小组分工如下：
新品研发组主要承担与新客户、新产品有关的研发项目，结合行业技术发展
趋势和下游客户的特殊版图设计、曝光设备特点、工艺路径等具体需求，负责新
产品从立项、试生产到量产的全过程研发活动，开发满足客户需求的新产品。
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工艺研发组主要承担与掩模版制造工艺有关的研发项目，通过工艺创新、配
方优化、新材料开发、设备参数优化、模块更新替代、制程能力提升等研发活动，
推动掩模版制程节点升级换代，提高产品性能、良品率及可靠性。
软件开发组主要承担与 CAM 版图有关的研发项目，通过开发版图处理相关
软件和自动化程序，提高版图设计、检查、转换的效率和准确率，优化补偿设计，
配合新产品研发推进。
报告期内，公司坚持创新驱动，不断提升研发质量，2023 年、2024 年、2025
年，公司研发费用分别为 2,017.59 万元、2,305.07 万元和 2,737.52 万元，占营业
收入的比例分别为 9.24%、9.35%和 11.10%。高水平、持续性的研发投入为公司
保持科技创新能力提供保障。
公司持续建设并完善人才选拔、培养与使用体系，将人才培养作为公司重点
工作。一方面，公司通过校园招聘、社会招聘不断引进人才，壮大研发队伍；另
一方面，公司根据业务的需要举行各类线上/线下培训活动，同时还积极鼓励员
工参与行业协会、科研机构举办的培训与活动，对员工进行专业化培训，加速人
才的成长，为公司未来的业务发展打下基础。同时，为进一步建立、健全公司长
效激励机制，公司对员工实施了股权激励，激励范围覆盖了公司核心员工，有效
地将公司利益和员工利益进行了结合，为公司人才培养和激励提供了制度性和根
本性保障。
九、同业竞争情况
（一）公司与控股股东、实际控制人及其控制的企业之间不存在对发行人
构成重大不利影响的同业竞争
公司实际控制人为自然人柯汉奇先生、叶小龙先生和张道谷先生，上述三人
及其配偶控制的关联公司主营业务情况如下：
是否与发行人
序号 姓名 对外投资企业 投资比例 经营范围
产生同业竞争
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是否与发行人
序号 姓名 对外投资企业 投资比例 经营范围
产生同业竞争
设计有限公司 线路图、液晶显示器的设
计、开发；电子产品的设
计、开发及购销（法律、
行政法规或国务院决定规
定在登记前须经批准的项
目除外）。
一般项目：集成电路设计；
美泰莱（惠州市）
科技发展有限公司
销售代理。
国内商业、物资供销业（不
深圳市经纬通贸易
有限公司
对菲林片进行光绘加工。
张道谷 一般经营项目是：日用品、
配偶 美容护肤品、厨具用品的
专卖商品），信息咨询（不
含限制项目）
一般经营项目是：以自有
资金从事投资活动。（除
凭营业执照依法自主开展
经营活动）。
注：柯汉奇持有奇龙谷合伙 2.60%份额，并担任 GP。
由上表可知，实际控制人控制的其他企业不存在对发行人构成重大不利影响
的同业竞争。
（二）避免同业竞争的措施
为避免与发行人之间发生同业竞争，发行人实际控制人出具了《关于避免同
业竞争的承诺函》，承诺如下：
“1、确认及保证目前不存在与发行人及其控股子公司进行同业竞争的情况。
赁经营、承包经营、委托经营和拥有在其他公司或企业的股票或权益等方式）从
事与发行人及其控股子公司的业务有竞争或可能构成同业竞争的业务或活动。
会，本人或本人所控制的企业将无偿将该商业机会让给发行人及其控股子公司。
控制的企业将不与拓展的产品、业务相竞争。
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本人将向发行人及其控股子公司予以充分赔偿或补偿。
（三）独立董事关于同业竞争的意见
公司独立董事认为，公司与实际控制人及其控制的企业不存在同业竞争，公
司实际控制人经于公司首次公开发行股票并在科创板上市时出具了《关于避免同
业竞争的承诺》，目前承诺处于正常履行状态中，不存在违反承诺或损害公司利
益的情形，前述避免同业竞争的措施具有有效性，能够切实维护公司及中小股东
的利益。
十、关联交易情况
报告期内公司重大关联交易标准为：与关联自然人发生的成交金额在 30 万
元以上的关联交易，与关联法人发生的成交金额在 300 万元以上且占公司最近一
期经审计总资产绝对值 0.1%以上的关联交易，但公司单方面获得利益且不支付
对价、不附任何义务的交易除外。
报告期内，除向关键管理人员支付报酬外，存在如下关联交易：
（一）一般关联交易
单位：万元
交易
关联方 关联交易内容 2025 年度 2024 年度 2023 年度
性质
深圳市兴美科电脑设
采购 加工服务 - - 0.14
计有限公司
上述关联采购系正常的商业行为且交易金额较低，对发行人生产经营不构成
重大影响。
担保的主债权
被担保方/ 担保协议签 担保
序号 债权人 担保方 本金金额
借款方 署日 方式
（万元）
圣佐治建筑新材料 保证
（深圳）有限公司 担保
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担保的主债权
被担保方/ 担保协议签 担保
序号 债权人 担保方 本金金额
借款方 署日 方式
（万元）
圣佐治建筑新材料 保证
（深圳）有限公司 担保
注：均系为公司与圣佐治建筑新材料（深圳）有限公司签署的《厂房租赁合同》中发行
人的合同义务提供的担保。
（二）偶发性关联交易
报告期内，实际控制人叶小龙存在代扣代缴个人所得税事项，具体情况如下：
向公司支付税款 向公司支付税
关联方 缴纳日期 金额（万元）
日期 款资金来源
叶小龙 2023 年 7 月 75.10 2023 年 7 月 自有资金
发行人上述个人所得税缴纳事项已由发行人 2023 年第二次临时股东大会审
议通过，独立董事亦发表独立意见，公司已履行了相应的内部审议程序。经发行
人股东大会的审批，在实际代缴前实际控制人叶小龙将应缴纳的个税 75.10 万元
提前支付予发行人，由发行人代扣代缴。上述关联交易不存在占用发行人资金的
情况，亦不存在损害发行人其他股东利益的情形，交易内容具有真实性及合理性。
（三）关联交易对经营成果的影响
报告期内，公司关联采购金额极小且因正常生产经营产生。公司关联担保系
实际控制人对公司厂房租赁提供的保证担保，有力地支持了公司的发展。公司偶
发性关联交易系发行人为叶小龙代扣代缴个税所产生，具有真实性和合理性。
公司拥有独立、完整的业务经营体系，公司通过制订《公司章程》《关联交
易决策制度》等制度，对关联交易的决策权力和程序作出了严格的规定，减少和
规范关联交易。公司在未来业务发展过程中，也将首先考虑业务发展的独立性，
避免与关联方发生新的关联交易。对于正常的、不可避免的且有利于公司发展的
关联交易，公司将遵循公开、公平、公正的市场原则，严格按照有关法律、法规、
规范性文件及《公司章程》等有关规定履行决策程序，确保交易价格公允，并充
分、及时地披露。
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为规范和减少关联交易，发行人实际控制人、持有发行人 5%以上股东以及
发行人的董事和高级管理人员出具了《关于规范和减少关联交易的承诺函》，承
诺如下：
“1、本人已按照相关法律法规及规范性文件的要求对关联方及关联交易进
行了完整的披露，除本次发行文件中已披露的关联交易外，不存在其他应披露而
未披露的关联交易。
与公司之间发生关联交易事项，对于确有必要且不可避免的关联业务往来或交易，
将在平等和自愿的基础上，按照公平、公允和等价有偿的原则进行，交易价格将
按照市场公认的合理价格确定。
联交易均将按照公司关联交易决策程序进行，并将履行合法程序，及时对关联交
易事项进行信息披露。
来损害公司及其他股东的利益。
控制人/董事/监事/高级管理人员/持股 5%以上股东。如违反上述承诺导致公司及
其子公司或者其他股东遭受损失的，本人将承担相应的赔偿责任。”
（四）发行人关联交易履行的决策程序
报告期内，公司的关联交易均严格履行了《公司章程》、《关联交易决策制
度》等有关制度的规定，不存在损害中小股东利益的情形。公司独立董事已就报
告期内需要独立董事发表意见的关联交易出具了相关意见，认为具备必要性、合
理性和公允性。
十一、本次发行不存在违法行为、资本市场失信惩戒相关情形
截至本募集说明书签署日，发行人及其董事和高级管理人员及发行人实际控
制人不存在下列情形：
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一年受到证券交易所公开谴责；
侦查或者涉嫌违法违规正在被中国证监会立案调查；
投资者合法权益的重大违法行为；
违法行为。
十二、发展战略与业务发展目标
“深耕特色工艺，突破高端制程”是公司的重要发展规划。公司将坚定不移
地聚焦于高端半导体掩模版领域，以国家半导体产业发展战略为指引，围绕“技
术突破、产能释放、市场深耕、供应链自主”四大核心，系统规划未来路径，夯
实长期发展的基石。
公司将以技术驱动产品结构升级，并以珠海高端制造基地为支点实现营业收
入增长。在技术上，公司将快速推进 65nm PSM 掩模版的量产交付，完成 40nm
节点的工艺开发，并同步启动 28nm 等更先进制程的研发储备，持续巩固在 OPC、
电子束光刻、PSM 等关键工艺上的竞争力。在运营上，珠海工厂的产能爬坡与
二期建设是可持续增长的核心保障，通过提升产能利用率、优化产品结构，公司
将有效摊薄成本、改善盈利，形成“技术-产能-效益”的良性循环。
公司将聚焦于重点客户，积极推进产品送样验证，不断深化与客户之间的合
作关系，满足客户对于产品类型、品质、交期和服务的全方位需求，深化国产替
代，构建更具韧性的产品组合。公司将通过技术升级与深度服务，实施“双轮驱
动”市场策略：一方面巩固在功率半导体、先进封装等优势领域的份额，另一方
面将 90nm/65nm 等高端产品导入 MCU、CIS、射频、存储等高价值赛道，深化
与国内龙头晶圆厂的深度协同。在供应链上，公司将积极推动关键原材料的国产
化替代与工艺创新，系统性提升供应链安全与成本竞争力。
十三、诉讼、仲裁事项
因珠海龙图与广东宏建建设工程有限公司就施工合同竣工结算款项产生纠
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纷，广东宏建建设工程有限公司向法院申请了财产保全措施，冻结了公司部分资
金。截至本募集说明书出具日，相关资金已解冻，公司及珠海龙图尚未收到相关
正式法律文书。
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第二章 本次证券发行概要
一、本次向特定对象发行的背景和目的
（一）本次向特定对象发行股票的背景
半导体产业作为现代信息技术产业发展的核心，是支撑国民经济发展、改变
人类生产生活方式、保障国家安全的战略性、基础性、先导性产业。掩模版作为
芯片制造的核心关键材料，其国产替代进程已成为保障产业链安全的核心议题。
当前，我国半导体掩模版行业正处于高速发展期，130nm 及以上成熟制程掩
模版国产化率水平已经相对较高，65~130nm 制程节点正稳步推进，但 40nm-28nm
高端制程领域仍由境外厂商主导，日本科盛德、美国 Photronics、日本 DNP 三家
企业在国内第三方市场处于基本垄断地位。在此形势下，自主掌控光掩模版供应
链，降低对外部供应商的依赖，是保障我国半导体产业安全的必然选择。公司本
次募投项目拟投向 40nm-28nm 高端制程半导体掩模版产线建设，随着本次募投
项目的实施落地，能够有效填补国内高端半导体掩模版的市场缺口，打破境外垄
断，推动我国半导体产业链的协同发展，加速半导体材料的国产化进程。
当前我国 40nm-28nm 制程掩模版市场呈现“高需求、低供给”特征。随着
近年来 AI 应用、新能源汽车、智能驾驶、具身智能等行业蓬勃发展，带来了对
驱动芯片、电源管理芯片、MCU、存储芯片、射频芯片、传感器芯片等产品的
大量需求，国内主要大型晶圆厂均纷纷扩产。根据相关上市公司公告、行业公开
资料、行业研究报告，中芯国际、华虹半导体、晶合集成、士兰微、燕东微、华
润微、粤芯半导体、积塔半导体、武汉新芯等多家晶圆制造厂商已启动或规划启
动包括 40nm-28nm 制程节点在内的 12 寸线晶圆扩产计划，预计合计新增 12 寸
