中微公司2026年中报：扣非净利增108%并完成CMP并购，平台化战略加速落地

一、经营环境与战略基调：AI驱动设备市场创新高，战略重心转向平台化

宏观判断

2026年中报将行业环境定性为快速增长期。管理层援引SEMI《年中总半导体设备市场预测报告》，预计2026年全球半导体制造设备总销售额将创下1659亿美元历史新高，同比增长23.2%。管理层将增长动力归结为人工智能对更强大、更高效芯片的需求，以及微观器件从2D平面向3D立体结构演进带来的刻蚀、薄膜沉积设备需求量提升。对比2025年年报，公司对行业景气的判断保持一致且更趋乐观——2025年报侧重"数码产业蓬勃发展"的定性描述，2026年中报则给出具体行业预测并明确AI为需求侧核心驱动。

战略基调

2026年中报延续了2025年报提出的"三维发展战略"，但战略重心出现明显位移：从单品类扩张转向平台化整合。两个标志性动作值得关注：

• 报告期内完成对众硅公司控股权的收购，将CMP（化学机械抛光）设备纳入产品版图，实现从"干法"向"干法+湿法"整体解决方案的关键跨越；
• 公司明确提出未来五年通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上集成电路高端设备市场和70%以上先进封装设备市场，定位从高端设备供应商向"全球领先的高端设备平台型公司"演进。

目前公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种高能和低能等离子体刻蚀机、24种各类薄膜设备、CMP设备和量检测设备，产品已覆盖超30%前道集成电路设备。

二、业务板块表现与策略：刻蚀渗透先进制程，薄膜进入放量前夜

刻蚀设备：关键工艺实现大规模量产

管理层披露，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中60比1超高深宽比介质刻蚀设备已成为国内标配设备；ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率器件等超过50个客户的生产线上量产，加工精度和重复性达到单原子水平。

新品方面，面向超高深宽比刻蚀的全新Primo XD-RIE采用全新腔体结构设计，具备国内首创镜像磁场等离子体调节功能，Alpha机完成实验室马拉松测试，Beta机在客户端验证顺利；针对7纳米及以下逻辑器件的更高选择比高均匀度刻蚀设备预计2026年内运付客户端验证。

薄膜沉积设备：多系列通过关键客户验证

钨系列产品（CVD钨、HAR钨、ALD钨）已覆盖存储器件所有钨应用，通过关键存储与逻辑客户端现场验证并获重复量产订单；金属栅系列（ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽）完成多个先进逻辑客户验证，薄膜均一性、污染物控制和生产效率达到世界先进水平；金属硅化物集成系统Preforma Uniflash已交付多个先进逻辑、先进存储客户开展现场验证。EPI设备方面，减压外延设备在成熟制程客户端验证成功，部分先进工艺进入量产验证阶段；常压外延设备已完成开发，进入晶圆验证阶段。

MOCVD设备：LED基本盘稳固，功率器件与新兴应用打开空间

公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。Micro-LED设备Preciomo Udx验证进展顺利并获重复订单；氮化镓功率器件设备PRISMO PD5已交付客户验证并取得重复订单；新型8寸碳化硅外延设备进入国内头部企业生产验证并取得重复订单；红黄光LED设备样机验证进展顺利；磷化铟（InP）材料体系专用MOCVD设备已启动开发，计划下半年付运样机。

CMP与量检测：并购补齐湿法版图

收购众硅公司控股权是报告期内业务结构最显著的变化。管理层表示，这一整合填补了公司在湿法设备领域的空白，面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性的严苛要求，公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案，缩短工艺调试和验证周期。量检测方面，公司于2024年发起设立超微公司重点开发电子束量检测设备，中报显示公司正通过多种方式扩大对多门类量检测设备市场的参与和产品覆盖。

产能基地建设

临港滴水湖畔约10万平方米总部大楼暨研发中心已于2026年8月1日落成；广州华南总部一期项目（约50亩）主体结构于2026年7月封顶，计划2027年投产；成都研发及生产基地一期（约50亩）主体结构于2026年8月封顶，预计2027年建成投产；临港二期约20万平方米基地拟于2026年下半年开工。

三、研发投入与核心竞争力：投入强度维持三成，资本化比重明显抬升

2026年上半年研发投入约20.41亿元，同比增长36.86%，占营业收入比例30.51%，较上年同期增加0.44个百分点。管理层强调研发新产品速度显著加快，"过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短时间"。

研发投入结构出现值得关注的变化：

资本化比重的大幅抬升，管理层解释系本期研发投入较大的项目已达到资本化条件，其对未来利润表的边际影响需持续跟踪。

研发团队与知识产权方面：

• 研发人员1908名，较上年同期1321名增加587名，占员工总数51.85%；
• 研发人员平均薪酬34.67万元，上年同期为31.98万元；
• 报告期内新增专利申请145项，其中发明专利113项；累计已申请3837项专利（发明专利3097项），已获授权2418项（发明专利1925项）；
• 在研项目涵盖六大类设备、15个项目，预计总投资规模43.46亿元，本期投入6.11亿元，累计投入29.91亿元。