晶圆产能超 80 万片/月，将释放大量的 40nm-28nm 制程节点半导体掩模版需求。
当前我国 40nm-28nm 制程半导体掩模版仍主要依赖向美、日进口，在上述
晶圆厂扩产及设备材料自主化需求驱动下，国产替代空间十分广阔。国内掩模版
企业亟需抓住当前市场机遇，不断加大研发投入，提升技术水平与制程能力，逐
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步打破国际垄断，实现市场份额与营业规模的跨越式进步。
国家相关支持政策明确了半导体行业在国民经济中的战略地位。掩模版作为
半导体产业的上游核心材料，技术壁垒高，国内自产率低，长期依赖国外进口，
在当前贸易摩擦、技术封锁的国际形势下，半导体掩模版是国家政策大力支持的
方向。2020 年国务院发布《新时期促进集成电路产业高质量发展政策》，明确
将掩模版等关键材料列为重点突破方向；2021 年《中华人民共和国国民经济和
社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》中，掩模版作为半导体制
造的关键材料被纳入重点支持范围；2024 年工信部出台《重点新材料首批次应
业”中的关键基础材料；掩模版被《国家发展改革委等部门关于做好 2025 年享
受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作的通知》列为关
键零配件，享受税收优惠政策。
上述一系列政策和法规的发布和落实，从财政、税收、技术、人才、知识产
权等多个角度对半导体产业及其关键材料给予了政策支持，为掩模版行业及其上
下游行业创造了良好的经营环境，有力地推动了我国半导体掩模版行业的发展。
（二）本次向特定对象发行股票的目的
“深耕特色工艺，突破高端制程 ”是公司前期确立的重要发展规划。
保持行业地位、巩固市场竞争力的必经之路。目前公司已实现 90nm 制程节点产
品的量产出货，65nm 产品也已开始送样验证，随着中国大陆半导体产业的快速
发展，晶圆制造制程节点不断提升，公司需要提前布局更高制程节点产品才能保
持自身技术进步与产品领先，才能满足境内晶圆制造厂商的日益增长的光罩需求。
公司在首次公开发行相关文件中曾明确表示：“公司秉承‘小步快跑，稳步
提升’的发展策略，在已实现 130nm 制程节点量产的基础上，开展 130-65nm 工
艺节点的产业化建设，并根据首期募投项目的落地及达产情况，后续针对更高制
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程节点继续加大资本投入与研发投入，以实现制程节点和工艺节点的稳步提升。
同时，发行人同期建设高端半导体芯片掩模版研发中心项目，开展 65nm 及以下
制程节点的掩模版的产业化研究，为发行人未来 65nm 及以下制程节点的突破开
展前沿探索”。公司本次募投项目布局 40nm-28nm 制程产品，是技术迭代的稳
健提升，是聚焦主业、服务国家战略性产业升级的重要举措。
公司本次募投项目产品 40nm-28nm 制程节点半导体掩模版存在大量的市场
需求，新增产能未来能够有效提升公司收入规模，同时 40nm-28nm 制程的布局
能够有效带动公司现有 65nm 及以上制程产品的销售。
本次募投项目布局更高制程的产品，不仅新增产线能够提升经营规模，而且
能够通过技术能力的溢出效应形成产品迭代与客户需求的共振，进一步巩固市场
地位并提升客户粘性，有助于公司扩大经营规模、提升持续经营能力，进一步提
高行业地位。
半导体掩模版作为芯片制造的核心关键材料，其国产替代进程已成为保障产
业链安全的核心议题。当前，130nm 及以上制程掩模版国产化率水平已经较高，
但 40nm-28nm 制程领域仍由境外厂商主导，其在国内第三方市场处于基本垄断
地位。
在此形势下，自主掌控光掩模版供应链，降低对外部供应商的依赖，是保障
我国半导体产业安全的必然选择。通过公司本次募投项目的实施，能够有效填补
国内高端光掩模版的市场缺口，推动我国半导体产业链的协同发展，加速半导体
材料的国产化进程，为我国集成电路产业的高质量发展提供坚实支撑。
二、发行对象及其与公司的关系
本次向特定对象发行股票的对象为符合中国证监会规定条件的证券投资基
金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、保险公司、合格境外机构投资者，
以及符合法律法规规定的其他法人、自然人或其他合格的投资者等不超过 35 名
（含）的特定投资者。
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截至本募集说明书签署日，公司本次发行尚无确定的发行对象，因而无法确
定发行对象与公司的关系。发行对象与公司之间的关系将在发行结束后公告的
《向特定对象发行股票发行情况报告书》中披露。
三、本次发行方案概要
（一）本次发行股票的种类和面值
本次向特定对象发行股票的股票种类为境内上市的人民币普通股（A 股），
每股面值为 1.00 元。
（二）发行时间和发行方式
本次发行全部采用向特定对象发行 A 股股票的方式进行，将在通过上交所
审核并获得中国证监会同意注册的批复后，在有效期内择机向特定对象发行股票。
（三）发行对象及认购方式
本次向特定对象发行股票的发行对象为不超过三十五名（含三十五名）特定
投资者，包括符合中国证监会规定条件的证券投资基金管理公司、证券公司、信
托公司、财务公司、保险机构投资者、合格境外机构投资者、人民币合格境外机
构投资者以及其他符合相关法律、法规规定条件的法人、自然人或其他机构投资
者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外
机构投资者以其管理的二只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托公司作为
发行对象的，只能以自有资金认购。
最终发行对象由公司董事会及其授权人士根据股东会授权，在公司取得中国
证监会对本次发行予以注册的决定后，与保荐机构（主承销商）按照相关法律、
法规和规范性文件的规定及本次发行申购报价情况，遵照价格优先等原则协商确
定。若国家法律、法规及规范性文件对本次发行对象有新的规定，公司将按新的
规定进行调整。
所有发行对象均以人民币现金方式并以同一价格认购公司本次发行的股票。
（四）定价基准日、发行价格及定价原则
本次向特定对象发行股票采取竞价发行方式，本次向特定对象发行股票的定
价基准日为发行期首日。本次发行价格不低于定价基准日前 20 个交易日公司 A
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股股票交易均价的 80%。定价基准日前 20 个交易日公司 A 股股票交易均价=定
价基准日前 20 个交易日公司 A 股股票交易总额÷定价基准日前 20 个交易日公
司 A 股股票。
若公司股票在定价基准日至发行日期间发生因派息、送股、资本公积转增股
本等除权、除息事项引起股价调整的情形，则对调整前交易日的交易价格按经过
相应除权、除息调整后的价格计算。调整方式如下：
派发现金股利：P1=P0-D
送红股或转增股本：P1=P0÷（1+N）
派发现金同时送红股或转增股本：P1=（P0-D）÷（1+N）
其中，P0 为调整前发行底价，D 为每股派发现金股利，N 为每股送股数或
转增股本数，调整后发行底价为 P1。
最终发行价格将在公司获得上交所审核通过并经中国证监会作出同意注册
决定后，由公司董事会或其授权人士在股东会的授权范围内，根据发行对象申购
报价的情况，以竞价方式遵照价格优先等原则与保荐机构（主承销商）协商确定，
但不低于前述发行底价。
（五）发行数量
本次向特定对象发行股票的股票数量按照募集资金总额除以发行价格确定，
同时本次发行股票的数量不超过发行前公司总股本扣除回购专用证券账户持有
的股份后的股本总额的 30%，即本次发行的股票数量不超过 40,050,000 股（含本
数），最终发行数量上限以中国证监会同意注册的发行数量上限为准。在前述范
围内，最终发行数量由董事会或其授权人士根据股东会的授权结合最终发行价格
与保荐机构（主承销商）协商确定。
若公司股票在定价基准日至发行日期间有送股、资本公积金转增股本、新增
或回购注销股票等事项导致公司总股本发生变化的，则本次发行数量上限将进行
相应调整。
若国家法律、法规及规范性文件、监管政策变化或根据发行注册文件要求调
整的，则本次发行的股票数量届时相应调整。
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（六）股票限售期
本次向特定对象发行股票的发行对象认购的 A 股股票，自本次向特定对象
发行股票结束之日起 6 个月内不得转让。法律法规、规范性文件对限售期另有规
定的，依其规定。
本次发行完成后，发行对象基于本次发行所取得的股票，因公司分配股票股
利、资本公积金转增股本等情形所衍生取得的股票亦应遵守上述限售期的安排。
发行对象基于本次发行所取得的股票在限售期届满后减持还需遵守相关法
律、法规、规范性文件以及上交所、中国证监会的相关规定。
（七）募集资金用途及数额
公司本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过 146,000.00 万元（含本
数），扣除发行费用后的净额将全部用于以下项目：
单位：万元
序号 项目名称 投资总额 拟使用募集资金
合计 195,436.81 146,000.00
募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自有或自
筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行
费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自有或
自筹资金解决。
（八）公司滚存未分配利润的安排
本次向特定对象发行股票前公司滚存的未分配利润，由本次向特定对象发行
股票完成后的新老股东按照本次发行后的股份比例共享或承担。
（九）上市地点
本次发行的股票将在上交所科创板上市交易。
（十）决议有效期
本次发行决议的有效期为十二个月，自股东会审议通过之日起计算。
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四、本次发行是否构成关联交易
截至本募集说明书签署日，公司本次向特定对象发行股票尚未确定发行对象，
因而无法确认发行对象与公司之间的关系。本次发行过程中，公司将针对构成关
联交易的认购对象，严格按照有关法律法规要求及公司内部规定履行关联交易审
批程序，并在《发行情况报告书》中予以披露。
五、本次发行不会导致公司控制权发生变化
柯汉奇、叶小龙、张道谷签署了《一致行动协议》，约定各方在行使股东权
利时采取一致行动，截至本募集说明书公告日，柯汉奇、叶小龙、张道谷分别直
接持有公司 19.75%、19.75%、14.67%股权，柯汉奇通过深圳市奇龙谷投资合伙
企业（有限合伙）控制公司 2.82％股权，三人合计控制公司 56.99%股权，上述
三方为公司的共同实际控制人。
以本次发行股票数量上限 40,050,000 股计算，本次发行完成后，公司总股本
数量将变更为 173,550,000 股，柯汉奇、叶小龙、张道谷三人合计控制公司股份
的比例将变更为 43.84%。本次发行后，公司的实际控制人仍为柯汉奇、叶小龙、
张道谷，本次发行不会导致公司控制权发生变化。
六、本次发行不会导致公司股权分布不具备上市条件
本次向特定对象发行股票完成后，不会导致公司股权分布不具备上市条件。
七、本次发行方案已经取得批准的情况以及尚需呈报批准的程序
本次向特定对象发行的方案及相关事项已经公司第二届董事会第五次会议、
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第三章 董事会关于本次募集资金运用的可行性分析
一、本次募集资金使用计划
本次向特定对象发行股票募集资金不超过 146,000.00 万元（含本数），投向
科创领域，扣除发行费用后的净额全部用于以下项目：
单位：万元
序号 项目名称 投资总额 拟使用募集资金
合计 195,436.81 146,000.00
募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自有或自
筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行
费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自有或
自筹资金解决。
公司前次募集资金（首次公开发行股票并在科创板上市的募集资金）于 2024
年 8 月到位，距离本次再融资预案董事会决议日（2026 年 3 月 23 日）已超过十
八个月。根据《证券期货法律适用意见第 18 号》的规定，“上市公司申请增发、
配股、非公开发行股票的，本次发行董事会决议日距离前次募集资金到位日原则
上不得少于十八个月。前次募集资金基本使用完毕或募集资金投向未发生变更且
按计划投入的，可不受上述限制，但相应间隔原则上不得少于六个月。前次募集
资金包括首发、增发、配股、向特定对象发行股票。上市公司发行可转债、优先
股、发行股份购买资产并配套募集资金和适用简易程序的，不适用上述规定”，
公司满足《证券期货法律适用意见第 18 号》对融资间隔期的要求。
二、本次募集资金投资项目的基本情况
（一）项目基本情况
本次募集资金将全部投入于 40nm-28nm 半导体掩模版生产线建设项目（以
下简称“本项目”）。本项目建设单位为公司全资子公司珠海市龙图光罩科技有
限公司，项目拟投资 195,436.81 万元，用于建设厂房及其他配套设施，并购置先
进的电子束光刻机、干法蚀刻机、无酸清洗设备、高端量检测设备、模拟曝光设
备和高端修补设备等。项目建设周期为 36 个月，项目拟通过建立高端半导体掩
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模版生产线，实现 40nm-28nm 工艺节点半导体掩模版的量产。本项目建成达产
后，公司将新增每年稳定产出 15,000 片半导体掩模版；在产品结构上，除现有
的二元掩模版和相移掩模版外，增加更高制程的 KrF-PSM、ArF-PSM 以及 OMOG
掩模版产品，更好地满足客户需求。
项目实施后，公司预计能够填补我国 40nm-28nm 制程节点半导体掩模版的
市场缺口，技术实力将进一步提升，产品研发速度进一步加快，研发成果转换率
进一步提高。本项目的实施与落地，将显著提升公司的技术实力与经营规模，公
司综合实力将得到大幅增强。
（二）项目建设的必要性
“深耕特色工艺，突破高端制程 ”是公司前期确立的重要发展规划。
保持行业地位、巩固市场竞争力的必经之路。目前公司已实现 90nm 制程节点产
品的量产出货，65nm 产品也已开始送样验证。随着中国大陆半导体产业的快速
发展，晶圆制造制程节点不断提升，公司需要提前布局更高制程节点产品才能保
持自身技术进步与产品领先，才能满足境内晶圆制造厂商的日益增长的光罩需求。
公司在首次公开发行相关文件中曾明确表示：“公司秉承‘小步快跑，稳步
提升’的发展策略，在已实现 130nm 制程节点量产的基础上，开展 130-65nm 工
艺节点的产业化建设，并根据首期募投项目的落地及达产情况，后续针对更高制
程节点继续加大资本投入与研发投入，以实现制程节点和工艺节点的稳步提升。
同时，发行人同期建设高端半导体芯片掩模版研发中心项目，开展 65nm 及以下
制程节点的掩模版的产业化研究，为发行人未来 65nm 及以下制程节点的突破开
展前沿探索”。公司本次募投项目布局 40nm-28nm 制程产品，是技术迭代的稳
健提升，是聚焦主业、服务国家战略性产业升级的重要举措。
局看，第三方掩模版市场普遍以 28nm 为重要分界线：一方面，在 28nm 以下的
先进制程领域，由于境外掩模版厂商具有先发优势和产业链集群优势，同时中国
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大陆半导体行业受贸易制裁、出口管制等多因素影响，当前国内能够自主量产
垒，是当前我国第三方掩模版企业构建差异化竞争优势、巩固市场地位的关键路
径，亦是其持续保持技术引领力的必然要求。
当前，境内半导体产业正处于技术升级与市场扩张的关键阶段，半导体掩模
版也呈现出竞争加剧的形势。从下游客户需求看，越高制程的掩模版市场呈现客
户集中度越高的特征。由于高端制程掩模版对供应链稳定性要求越严苛，头部客
户为保障供应安全，通常与具备较强技术实力的掩模版厂商建立战略合作关系，
晶圆厂与掩模厂形成了较强的合作粘性。掩模版厂商的制程能力越高，能够合作
的客户数量就越多、规模就越大，反之亦然。
从市场竞争格局看，目前 130nm 以上掩模版产品目前已经进入国产替代后
期，竞争开始显现，相关市场规模难以再继续保持快速增长；130nm~65nm 掩模
版产品则处于国产替代快速推进阶段，下游客户相对集中，境内光罩厂商处于送
样验证或批量供货状态；40nm~28nm 则处于国产替代初期，国内光罩厂尚处于
布局阶段，因该制程区间对晶圆厂的投资强度和技术能力要求极高，因此客户高
度集中，提前布局才能在国产替代中取得先发优势。
在上述背景下，若公司未能及时跟进 40nm-28nm 制程的产能布局与技术落
地，将面临市场竞争格局重塑中的被动局面：不仅可能错失境内 40nm-28nm 制
程掩模版市场的国产替代增量机遇，亦可能因技术迭代滞后导致现有客户合作关
系的潜在流失。因此，在当前时点布局 40nm-28nm 制程产品是公司巩固行业地
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位、保持市场竞争力的必然选择，只有保持技术进步与产品领先，才能不被高速
发展的市场所淘汰。公司本次募投项目具有必要性、紧迫性。
（1）40nm-28nm 制程的半导体掩模版存在大量的市场需求，新增产能未来
能够有效提升公司收入规模
近年来 AI 应用、新能源汽车、智能驾驶、具身智能等行业蓬勃发展，产生
了对存储芯片、驱动芯片、电源管理芯片、MCU、传感器、射频芯片等产品的
巨大需求，国内主要大型晶圆厂均纷纷扩产，其产能主要聚焦于 28nm 及以上成
熟制程。因此，国内晶圆厂对 40nm-28nm 制程节点半导体掩模版需求将大幅增
加，然而在这一制程领域半导体掩模版国产化率极低，长期依赖境外进口。
本项目投产后，公司将能够提供 40nm-28nm 制程范围的 KrF-PSM、ArF-PSM
以及 OMOG 掩模版产品，上述产品具有较高的技术难度和经济附加值。因此，
公司本次募投项目新增的 40nm-28nm 制程半导体掩模版产能可以填补当前国内
市场缺口，满足客户需求，并有效提升公司收入规模。
（2）40nm-28nm 制程的布局能够有效提升公司现有 65nm 及以上制程产品
的收入规模
随着芯片制程水平的不断提升，芯片最小线宽进入 90nm、65nm、40nm 乃
至 28nm 时，晶圆制造的设备配置、技术工艺全面升级，原料成本、工艺控制难
度显著增加，晶圆制造成本呈指数级提升，晶圆制造厂商的集中度也越高。半导
体掩模版作为晶圆厂晶圆光刻的模具，直接决定了晶圆光刻的质量，对芯片的性
能与良率至关重要。在上述背景下，随着芯片制程水平的不断提升，晶圆厂客户
的集中度也越高、客户规模也越大，这些厂商对掩模版产品品质的把控标准更为
严苛，对掩模版供应商的技术实力、产品稳定性提出了更高的要求。
在此背景下，上述晶圆厂客户在遴选供应商时，将企业是否具备更高制程产
品的设备配置与技术能力作为核心评估维度之一——具备满足更高制程要求的
设备与工艺水平，意味着能够实现向下兼容的技术延展性，即具备更高的“技术
冗余”，并能够满足客户后续发展配套需要。光罩供应商的最高制程能力，是向
客户充分彰显技术实力的关键体现。
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此外，由于半导体器件和结构是通过生产工艺一层一层累计叠加形成的，晶
圆需要前后经过多个掩模版曝光才能形成完整电路，因此每一个芯片的生产都需
要一整套掩模版，数量通常在几十片甚至上百片不等。掩模版厂商向下游客户销
售掩模版时，通常是成套出售，其中一套掩模版中的制程节点各不相同，仅有少
数的关键层会使用最高的制程，其余非关键层出于成本考量，通常使用相对较低
的制程。因此，公司本次募投项目扩展 40nm-28nm 更高制程节点后，未来新增
因此，公司本次 40nm-28nm 掩模版产线的布局，不仅满足市场需求，新增
拓展能力，带动现有产线订单需求的提升，有力推动 130nm-65nm 制程产品由量
产向商业化的进程。公司对更高制程产品的布局，能够通过技术能力的溢出效应
形成产品迭代与客户需求的共振，进一步巩固市场地位并提升客户粘性，有助于
公司扩大经营规模、提升持续经营能力。
资突破资金瓶颈
备精度与工艺控制能力提出了更高要求，高端生产设备是该制程掩模版产线拉通
的基础及关键条件。与 130nm-65nm 制程相比，40nm-28nm 制程半导体掩模版设
备投入金额更大，对资本投入的需求更高，需配备高端电子束光刻机、干法刻蚀
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机及量检测设备、修补设备等核心装备，单台设备采购成本是 130nm 制程的数
倍。
公司于 2024 年 8 月首次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市，募
集资金净额为 55,346.25 万元，募集资金已经全部投入前次募投项目的建设中，
前次募投项目仅能实现最高 65nm 制程能力的覆盖。当前公司通过自有资金及经
营积累已难以覆盖该等高强度资本开支，亟需通过资本市场融资解决资金需求。
前布局的必要性
掩模版作为半导体制造的核心关键材料，其生产设备采购具有技术门槛高、
供应商集中、交付周期长等显著特征。以核心设备电子束光刻机为例，当前全球
仅日本 JEOL、NuFlare 等少数厂商具备生产能力，单台设备采购周期长达 12-18
个月，且需提前支付 30%-50%预付款锁定产能，而设备到位后还需进行设备安
装和工艺调试，整体周期超过 2 年。若设备采购滞后，将直接导致客户订单交付
延迟，丧失市场先机。
掩模版作为下游晶圆厂光刻环节极其重要的设计图案转移工具，是晶圆制造
光刻环节不可或缺的光学模具，对晶圆制造和芯片产品的良率和品质影响巨大。
因此，下游晶圆制造厂商对掩模版厂的要求较为严格，一般情况下，晶圆制造厂
商对掩模版工厂的验证和供应商评估期在 18 至 24 个月甚至更长。并且，相较于
度更大，验证流程更为苛刻与复杂，若验证过程中涉及工艺调整则耗时更久。
综上，40nm-28nm 制程掩模版的设备购置与调试、产品研发与客户验证周
期均较长，提前启动设备采购既是技术升级的必然要求，更是把握产业升级窗口
期的战略选择。公司在当前 90nm-65nm 产品实现量产的窗口期，提前布局
（三）项目实施的可行性
半导体掩模版作为芯片制造的核心关键材料，其国产替代进程已成为保障产
业链安全的核心议题。当前，130nm 及以上制程掩模版国产化率水平已经较高，
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但 40nm-28nm 制程领域仍由境外厂商主导，日本科盛德、美国 Photronics、日本
DNP 三家企业在国内第三方市场处于基本垄断地位。在此形势下，自主掌控光
掩模版供应链，降低对外部供应商的依赖，是保障我国半导体产业安全的必然选
择。通过公司本次募投项目的实施，能够有效填补国内高端光掩模版的市场缺口，
推动我国半导体产业链的协同发展，加速半导体材料的国产化进程，为我国集成
电路产业的高质量发展提供坚实支撑。
同时，40nm-28nm 制程掩模版市场呈现“高需求、低供给”特征。AI 应用、
新能源汽车、智能驾驶、具身智能等终端领域对 40nm-28nm 成熟制程芯片需求
激增，国内主要大型晶圆厂均纷纷扩产。在上述晶圆厂扩产及设备材料自主化需
求驱动下，40nm-28nm 制程半导体掩模版国产替代空间十分广阔。
因此，推进 40nm-28nm 半导体掩模版国产化不仅是保障我国产业链安全的
必要举措，下游客户的大量需求也给掩模版厂商提供了良好的市场前景。在政策
支持和市场需求的双重驱动下，半导体掩模版的国产化替代进程有望加速推进，
国内掩模版企业通过不断提升技术水平和产能，能够逐步打破国际垄断，快速提
升市场份额。
承与技术创新。40nm-28nm 与 90nm-65nm 通常同样为 PSM 掩模版工艺，基本原
理一致，关键技术相通，均需要 CAM、曝光、显影、干法刻蚀、二次曝光、二
次显影、二次刻蚀、检测、量测等环节，但在数据处理、部分工艺技术、设备要
求、环境洁净度等要求更高。公司 90nm-65nm 制程节点掩模版工艺的全线拉通，
为 40nm-28nm 制程产品的研发与量产奠定了良好的技术基础。
目前公司已完成 90nm-65nm 制程节点半导体掩模版的内部研发，其中 90nm
制程节点已经实现量产，65nm 制程节点目前已开始客户送样验证。本次募投产
品是建立在现有产品基础上的技术创新。公司多年积累的半导体掩模版制版技术
与经验，以及 90nm-65nm 产品的成功研发和量产，是 40nm-28nm 掩模版实现技
术突破的重要支撑，公司本次募投项目实施具备技术可行性。
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（1）公司现有人才队伍具备丰富的半导体掩模版产品研发经验
公司的研发团队在半导体掩模版领域耕耘多年，核心研发人员具备丰富的半
导体掩模版研发经验，具有深厚的技术积累以及良好的技术转化能力，成功实现
半导体掩模版制程节点从 250nm—130nm—65nm 的研发突破与量产。公司已根
据研发人员的从业经历、专业背景、项目需要等维度，对参与 40nm-28nm 制程
半导体掩模版产品的人员范围、精力分配等做出了相应规划。
究及预研发工作，并在项目研究、产线布置、设备选型、工艺规划等方面发挥了
重要作用。除此之外，公司 CAM、光刻及检测等生产部门的负责人和核心骨干
亦积极参与新产品的技术研发与产品量产的过程中，上述人员具有超过 10 年的
掩模版行业经验，有力地支持了公司募投项目产品的研发及量产落地。
（2）公司持续加大人才引进力度，成功引进一批资深研发工程师
公司近年来持续加大研发人才引进力度，吸引了一批具有境内外光罩行业头
部企业产品研发经验的工程师，研发经历囊括了 40nm-28nm 制程半导体掩模版
产线建设、样品研发、产品量产等多个环节。上述新引进人才队伍研发经验覆盖
此外，公司还将积极完善研发人员激励机制，通过项目奖励、股权激励等多
种形式继续完善研发人员引进和队伍建设，确保外部引进人员积极融入公司文化，
为公司技术提升提供必要支持。
综上，公司现有人才队伍能够满足募投项目半导体掩模版研发需求，随着募
投项目的建设和实施，公司将继续针对性地招募对掩模版研发、制造、评估、使
用等环节较为熟悉的专业人员，进一步储备和充实公司的研发和技术队伍。
掩模版作为芯片制造的“母版”，其品质直接决定晶圆制造的良率和成本，
因此晶圆厂对供应商的认证极为严苛，呈现出“周期长、环节多、制程越高越难”
的显著特征。一般来讲，客户验证流程包含 NDA 签署、信息安全评估、技术匹
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配、流片测试等多个严苛环节，这不仅构筑了行业的高进入门槛，也形成了客户
高黏性的护城河。
国内 40nm-28nm 制程节点扩产的主要晶圆厂中，华虹半导体、士兰微、燕
东微、粤芯半导体、积塔半导体等是公司现有核心客户，已形成了多年的合作关
系。公司现有客户未来将存在大量的 40nm-28nm 制程掩模版需求，公司良好的
客户关系有助于公司快速完成客户送样验证工作，预计项目投产后可以顺利消化
相关产能。
（四）本次募集资金投资项目与公司现有业务的关系
公司主营业务为半导体掩模版的研发、生产和销售，是国内稀缺的独立第三
方半导体掩模版厂商。公司紧跟国内半导体发展路线，不断进行技术攻关和产品
迭代，目前已完成 90nm 制程节点半导体掩模版的量产，65nm 制程节点产品也
已开始送样验证。公司掩模版产品广泛应用于功率半导体、MEMS 传感器、先
进封装等特色工艺制程。
本次募集资金项目“40nm-28nm 半导体掩模版生产线建设项目”紧密围绕
公司主营业务展开，是公司现有主营业务的升级、延伸和补充，与公司现有主营
业务的发展具有较高的关联度，是公司既定的“深耕特色工艺，突破高端制程”
长期发展战略及业务布局的实施与延续。通过本次募投项目的实施，公司半导体
掩模版产品的工艺节点将提升至 28nm，可充分满足下游市场及客户需求，保持
公司技术进步与产品领先，进一步提升公司的竞争能力和盈利能力，助力公司抓
住行业高速发展及国产替代机遇。
（五）项目投资概算
本项目总投资金额为 195,436.81 万元，其中拟投入募集资金 146,000.00 万元，
其他费用以自筹资金投入，具体情况如下：
单位：万元
序号 项目费用名称 总额 占总投资比例
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序号 项目费用名称 总额 占总投资比例
项目总投资 195,436.81 100.00%
（六）项目实施周期
本项目实施周期预计为 36 个月，项目的总体进度安排见下表：
T+36
阶段/时间（月）
初步设计
装修工程
设备购置及安装
人员招聘及培训
系统调试及验证
竣工验收
该项目的募集资金将于建设期内使用完毕。公司将按照市场情况和项目实际
需求，按照募投项目相关投入计划投入募集资金。
（七）募投项目效益预测的假设条件及主要计算过程
本次募投项目内部收益率为 12.05%，投资回收期为 8.85 年（含 3 年建设期），
项目经济效益前景良好。本项目效益预测的假设条件及主要计算过程如下：
本项目产品的销量系根据项目的产能进行测算，符合公司未来产能规划。本
项目的预测产品单价系根据同类产品过往单价及市场价格确定，同时结合未来市
场情况及竞争程度的预测调整。
本次募投项目的产品成本主要包括直接材料、直接人工、制造费用。直接材
料根据当前市场近期实际价格和这些价格的变化趋势测算得出；直接人工根据本
项目人员需求及预计薪酬水平进行估算；制造费用主要包括固定资产折旧、水电
费、设备维护费、辅助材料等，其中生产设备折旧根据公司新增生产设备按照 10
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年平均折旧，残值率取 10%进行测算；其他制造费用根据公司历史水平进行测
算。
项目期间费用主要包括销售费用、管理费用、研发费用，参考公司相关费用
占收入比例的历史水平进行测算。
三、项目土地、备案及其他相关手续进展情况
珠海龙图已经获得位于珠海市高新区金鼎片区金鼎中路东、金瑞二路北侧的
国有建设用地使用权（粤 2022 珠海市不动产权第 0387195 号），将用于本项目
建设。本项目已在珠海高新区发展改革和财政金融局备案，备案编号为
四、募集资金用于扩大既有业务、拓展新业务的情形
本次募投项目“40nm-28nm 半导体掩模版生产线建设项目”是通过布局更
高制程节点产线，实现产品迭代与技术升级，强化公司的主营业务能力，属于扩
大既有业务的情形，不涉及拓展新业务。
（一）既有业务的发展概况
公司成立至今，始终致力于半导体掩模版的研发、生产与销售。公司紧跟国
内半导体发展路线，不断进行技术攻关和产品迭代，截至 2025 年末，量产产品
对应下游晶圆制造的工艺节点已提升至 90nm，更高节点产品已在送样验证和规
划建设中。公司掩模版产品广泛应用于功率半导体、MEMS 传感器、先进封装
等特色工艺制程。
公司的主要产品半导体掩模版，是集成电路制造过程中的图形转移工具或者
母版，承载着图形信息和工艺技术信息，是半导体晶圆制造的关键材料。掩模版
的作用是将承载的电路图形通过曝光的方式转移到硅晶圆等基体材料上，从而实
现集成电路的批量化生产。
公司是国家工信部认定的专精特新“小巨人”企业，此外还获得广东省功率
半导体芯片掩模版工程技术研究中心认定、广东省专精特新中小企业认定、国家
高新技术企业认定等。截至 2026 年 3 月 31 日，公司拥有发明专利 29 项，计算
机软件著作权 41 项。
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（二）扩大业务规模的必要性及新增产能规模的合理性
“深耕特色工艺，突破高端制程 ”是公司前期确立的重要发展规划。
保持行业地位、巩固市场竞争力的必经之路。目前公司已实现 90nm 制程节点产
品的量产出货，65nm 产品也已开始送样验证。随着中国大陆半导体产业的快速
发展，晶圆制造制程节点不断提升，公司需要提前布局更高制程节点产品才能保
持自身技术进步与产品领先，才能满足境内晶圆制造厂商的日益增长的光罩需求。
同时，从市场竞争格局看，目前 130nm 以上掩模版产品目前已经进入国产
替代后期，竞争开始显现，相关市场规模难以再继续保持快速增长；130nm~65nm
掩模版产品则处于国产替代快速推进阶段，下游客户相对集中，境内光罩厂商处
于送样验证或批量供货状态；40nm~28nm 则处于国产替代初期，国内光罩厂尚
处于布局阶段，因该制程区间对晶圆厂的投资强度和技术能力要求极高，因此客
户高度集中，提前布局才能在国产替代中取得先发优势。
因此，在当前时点布局 40nm-28nm 制程产品是公司巩固行业地位、保持市
场竞争力、提升经营规模的必然选择，只有保持技术进步与产品领先，才能不被
高速发展的市场所淘汰。公司本次募投项目扩大业务规模、新增产能规模具备必
要性、合理性。
五、发行人的实施能力及资金缺口的解决方式
（一）发行人的实施能力
公司在高精度半导体掩模版领域不断进行设备引进与技术攻关，针对半导体
掩模版的工艺特点，形成了多项自主研发的核心技术，包括图形补偿（OPC）技
术、精准对位标记技术、光刻制程管控技术、曝光精细化控制技术、缺陷修补与
异物去除技术等，涵盖 CAM、光刻、检测三大环节。同时公司还积极开展技术
布局与储备，自主研发掌握了电子束光刻及套刻技术及 PSM 相移掩模版相关技
术。公司已完成 90nm 制程节点半导体掩模版的量产，65nm 制程节点产品也已
开始送样验证，并进行了 40nm-28nm 的技术储备，公司技术实力及工艺能力在
国内第三方半导体掩模版厂商处于第一梯队。截至 2026 年 3 月 31 日，公司已获
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得发明专利 29 项，软件著作权 41 项。
新一代半导体掩模版产品是建立在现有产品基础上的技术创新。在过去两年
的时间里，公司已经实现了 130nm-65nm 全流程的工艺拉通，形成了一系列的技
术成果，为 40nm-28nm 掩模版的技术研发与量产奠定了良好的技术基础。公司
未来将保持高强度的研发投入，持续技术升级、优化现有设备和工艺，不断提升
公司产品的工艺节点。公司丰富的技术储备以及成熟的产业化转化能力为募集资
金投资项目的实施提供了技术基础。
经过多年发展，公司凭借扎实的技术实力、优质的服务与可靠的产品质量，
赢得下游客户的广泛认可，已与众多知名客户建立了长期稳定的合作，并形成了
优质的客户结构，客户不仅涵盖芯片制造厂商、MEMS 传感器厂商、先进封装
厂商，还包括进行基础技术研究的知名高校及科研院所。同时，下游客户对半导
体掩模版厂商要求高、认证周期长，因此，一旦与下游客户建立起合作关系，客
户轻易不会更换供应商，双方合作稳定性较高，形成较强的客户黏性。公司产品
已通过多个国内知名晶圆制造厂商的认证，如华虹半导体、芯联集成、士兰微、
立昂微、燕东微、英诺赛科、积塔半导体、三安光电、新唐科技、比亚迪半导体、
粤芯半导体、长飞先进、扬杰科技等，以上述厂商为代表的客户构成了公司优质
且稳定的客户资源。
随着 5G 通信、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展,以及汽车电子、消
费电子等传统应用领域的持续需求增长，中国半导体光罩市场将持续稳健增长。
上述背景下，40nm-28nm 制程掩模版市场呈现“高需求、低供给”特征，国内
主要大型晶圆厂均纷纷在该制程领域扩产，如华虹半导体、士兰微、燕东微、粤
芯半导体、积塔半导体等。上述均为公司现有核心客户，公司现有客户未来将存
在大量的 40nm-28nm 制程掩模版需求。公司将继续保持与下游客户深入稳定的
合作，为募集资金投资项目的顺利实施奠定坚实客户基础。
半导体掩模版高度依赖专有技术，有鲜明的“Know-How”特点。半导体掩
模版的技术研发需要技术人员懂工艺、懂技术、懂设备、懂软件，对技术人员的
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复合能力及从业经验提出了较高的要求。公司的研发团队在半导体掩模版领域耕
耘多年，具有深厚的技术积累以及良好的技术转化能力。同时，公司不断吸收和
引进人才，积极与高校、科研院所开展产学研合作，提升公司研发实力，强大的
人才队伍为公司技术研发与积累提供了坚实的基础。
截至 2025 年 12 月末，公司研发人员 44 人，占公司总人数比例为 16.12%。
公司通过内部核心团队培养及外部招聘相结合，形成了从技术研发、工艺搭建、
设备调试到质量管控的完整人才梯队储备。深耕行业多年的核心员工所掌握的技
术传承与创新能力，与公司近年引进的高端人才形成互补，共同构建了覆盖技术
研发、量产落地、质量管控的完整人才支撑体系，保障了公司产品的市场竞争力。
未来，公司拟进一步加大研发投入，持续引入高层次人才并强化自主培养体
系，不断扩充公司研发团队规模，进一步提升研发团队综合能力与水平，为公司
本次募集资金投资项目储备充足的人才。
（二）资金缺口的解决方式
本次向特定对象发行募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实
际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，
若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公
司以自筹资金解决。
六、募集资金用于研发投入的情况
本次募集资金未规划单独的研发投入项目。
七、本次募集资金投资属于科技创新领域
（一）本次募集资金投向符合国家产业政策，主要投向科技创新领域
公司主营业务为半导体掩模版的研发、生产和销售，是国内稀缺的独立第三
方半导体掩模版厂商。公司紧跟国内半导体发展路线，不断进行技术攻关和产品
迭代，目前已完成 90nm 制程节点半导体掩模版的量产，65nm 制程节点产品也
已开始送样验证。公司掩模版产品广泛应用于功率半导体、MEMS 传感器、先
进封装等特色工艺制程。
“深耕特色工艺，突破高端制程”是公司始终贯彻的中长期发展规划。本次
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募集资金将投向 40nm-28nm 半导体掩模版生产线建设项目，该项目不仅是公司
前次募投项目的扩建与延续，更是公司保持行业地位、巩固市场竞争力的必经之
路。通过本次募投项目的实施，公司将具备 28nm 半导体掩模版的制程能力，进
一步提升工艺水平与竞争实力，满足公司研发布局与业务扩张需求，持续强化公
司的科创实力。因此，本次募集资金主要投向科技创新领域，本次募投项目面向
世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求，服务国家创新驱动发展战
略及国家经济高质量发展战略。
公司本次募集资金投向不用于持有交易性金融资产和可供出售金融资产、借
予他人、委托理财等财务性投资和类金融业务。
（二）本次募投项目将促进公司科技创新水平的持续提升
局看，第三方掩模版市场普遍以 28nm 为重要分界线：一方面，在 28nm 以下的
先进制程领域，由于境外掩模版厂商具有资本投入的先发优势和产业链集群优势，
同时中国大陆半导体行业受贸易制裁、出口管制等多因素影响，当前国内能够自
主量产 28nm 以下制程掩模版的企业数量极少；另一方面，能够突破 28nm 制程
技术壁垒，是当前我国第三方掩模版企业构建差异化竞争优势、巩固市场地位的
关键路径，亦是其持续保持技术引领力的必然要求。通过公司本次募投项目的实
施，公司半导体掩模版将具备 28nm 制程能力，能够有效填补国内高端光掩模版
的市场缺口，推动我国半导体产业链的协同发展，加速半导体材料的国产化进程，
为我国集成电路产业的高质量发展提供坚实支撑。
八、本次发行对公司经营管理、财务状况的影响
（一）对公司经营管理的影响
本次募集资金投资项目均围绕公司主营业务开展，是公司既定战略的实施与
延续，符合当前半导体行业发展趋势及相关产业政策导向，符合公司战略发展规
划和业务定位。项目的实施将助力公司提升产品制程水平与技术壁垒，提升经营
规模，从而全面增强企业的核心竞争力和综合实力，实现公司的长期可持续发展。
（二）对公司财务状况的影响
本次发行完成后，公司总资产和净资产规模将同步提升，有助于增强资本实
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力和整体抗风险能力，为后续发展奠定更坚实的财务基础。同时，公司总股本将
在发行后相应增加，而募集资金投资项目的效益实现需要一定周期，因此公司的
每股收益在短期内存在被摊薄的风险。
公司实施募投项目后，公司半导体掩模版制程将进一步提升至 28nm 工艺节
点，显著提升公司的研发及产品实力，增强与客户的粘性，显著提高公司的竞争
力与可持续发展能力，公司将高效利用募集资金以提升公司运营能力和长期盈利
能力。
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第四章 董事会关于本次发行对公司影响的讨论与分析
一、本次发行后公司业务及资产、公司章程、股东结构、高管人
员结构、业务结构变动情况
（一）本次发行后公司业务及资产是否存在整合计划
本次发行完成后，公司不存在较大的业务和资产整合计划。本次发行均围绕
公司现有主营业务展开，公司业务结构不会产生重大变化。
（二）本次发行对公司章程的影响
本次发行完成后，公司的股本总额将相应增加，公司将按照发行的实际情况
对《公司章程》中与股本相关的条款进行修改，并办理工商变更登记。除此之外，
本次发行不会对《公司章程》造成影响。
（三）本次发行对股东结构的影响
本次发行完成后，公司的股本规模、股东结构及持股比例将发生变化，本次
发行不会导致公司实际控制人发生变化。本次发行完成后，公司股权分布仍符合
上市条件。
（四）本次发行对公司高管人员结构变动情况的影响
本次发行不会对公司的高级管理人员结构造成重大影响。截至本募集说明书
公告日，公司尚无对高级管理人员结构进行调整的计划。若公司拟调整高级管理
人员结构，将根据有关规定，履行必要的法律程序和信息披露义务。
（五）本次发行对公司业务结构的影响
本次向特定对象发行股票的募集资金投资项目均围绕公司主营业务开展，本
次发行完成后，公司主营业务仍为半导体掩模版的研发、生产、销售与技术服务，
公司业务结构不会产生重大变化。
公司实施募投项目后，公司半导体掩模版制程将进一步提升至 28nm 工艺节
点，显著提升公司的研发及产品实力，增强与客户的粘性，显著提高公司的竞争
力与可持续发展能力。
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二、本次发行后公司财务状况、盈利能力及现金流量的变动情况
（一）对公司财务状况的影响
本次向特定对象发行股票完成后，公司的总资产和净资产规模均相应增加，
资金实力将进一步增强。同时，公司资产负债率将相应下降，资产结构与偿债能
力将进一步优化与增强，财务风险将有效降低，公司后续的稳定发展将得到良好
的保障。
（二）对公司盈利能力的影响
本次向特定对象发行股票完成后，由于募集资金投资项目的投入及实施需要
一定时间，存在净资产收益率、每股收益等指标在短期内被摊薄的风险。为保障
中小投资者的利益，公司就本次向特定对象发行事项对即期回报摊薄的影响进行
了认真分析，并制定填补被摊薄即期回报的具体措施。
本次募集资金投资项目系依据公司业务需求及发展战略等因素综合考虑确
定，具有良好的市场前景，有助于公司提升核心竞争能力，巩固行业地位，亦有
利于公司长期盈利能力的提升。
（三）对公司现金流量的影响
本次向特定对象发行股票完成后，随着募集资金的到位，公司筹资活动现金
流入将大幅增加；在募集资金到位并开始投入项目建设后，公司经营活动、投资
活动产生的现金流出量预计将显著增加。未来，随着项目投入运营并产生效益，
公司经营活动产生的现金流量将得到改善。本次发行有助于改善公司现金流量状
况，降低运营风险。
三、公司与控股股东及其关联人之间的业务关系、管理关系、关
联交易及同业竞争等变化情况
本次发行完成后，公司与实际控制人及其关联人之间的业务关系、管理关系
等方面不会发生重大变化。本次发行也不会导致公司与实际控制人及其关联人之
间新增同业竞争或关联交易。
公司将严格按照中国证监会、上交所关于上市公司关联交易的规章、规则和
政策，确保上市公司依法运作，保护上市公司及其他股东权益不会因此而受影响。
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本次发行将严格按规定程序由公司董事会、股东会进行审议，履行真实、准确、
完整、及时的信息披露义务。
四、本次发行完成后，公司是否存在资金、资产被控股股东及其
关联人占用的情形，或为控股股东及其关联人提供担保的情形
截至本募集说明书签署日，公司不存在资金、资产被主要股东以及其控制的
其他企业占用的情况，亦不存在为主要股东以及其控制的其他企业违规提供担保
的情形。公司亦不会因本次发行而产生资金、资产被主要股东以及其控制的其他
企业占用以及为其违规提供担保的情况。
五、本次发行对公司负债情况的影响
本次发行完成后，公司的资产负债率将有所下降，不存在通过本次发行大量
增加负债（包括或有负债）的情况。公司的资产负债结构将更趋合理，抵御风险
能力将进一步增强。
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第五章 最近五年内募集资金使用情况
一、前次募集资金到位及验资情况
（一）实际募集资金金额和资金到账时间
经中国证券监督管理委员会《关于同意深圳市龙图光罩股份有限公司首次公
开发行股票注册的批复》（证监许可[2023]2929 号）文注册，并经上海证券交易
所同意，由承销商采用网下向投资者询价配售和网上按市值申购方式向社会公众
投资者定价发行相结合的方式进行，公司首次公开发行人民币普通股（A 股）数
量 3,337.5000 万股，发行价为每股 18.50 元。本次发行股票，公司共募集资金
以上募集资金已于 2024 年 8 月 1 日到位，上述资金已经中兴华会计师事务
所（特殊普通合伙）验证，并由其出具了中兴华验字（2024）第 010053 号《验
资报告》。
（二）募集资金存放情况
截至 2025 年 12 月 31 日，公司前次募集资金的存储情况列示如下：
单位：万元
存储
银行名称 账号 初始存放金额 截至日余额
方式
中信银行股份有限公司深
圳市民中心支行
招商银行股份有限公司深
圳沙井支行
中国工商银行股份有限公
司深圳新沙支行
招商银行股份有限公司珠
海信息港支行
合 计 - 57,743.75 396.60 -
二、前次募集资金实际使用情况
（一）前次募集资金使用情况
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截至 2025 年 12 月 31 日，公司前次募集资金使用情况如下：
单位：万元
募集资金净额：55,346.25 已累计使用募集资金总额：55,033.19
各年度使用募集资金总额：
变更用途的募集资金总额：- 2024 年：52,369.05
变更用途的募集资金总额比例：- 2025 年：2,664.14
投资项目 募集资金投资总额 截至日募集资金累计投资额
实际投资
募集后 金额与募 项目达到预定可使
募集前承诺 募集后承诺 实际投资 募集前承诺 实际投资 用状态日期
序号 承诺投资项目 实际投资项目 承诺投 集后承诺
投资金额 投资金额 金额 投资金额 金额
资金额 投资金额
的差额
高端半导体芯片掩 高端半导体芯片掩
模版制造基地项目 模版制造基地项目
高端半导体芯片掩 高端半导体芯片掩
模版研发中心项目 模版研发中心项目
合计 - - 66,320.00 55,346.25 55,033.19 58,320.00 55,346.25 55,033.19 -313.06 -
截至 2025 年 12 月 31 日，前次募集资金累计使用 55,033.19 万元，占前次募集资金净额的比例为 99.43%。
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（二）前次募集资金实际投资项目变更情况
公司前次募集资金项目不存在变更的情况。
（三）前次募集资金项目的实际投资总额与承诺的差异内容和原因说明
截至 2025 年 12 月 31 日，公司前次募集资金项目的实际投资总额占募集后
承诺投资金额的比例为 99.43%，基本使用完毕，不存在重大差异，剩余资金将
陆续投入完毕。
（四）前次募集资金投资项目已对外转让或置换情况
截至 2025 年 12 月 31 日，公司不存在前次募投项目发生对外转让的情况。
公司于 2024 年 8 月 16 日召开第一届董事会第十八次会议和第一届监事会第
九次会议，审议通过《关于使用募集资金置换预先投入募集资金投资项目及支付
发行费用的自筹资金的议案》同意公司使用募集资金人民币 37,628.75 万元置换
预先投入募集资金投资项目的自筹资金、使用募集资金人民币 577.10 万元（不
含增值税）置换已支付发行费用的自筹资金。公司监事会对该事项发表了明确同
意的意见，保荐机构国泰海通证券股份有限公司对该事项出具了明确无异议的核
查意见。中兴华会计师事务所（特殊普通合伙）对该事项进行了专项核验，并出
具了《深圳市龙图光罩股份有限公司以自筹资金预先投入募集资金投资项目及支
付发行费用的鉴证报告》（中兴华核字（2024）第 590003 号），公司独立董事、
监事会发表了明确的同意意见，保荐机构国泰海通证券股份有限公司出具了明确
同意的核查意见。
（五）闲置募集资金的使用
九次会议，审议通过《关于使用部分暂时闲置募集资金及自有资金进行现金管理
的议案》，同意在不影响募集资金投资项目建设和公司正常业务开展的情况下，
以及确保资金安全的前提下合理使用不超过 10,000 万元的暂时闲置募集资金进
行现金管理，购买安全性高、流动性好、发行主体有保本约定的存款类产品，从
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而提高资金的使用效率，增加公司现金资产收益，实现股东利益最大化，使用期
限为自董事会审议通过议案并作出决议之日起 12 个月内，在前述额度及期限范
围内，资金可以循环滚动使用。
（六）前次募集资金使用对发行人科技创新的作用
公司前次募集资金投资项目与公司现有主营业务密切相关。
高端半导体芯片掩模版制造基地项目是通过对公司现有核心产品的技术升
级，实施更高制程半导体掩模版的开发及产业化，以满足更高端的市场要求，加
速实现 130nm-65nm 工艺节点半导体掩模版的国产替代进程，同时提升公司的竞
争力与盈利能力。
高端半导体芯片掩模版研发中心项目的实施提高了企业的研发创新能力和
整体竞争力，根据市场及客户的需求开展高端半导体掩模版技术工艺的研发，以
适应更高端的市场及客户的需求。
三、前次募集资金投资项目实现效益情况
截至 2025 年 12 月 31 日，公司前次募集资金投资项目实现效益情况具体如
下：
单位：万元
最近三年
实际投资项目 截至日投资
实际效益 截至日累计 是否达到
项目累计产 承诺效益
序 实现效益 预计效益
项目名称 能利用率 2025 年度
号
高端半导体芯片掩 不适用
模版制造基地项目 （注 1）
高端半导体芯片掩 不适用
模版研发中心项目 （注 2）
注 1：公司首次公开发行股票并在科创版上市招股说明书中未承诺“高端半导体芯片掩
模版制造基地项目”预计效益、内部收益率等相关项目评价指标或其他财务指标。
注 2：高端半导体芯片掩模版研发中心项目是为了提升公司的自主创新与技术研发能力，
将研发中心打造成新产品研发基地、技术成果转化基地和技术人才培养基地，其效益体现在
研发成果转化为产品所产生的经济效益，无法单独核算效益。
四、前次募集资金使用对发行人科技创新的作用
公司首次公开发行股票募集资金主要运用于“高端半导体芯片掩模版制造
基地项目”和“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”。
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“高端半导体芯片掩模版制造基地项目”是通过新建和装修厂房、购置先进
设备、引进优秀技术人才，建立 130nm-65nm 节点高端半导体芯片掩模版研发及
产业化基地。该项目有效地提升了公司半导体掩模版的技术水平，使公司半导体
掩模版制量产能力提升至最高 65nm 工艺节点，进一步扩大产能规模，为满足日
益增长的市场需求奠定坚实基础。
“高端半导体芯片掩模版研发中心项目”的建设显著地提高了公司的整体
研发实力和研发团队水平，通过对更高制程节点（<65nm）半导体掩模版的技术
研发进行前沿性探索，有效地提高了企业的研发创新能力和整体竞争力，为公司
本次募投项目建设 40nm-28nm 半导体掩模版生产线建设项目奠定了技术基础。
上述项目均系根据公司业务发展和技术创新需求进行的规划，项目的实施有
利于公司进一步扩大业务规模、巩固市场地位，提升研发实力、增强核心竞争力。
五、注册会计师对发行人前次募集资金运用所出具的专项报告结
论
中兴华会计师事务所（特殊普通合伙）出具的《深圳市龙图光罩股份有限公
司前次募集资金使用情况的鉴证报告》（中兴华核字【2026】第 590016 号），
结论为：龙图光罩公司董事会编制的《前次募集资金使用情况专项报告》符合中
国证监会《监管规则适用指引——发行类第 7 号》的规定，在所有重大方面公允
反映了龙图光罩公司截至 2025 年 12 月 31 日前次募集资金的使用情况。
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第六章 本次股票发行相关的风险说明
一、对公司核心竞争力、经营稳定性及未来发展可能产生重大不
利影响的因素
（一）技术风险
半导体掩模版是芯片制造的关键工具，对晶圆光刻的质量有重要影响。公司
第三代半导体掩模版产品 PSM 目前处于批量供货前期，若公司不能继续保持充
足的研发投入以满足技术研发的需求，在关键技术上未能持续创新，或新产品开
发未能满足更多下游客户需求，可能导致公司产品被赶超或替代，前期的各项成
本投入无法收回，将对公司的经营业绩造成不利影响。
掩模版行业作为技术密集型产业，在产品研发和生产经营过程中，需要足够
的研发技术人员。我国半导体掩模版起步较晚，关键技术人才稀缺。如果公司对
研发技术人员的激励安排与同行业竞争对手相比丧失优势，或由于其他原因导致
研发技术人员流失，则可能对公司的市场竞争能力和持续盈利能力造成不利影响。
（二）经营风险
公司的主要原材料为石英基板、苏打基板和光学膜等。石英基板和光学膜技
术门槛高，全球供应高度集中于日本、中国台湾等地区的少数厂商，公司存在显
著的进口依赖；报告期内，公司向前五大供应商采购原材料的金额占原材料总采
购金额的平均比例为 71.87%，供应商集中度较高。公司主要生产设备如光刻机
等，亦主要向境外供应商采购。
当前，中美、中日地缘政治关系复杂多变，叠加半导体领域贸易保护主义抬
头，全球半导体供应链正面临重构压力。尽管目前贸易限制政策主要针对先进制
程相关产品，但不排除未来上述国家进一步扩大限制范围，将公司现有制程涉及
的设备、材料纳入管制范畴，从而导致采购成本上升、交货周期延长甚至断供风
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险，对公司生产经营的连续性与稳定性产生不利影响。此外，若地缘政治冲突加
剧导致供应链受阻，或核心供应商自身经营状况、交付能力发生重大不利变化，
亦将直接影响公司的生产组织与订单交付，进一步凸显供应链安全面临的挑战。
公司主要产品掩模版是下游电子元器件行业生产制造过程中的核心材料，是
下游产品精度和质量的决定因素之一。公司根据与客户签订的销售合同/订单，
向客户提供符合其品质指标要求的产品，如果未来公司出现重大产品质量事故，
将可能面临客户根据销售合同约定要求公司给予相应赔偿或中断与公司业务合
作的风险，从而对公司经营业绩产生不利影响。
报告期内，公司产品的生产成本中直接材料占比平均为 50.18%，且主要由
基板和光学膜构成，上述材料的价格波动对公司产品成本的影响较大。如果受贸
易政策或全球市场供应紧张等因素影响，上述原材料价格出现大幅波动，公司又
不能及时将价格压力传导至下游客户，将会对公司的毛利率和盈利能力产生不利
影响。
在掩模版行业的发展与竞争中，相应的知识产权保护体系至关重要，也是获
取竞争优势与长期发展的关键要素。公司结合多年的上下游匹配与服务经验，形
成了大量的专有技术，具有鲜明的“Know-How”特点。由于专有技术保护措施
的局限性及其他不可控因素，公司存在核心技术泄密的风险。未来如果公司核心
技术相关内控制度不能得到有效执行，或者出现重大疏忽等行为而导致核心技术
泄露，可能在一定程度上削弱公司的技术优势并产生不利影响。
（三）财务风险
未来竞争对手加大市场开拓力度或采取低价竞争手段，或下游半导体行业的整体
需求大幅下降或半导体产品创新周期拉长，或主要原材料受贸易政策限制、全球
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市场供应紧张等因素影响价格上涨，以及珠海募投项目投产后固定资产折旧分摊
大幅提升，抑或人工成本大幅上升，且公司不能适时调整适应市场竞争策略或产
品成本控制不力，均将可能导致公司面临毛利率继续下降的风险。
报告期内各期，公司营业收入分别为 21,829.27 万元、24,650.35 万元和
度的下滑，主要系一方面 130nm 及以上制程半导体掩模版市场进入国产替代后
期，市场竞争有所加剧导致销售单价有所下滑；另一方面，珠海新厂处于产能爬
坡期，固定成本分摊较高，导致产品毛利率为负且计提了较多原材料跌价损失所
致。公司经营业绩受到宏观经济波动、产业政策调整、市场需求改变、市场竞争
加剧等诸多外部因素影响，若未来 130nm 及以上制程半导体掩模版产品销售单
价进一步下降，公司珠海工厂产能释放及下游客户产品认证不及预期，外部因素
发生重大不利变化或未得到有效改善，存在公司业务利润不及预期，甚至持续下
滑的风险。
随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。2025 年末，应收
账款账面价值为 7,200.76 万元，占期末流动资产的比例为 14.82%，占当期营业
收入的比例为 29.19%。报告期内，公司主要对应收账款计提了坏账准备，如果
宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，
公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；如若客户信用风险集中发生，
将会对公司财务状况产生不利影响。
报告期内公司通过外币结算的采购金额占原材料采购金额的比例为 35.92%，
公司新增光刻机等重要设备亦为境外采购，公司境外采购的主要结算货币为美元、
日元和欧元。随着公司销售规模及工艺节点提升，新增境外采购设备及进口原材
料亦将持续增长，如果未来汇率发生较大波动，将会在一定程度上影响公司的经
营业绩。
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（四）行业风险
当前全球半导体掩模版市场呈现高度集中的寡头垄断格局，日本科盛德、美
国 Photronics、日本 DNP 三家主导市场，占据独立第三方掩模版市场 80%以上的
市场份额，技术节点已突破至 7nm 以下，并在设备、工艺和客户黏性上形成深
厚壁垒，占据着显著的市场竞争优势。近年来，在产业政策推动及国产替代需求
下，半导体掩模版行业发展态势向好，吸引了多家新兴光罩企业进入和布局，伴
随行业新增产能的逐步释放，国内光罩市场竞争日趋激烈。
公司经过多年的发展与积累，通过工艺迭代与大量新产品的开发、生产实践，
积累了丰富的产品开发和生产经验，但相较于全球龙头企业，公司在技术先进性、
市场竞争力上仍存在一定差距，同时面对国内新入局光罩厂的快速布局与竞争，
也面临着新的市场挑战。未来，若国际主要竞争对手为稳固中国大陆市场份额加
大投入，新兴光罩厂加速产能与技术突破并为争夺市场采取价格竞争等手段，将
进一步加剧行业竞争程度，对公司的经营业绩产生不利影响。
目前全球范围内半导体、平板显示等行业主要采用掩模版为基准图案进行曝
光量产。截至目前，由于芯片直写光刻技术对于大批量半导体晶圆制造而言光刻
速度过慢而未被证明是一项商业化可行的替代技术。但如果未来无需使用掩模版
的芯片直写光刻技术，或其他替代性图形转移技术获得了技术突破并取得下游市
场的广泛应用，而公司由于资源、技术或其他限制，不能够很好地应对或跟进这
些技术变化，公司的运营及业绩将受到不利影响。
（五）宏观环境风险
当前全球贸易保护主义持续抬头，中美、中日双边关系变化下半导体领域的
贸易与技术管制政策不确定性显著加剧，给行业发展带来多重外部挑战。若未来
中美、中日之间的贸易限制与技术管制进一步升级，将直接对公司半导体掩模版
业务的技术升级研发、高端生产设备引进、核心原辅材料进口造成显著制约，同
时也会影响公司海外市场开发与全球化业务布局的推进节奏，给公司供应链稳定
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性、技术迭代效率及市场拓展带来多重不确定性风险，进而对公司生产经营与持
续发展造成不利影响。
半导体产业是国家战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动
我国半导体产业的发展，增强了中国半导体产业的创新能力和国际竞争力，带动
了整个产业的发展。但若未来国家相关产业政策支持力度减弱，可能导致下游市
场需求下滑、税收优惠减少、政府补贴金额下降等，公司的经营业绩可能会因此
受到不利影响。
二、可能导致本次发行失败或募集资金不足的因素
（一）本次发行失败的风险
本次向特定对象发行方案尚需上交所审核通过并经中国证监会注册，上交所
是否审核通过、中国证监会能否予以注册，以及最终上交所审核通过、中国证监
会予以注册的时间均存在不确定性。因此，本次发行存在发行失败的风险。
（二）募集资金不足的风险
本次发行股票数量不超过 40,050,000 股（含本数），募集资金总额不超过
体掩模版生产线建设项目”。但若二级市场行情波动导致公司股价大幅下跌，存
在筹资不足的风险，从而导致募集资金投资项目无法顺利实施。
三、对本次募投项目的实施过程或实施效果可能产生重大不利影
响的因素
（一）募投项目无法顺利实施的风险
公司本次发行募集资金投资项目的选择是基于当前市场环境、公司现有业务
状况和未来发展战略等因素做出的，募集资金投资项目经过了慎重、充分的可行
性研究论证。若前述因素发生重大变化，本次募集资金投资项目的投资进度、建
设过程及实施结果等将存在一定的不确定性，募投项目亦可能面临无法按期顺利
实施的风险。
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（二）募投项目新增产能难以消化的风险
本次募投项目的成功实施将显著提升公司更高制程半导体掩模版的研发、生
产能力，公司将新增每年稳定产出 15,000 片半导体掩模版，在产品结构上，除
现有的二元掩模版和相移掩模版外，增加更高制程的 KrF-PSM、ArF-PSM 以及
OMOG 掩模版产品，可促使公司更好服务下游客户因产线扩建、工艺升级而日
益增长的需求。但若未来出现国际国内形势发生重大不利变化、半导体下游市场
增长不及预期、下游客户产品认证无法通过或不及预期等不利情况，公司将面临
新增产能难以消化及募投项目短期内无法盈利的风险。
（三）募投项目新增折旧摊销影响公司盈利能力的风险
IPO 募投项目及本次募投项目中公司投入较高金额用于高端机器设备的购
置，本次募投项目达产后预计每年固定资产折旧费用将有所增加，预计达产后
IPO 募投项目及本次募投项目年均新增折旧摊销 23,958.70 万元，约占 IPO 及本
次募投项目预计新增营业收入的 16.64%，约占预计新增净利润的 56.27%，将对
公司的业绩存在一定影响。虽然公司已根据行业发展趋势和公司现有技术能力，
对本次募投项目的经济效益经过了合理测算，预计可抵消上述固定资产折旧对经
营业绩的影响，但公司客观上仍存在诸多可能导致募投项目无法按照预期实现
经济效益的风险，主要包括：1、随着制程向更先进和更高端发展，半导体材料
技术迭代和攻关过程中将面临诸多客观挑战，包括众多 Know-how 探索、设备
磨合以及客户工艺融合等。上述情形均可能延缓既定项目的研发及量产进度。
公司本次募集资金项目拟投向 40nm-28nm 半导体掩模版项目（国内独立第三方
掩模版厂商目前所能达到的最高端制程范围），尽管公司已审慎评估技术上的
可行性，但在具体实施本次募投项目的工艺技术前，仍难以完全预估各种因素
挑战，因此公司存在无法按照既定进度推进募投项目的风险；2、目前本项目所
对应的高端掩模版领域，下游客户长期沿用境外供应商的掩模版参数并已相对
固化其工艺窗口（主要因为该制程范围的第三方掩模版厂商以国外企业为主），
公司需要通过精细化的工艺窗口复现以消除因掩模版差异带来的制程波动，这
一过程中涉及到大量的调试与优化工作。加之不同客户之间存在差异，预计公
司与下游客户的工艺磨合周期将更长，甚至存在公司产品难以通过重点客户验
证的风险；3、即使公司顺利推进该项目研发及客户验证等，由于下游客户从认
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证通过到下达订单，客观存在交易量爬坡过程，公司存在本次募投项目商业订
单达到预定规模的周期延后风险；4、下游客户通常选择多家合作伙伴进行产品
验证。若竞争对手率先通过客户认证并占据大量份额，或采取价格竞争策略获
取订单，公司存在募投项目产能消化不及预期风险。上述风险因素进而导致募投
项目实施后产能释放滞后，产能消化不及预期，新增毛利难以覆盖折旧摊销增量，
将导致业绩不达预期。在营业收入增长不及预期的情形下，折旧摊销大幅增加导
致的收入与折旧错配将对公司未来业绩产生不利影响，公司面临募投项目实施后
业绩下滑、甚至亏损的风险。
（四）即期回报被摊薄的风险
本次发行完成后，公司股本规模和净资产规模将相应增加。虽然本次募集资
金到位后，公司将高效利用募集资金以提升公司运营能力和长期盈利能力，但受
国家宏观经济、行业发展情况募投项目建设期的影响，短期内项目的效益及公司
的盈利状况仍然存在一定的不确定性，因此本次发行后公司股东即期回报将可能
面临被摊薄的风险。
四、其他风险
（一）股票价格风险
股票市场投资收益与投资风险并存。股票价格的波动不仅受公司盈利水平和
发展前景的影响，还受到国家宏观经济政策调整、金融政策的调控、股票市场的
交易行为、投资者的心理预期等诸多因素的影响。投资者在考虑投资公司股票时，
应预计到前述各类因素可能带来的投资风险，并做出审慎判断。
（二）不可抗力风险
自然灾害、战争以及突发性公共卫生事件可能会对公司的资产、财产、人员
造成损害，并影响正常生产经营。此类不可抗力事件的发生可能会给公司增加额
外成本，从而影响公司盈利水平。
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第七章 声明
一、发行人及全体董事、审计委员会成员、高级管理人员声明
本公司及全体董事、审计委员会成员、高级管理人员承诺本募集说明书的内
容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，按照诚信原则
履行承诺，并承担相应的法律责任。
全体董事签字：
柯汉奇 叶小龙 张道谷
袁振超 安丰伟
全体审计委员会成员签字：
袁振超 安丰伟 张道谷
全体高级管理人员签字：
叶小龙 王栋 邓少华
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年 月 日
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二、发行人控股股东、实际控制人声明
本人承诺本募集说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性
陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应的法律责任。
发行人实际控制人：
柯汉奇 叶小龙 张道谷
深圳市龙图光罩股份有限公司
年 月 日
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三、保荐机构（主承销商）声明
（一）保荐机构（主承销商）声明
本公司已对募集说明书进行了核查，确认本募集说明书内容真实、准确、完
整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
项目协办人签名：
王 树
保荐代表人签名：
殷凯奇 熊 伟
法定代表人签名：
朱 健
国泰海通证券股份有限公司
年 月 日
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（二）保荐机构（主承销商）董事长和总经理声明
本人已认真阅读募集说明书的全部内容，确认不存在虚假记载、误导性陈述
或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性、及时性承担相应的法律责任。
总经理（总裁）签字：
朱 健（代）
法定代表人（董事长）签字：
朱 健
国泰海通证券股份有限公司
年 月 日
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四、发行人律师声明
本所及经办律师已阅读《深圳市龙图光罩股份有限公司 2026 年度向特定对
象发行 A 股股票募集说明书》，确认募集说明书内容与本所出具的法律意见书
不存在矛盾。本所及经办律师对发行人在募集说明书中引用的法律意见书的内容
无异议，确认募集说明书不因引用上述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大
遗漏，并承担相应的法律责任。
经办律师：
曹平生 李 运
廖 敏 程 兴
律师事务所负责人：
李 忠
广东信达律师事务所
年 月 日
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五、发行人会计师声明
本所及签字注册会计师已阅读募集说明书，确认募集说明书内容与本所出具
的审计报告等文件不存在矛盾。本所及签字注册会计师对发行人在募集说明书中
引用的审计报告等文件的内容无异议，确认募集说明书不因引用上述内容而出现
虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。
会计师事务所负责人：
乔久华 李尊农
签字注册会计师：
袁瑞彩 涂雅丽
中兴华会计师事务所（特殊普通合伙）
年 月 日
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六、发行人董事会声明
（一）关于公司未来十二个月内再融资计划的声明
除本次发行外，在未来十二个月内，公司董事会将根据公司资本结构、业务
发展情况，考虑公司的融资需求以及资本市场发展情况综合确定是否安排其他股
权融资计划，并按照相关法律法规履行相关审议程序和信息披露义务。
（二）公司应对本次发行摊薄即期回报采取的措施
本次发行可能导致股东即期回报有所下降，为了保护投资者利益，公司采取
以下措施提升公司竞争力，以填补股东回报。
公司将严格遵循《公司法》《证券法》等法律、法规和规范性文件的要求，
不断完善公司治理结构，确保股东能够充分行使权利，确保董事会能够按照法律、
法规和公司章程的规定行使职权，作出科学、迅速和谨慎的决策，确保独立董事
能够认真履行职责，维护公司整体利益，尤其是中小股东的合法权益，确保审计
委员会能够独立有效地行使对董事、总经理和其他高级管理人员及公司财务的监
督权和检查权，为公司发展提供制度保障。公司已建立并形成了较为完善的内部
控制制度和管理体系，公司将进一步加强经营管理水平，全面有效地控制公司经
营和管理风险，提升经营效率和盈利能力。
为规范公司募集资金的使用与管理，确保募集资金的使用规范、安全、高效，
根据《公司法》等法律、法规、规范性文件及《公司章程》的规定，公司制定了
《募集资金管理制度》《信息披露管理制度》等管理制度。上述制度对募集资金
的专户存储、使用、用途变更、管理和监督以及相关信息的披露进行了明确的规
定，保证了公司募集资金的存放和使用的安全，防止募集资金被关联方占用或挪
用。为保障公司规范、有效使用募集资金，本次发行募集资金到位后，公司董事
会将持续监督公司对募集资金进行专项存储、保障募集资金用于指定的投资项目、
定期对募集资金进行内部审计、配合监管银行和保荐机构对募集资金使用的检查
和监督，以保证募集资金合理规范使用，合理防范募集资金使用风险。
本次发行募集资金到位后，公司将积极推进募集资金投资项目建设，力争早
日实现募投项目预期效益。同时，公司将根据相关法规和公司募集资金管理制度
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的要求，严格管理募集资金使用，保证募集资金按照原定用途得到充分有效利用。
公司建立对投资者持续、稳定、科学的回报规划与机制，对利润分配做出制
度性安排，保证利润分配政策的连续性和稳定性。为进一步增强公司现金分红的
透明度，强化公司回报股东的意识，树立上市公司给予投资者合理的投资回报的
观念，公司根据《上市公司监管指引第 3 号——上市公司现金分红》的相关要
求，明确了利润分配的条件及方式，制定了现金分红的具体条件、比例，股票股
利分配的条件，完善了公司利润分配的决策程序、考虑因素和利润分配政策调整
的决策程序，健全了公司分红政策的监督约束机制。
公司将严格按照《公司章程》的规定，完善对利润分配事项的决策机制，重
视对投资者的合理回报，积极采取现金分红等方式分配股利，吸引投资者并提升
公司投资价值。
（三）相关主体对公司本次发行摊薄即期回报采取填补措施出具的承诺
根据《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作
的意见》（国办发〔2013〕110 号）、《国务院关于进一步促进资本市场健康发
展的若干意见》（国发〔2014〕17 号）及中国证券监督管理委员会《关于首发
及再融资、重大资产重组摊薄即期回报有关事项的指导意见》
（证监会公告〔2015〕
即期回报措施能够得到切实履行，相关主体对填补回报措施能够切实履行作出了
承诺，具体情况如下：
“1、本人承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不
采用其他方式损害公司利益；
措施的执行情况相挂钩；
件与公司填补回报措施的执行情况相挂钩；
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证券监督管理委员会、上海证券交易所等证券监管机构就填补回报措施及其承诺
作出另行规定或提出其他要求，且上述承诺不能满足该等规定时，本人承诺届时
将按照最新规定出具补充承诺；
行前述承诺给公司或者投资者造成损失的，本人愿意依法承担补偿责任。
作为填补回报措施相关责任主体之一，若违反上述承诺或拒不履行上述承诺，
本人同意按照中国证监会和上海证券交易所等证券监管机构按照其制定或发布
的有关规定、规则，对本人作出相关处罚或采取相关管理措施。”
“1、本人承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益；
证券监督管理委员会、上海证券交易所等证券监管机构就填补回报措施及其承诺
作出另行规定或提出其他要求，且上述承诺不能满足该等规定时，本人承诺届时
将按照最新规定出具补充承诺；
何有关填补回报措施的承诺，如若本人违反前述承诺或拒不履行前述承诺给公司
或者投资者造成损失的，本人愿意依法承担补偿责任。
作为填补回报措施相关责任主体之一，若违反上述承诺或拒不履行上述承诺，
本人同意按照中国证监会和上海证券交易所等证券监管机构按照其制定或发布
的有关规定、规则，对本人作出相关处罚或采取相关管理措施。”
深圳市龙图光罩股份有限公司董事会
年 月 日
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附表一、专利情况
截至 2026 年 3 月 31 日，发行人及其子公司拥有的境内已授权专利权具体情
况如下：
专利 取得 他项
序号 专利权人 专利号 专利名称 申请日
类型 方式 权利
一种固体激光器的光路 实用 2017 年 10 原始
调整装置 新型 月 14 日 取得
一种掩模版边角残留铬 实用 2017 年 10 原始
的清除装置 新型 月 14 日 取得
实用 2018 年 8 月 原始
新型 21 日 取得
一种掩模版导轨片贴合 实用 2018 年 8 月 原始
装置 新型 21 日 取得
一种激光器冷却循环系 实用 2018 年 8 月 原始
统 新型 23 日 取得
一种掩模版及其制作方 2018 年 9 月 原始
法 21 日 取得
一种掩模版清洗用水恒
实用 2019 年 11 原始
流缓压供水装置新型 月 29 日 取得
一种掩模版用的干燥装
实用 2019 年 11 原始
置 新型 月 29 日 取得
用于掩模版制作的气体
实用 2019 年 11 原始
供给装置 新型 月 29 日 取得
实用 2019 年 11 原始
新型 月 29 日 取得
一种掩模版用的曝光补 实用 2019 年 11 原始
偿装置 新型 月 29 日 取得
月6日 取得
掩模版光学自动检测的 实用 2020 年 7 月 原始
载入装置 新型 31 日 取得
实用 2020 年 7 月 原始
新型 31 日 取得
掩模版光学自动检测的 实用 2020 年 7 月 原始
载入装置 新型 31 日 取得
实用 2020 年 7 月 原始
新型 31 日 取得
实用 2021 年 8 月 原始
新型 12 日 取得
掩模版外形尺寸测量装 实用 2021 年 8 月 原始
置 新型 12 日 取得
掩模版曝光过程表面颗 2021 年 8 月 原始
粒实时清除装置 13 日 取得
掩模版缺陷无痕去除方
储介质
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专利 取得 他项
序号 专利权人 专利号 专利名称 申请日
类型 方式 权利
实用 2021 年 8 月 原始
新型 13 日 取得
掩模版上版装置及光刻 实用 2021 年 8 月 原始
机 新型 16 日 取得
自动后处理机的恒温净 实用 2021 年 8 月 原始
化供水装置 新型 16 日 取得
曝光设备正交性检测方 2021 年 9 月 原始
法 7日 取得
光刻机参数状态检测方
储介质
掩模版辅助静态图像测
像测量系统
半导体芯片用掩模版传 2022 年 4 月 原始
送装置及其传送方法 1日 取得
半导体芯片用相移掩模
储介质
半导体芯片用掩模版贴
装置
半导体芯片用掩模版膜 2022 年 4 月 原始
下异物清理方法及设备 6日 取得
掩模护膜、掩模护膜移
除装置
一种 DUV 用掩模版无 实用 2022 年 12 原始
接触卸载保护膜的装置 新型 月 19 日 取得
一种功率半导体掩模版 实用 2022 年 12 原始
清洗的批量传输装置 新型 月 19 日 取得
一种掩模版后处理设备 实用 2022 年 12 原始
的离子残留控制装置 新型 月 19 日 取得
一种掩模版上金属引导 实用 2022 年 12 原始
器的去除装置 新型 月 19 日 取得
掩模版刻蚀设备、方法、
介质
掩模版的对位校准方
介质
掩模版预校准方法、系
存储介质
掩模版缺陷处理装置、 2023 年 4 月 原始
方法以及终端设备 12 日 取得
实用 2023 年 10 原始
新型 月 16 日 取得
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专利 取得 他项
序号 专利权人 专利号 专利名称 申请日
类型 方式 权利
实用 2023 年 11 原始
新型 月7日 取得
月 17 日 取得
掩模版贴膜方法、装置 2023 年 11 原始
及存储介质 月 20 日 取得
图形辅助的干法刻蚀装 2023 年 11 原始
置及方法 月 20 日 取得
PSM 掩模版白缺陷修补 2023 年 11 原始
方法、设备及存储介质 月 21 日 取得
实用 2023 年 12 原始
新型 月7日 取得
实用 2023 年 12 原始
新型 月7日 取得
实用 2023 年 12 原始
新型 月 13 日 取得
实用 2023 年 12 原始
新型 月 13 日 取得
实用 2023 年 12 原始
新型 月 14 日 取得
曝光范围扩展方法、装
掩模版与薄膜贴合度检
及存储介质
贴膜方法、装置、终端 2024 年 2 月 原始
设备以及存储介质 2日 取得
能够防溅射的掩模版清 实用 2025 年 4 月 原始
洗设备 新型 25 日 取得
掩模版侧壁检测装置以 实用 2025 年 4 月 原始
及刻蚀设备 新型 25 日 取得
掩模版修补机及其校正 实用 2024 年 5 月 原始
掩模版位置的夹具 新型 21 日 取得
一种废蚀刻液的排放装 实用 2024 年 5 月 原始
置 新型 21 日 取得
发行人、珠 掩模版刻蚀方法、装置、 2024 年 6 月 原始
海龙图 设备以及存储介质 20 日 取得
掩模版位置精度测量方
发行人、珠 2024 年 6 月 原始
海龙图 27 日 取得
以及产品
实用 2024 年 5 月 原始
新型 22 日 取得
实用 2024 年 5 月 原始
新型 22 日 取得
掩模版的参数测量方
以及程序产品
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专利 取得 他项
序号 专利权人 专利号 专利名称 申请日
类型 方式 权利
掩模版检测方法、装置、 2024 年 7 月 原始
设备以及存储介质 17 日 取得
实用 2024 年 9 月 原始
新型 11 日 取得
实用 2024 年 9 月 原始
新型 11 日 取得
掩模版清洗方法、装置、 2024 年 9 月 原始
设备、存储介质及产品 12 日 取得
掩模版的光刻方法、装 2024 年 10 原始
置、设备及存储介质 月 23 日 取得
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附表二、软件著作权情况
截至 2026 年 3 月 31 日，发行人及其子公司拥有的境内已登记的计算机软件
著作权具体情况如下：
首次发表 取得 他项
序号 权利人 登记号 软件名称 登记日期
日期 方式 权利
基于 ZWCAD 批处理基 原始
准数据处理软件 取得
基于 ZWCAD 实现不等 原始
值缩放软件 取得
基于 ZWCAD 实现批量 原始
补偿软件 取得
基于 MAIN CHIP 添加特 原始
定要求的字符处理软件 取得
基于 ZWCAD 自动生成 原始
CUS 数据处理软件 取得
光掩模版图形单线文字 原始
拟合成多义线处理软件 取得
原始
取得
光掩模版图形单线拟合 原始
成多义线软件 取得
光掩模版图形自动添加 原始
切割边框软件 取得
原始
取得
原始
取得
自动查找掩模版图中最 原始
小线缝宽度软件 取得
受让
取得
受让
取得
受让
取得
受让
取得
受让
取得
受让
取得
电柜参数智能监测控制 受让
软件 取得
受让
取得
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首次发表 取得 他项
序号 权利人 登记号 软件名称 登记日期
日期 方式 权利
受让
取得
受让
取得
龙图光电洁净车间温湿 原始
度监控系统 取得
龙图光掩模版图形宽线 原始
拟合成多义线软件 取得
坐标数据转换生成掩模 原始
版图形软件 取得
掩模版环形序列化数字 原始
排布软件 取得
工艺控制图形单元自动 原始
添加软件 取得
PSM 掩模数据自动分层 原始
软件 取得
掩模版 OPC 图形自动生 原始
成软件 取得
掩模版生产进度在线跟 原始
踪软件 取得
掩模版多层套刻对准标 原始
自动生成软件 取得
版图透过率自动计算软 原始
件 取得
实现能按客户要求自动
原始
取得
件
实现自动生成 6BIT 规则 原始
条码的功能模块软件 取得
掩模版制造信息自动化 原始
管理软件 取得
实现自动识别并打散块 原始
实体的功能模块软件 取得
PSM 第二次曝光数据自 原始
动生成软件 取得
基于 CATS 软件 MRC 规 原始
则自动生成的一种软件 取得
基于 linux 命令行的一种
原始
取得
软件
基于自动化平台自研项
原始
取得
动生成软件
原始版图图元关于向心 原始
转换的一种软件 取得
注：经查验，上述第 13-22 项受让取得计算机软件著作权的原因系纠正登记错误，软件
著作权人误登记为发行人的经办员工享有，现已将误登记为员工的软件著作权采取无偿转让
的方式转让予发行人，软件著作权已登记为发行人。原登记的软件著作权人亦已出具书面确
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认，对前述转让事项的原因、不存在纠纷及潜在纠纷等情况予以认可。