对比2025年年报，公司2025年全年研发投入37.44亿元、同比增长52.65%，占营收比例30.23%。2026年上半年延续高强度投入，研发强度连续保持在30%以上。

四、财务表现与经营质量：归母净利高增主要来自非经常性损益

2026年上半年主要财务数据：

归母净利润的构成值得重点拆解。管理层将28.25亿元归母净利润的成因归为四类：

1. 营收增长34.89%，毛利较上年同期增加约6.82亿元；
2. 研发投入约20.41亿元，其中研发费用13.10亿元，同比增加约1.93亿元（增长17.31%）；
3. 对外股权投资产生公允价值变动收益和投资收益合计约10.29亿元，较上年同期的1.68亿元增加约8.61亿元；
4. 出售部分持有的拓荆科技股票，产生投资收益约9.53亿元。

非经常性损益项目合计17.03亿元，其中非流动性资产处置损益9.91亿元、金融资产公允价值变动及处置损益9.99亿元。数据表明，归母净利润300.22%的增速与投资收益及公允价值变动高度相关；扣非归母净利润108.36%的增速显著快于营收增速（34.89%），反映主业盈利能力改善。此外，公司披露扣除股份支付影响后的净利润为31.43亿元，同比增长258.01%；剔除股份支付影响后扣非归母净利润为14.68亿元，上年同期为7.30亿元。2026年上半年确认股份支付费用3.46亿元，较上年同期的1.92亿元增加，公司于2026年4月23日向3049名激励对象授予700万股限制性股票。

对比2025年年报：全年营收123.85亿元、同比增长36.62%，归母净利润21.11亿元，扣非净利润15.50亿元、同比增长11.64%，经营性现金流22.95亿元、同比增长57.39%。2026年上半年扣非净利润增速（108.36%）较2025年全年（11.64%）大幅提升，主因营收扩张叠加研发费用增速（17.31%）低于营收增速。

五、纵向对比：2025年报战略部署的落地与延续

战略主题演变

2025年报经营计划以"三维发展战略"为核心，强调聚焦集成电路关键设备、扩展泛半导体应用。2026年中报在延续这一表述的同时，将战略落点进一步明确为"干法+湿法"整体解决方案和"全球领先的高端设备平台型公司"，并给出量化目标。战略重心从产品维度扩张转向系统级解决方案与平台化整合。

关键措施执行情况

2025年报提出的多项计划在2026年上半年取得实质进展：

• 2025年报提出"通过投资、并购国内外高端的半导体设备及关键零部件厂商"——2026年上半年完成对众硅公司控股权的收购，并拟以14.7亿元认购上海智微凌峰创业投资合伙企业（有限合伙）；
• 2025年报披露的临港、南昌、广州、成都四大基地建设——2026年上半年临港总部大楼落成，广州、成都一期主体封顶，建设进度清晰；
• 2025年报提出"重点考虑布局半导体和泛半导体领域以及产业链上下游有协同效应的公司"——2026年上半年通过智微资本持续深化半导体产业链投资布局。

核心能力建设

2025年研发投入37.44亿元、同比增长52.65%；2026年上半年研发投入20.41亿元、同比增长36.86%，研发强度连续保持在30%以上。研发人员从2025年上半年的1321人增至2026年上半年的1908人。公司在维持刻蚀设备领先地位的同时，薄膜沉积、CMP、量检测三条新产品线的能力建设明显提速，产品从验证期向量产收获期过渡的特征逐步显现。

风险认知演进

2026年中报在2025年报风险框架基础上，将"并购风险"单列细化，提出"宏观经济波动、市场竞争加剧、地缘政治环境变化、被并购公司业绩低于预期或协同效应未显现"等情形可能对经营业绩产生不利影响，与公司加大外延并购力度的节奏相匹配。供应链风险、国际贸易摩擦风险、研发投入不足风险在两年报告中均被持续提示，反映管理层对地缘政治与产业链安全因素的判断保持审慎。

六、未来规划与风险提示

管理层明确的下半年及未来重点包括：推进在研六大类设备、超二十款新设备开发，多款设备计划2026年内运付客户端验证；加快临港二期开工与广州、成都基地建设；通过智微资本深化半导体产业链投资布局；持续扩大刻蚀、薄膜设备在先进逻辑与先进存储客户的市场占有率。

风险方面，管理层提示：下游晶圆厂与LED芯片制造商扩产不及预期将影响设备采购需求；部分关键零部件和进口材料采购周期较长，供应链紧张形势延续将影响设备交期；国际贸易摩擦存在加剧可能；公司研发投入总额与国外领先半导体公司仍有较大差距，存在技术被赶超或替代的风险。

综合结论

2026年中报显示的中微公司正处于战略转型关键期。主业层面，刻蚀设备在先进制程的渗透持续深化，60比1超高深宽比设备成为国内标配，薄膜沉积设备密集通过关键客户验证，产品线从单点突破走向多点放量；资本层面，收购众硅补齐CMP、拟以14.7亿元认购智微凌峰，外延并购成为与内生研发并行的第二条增长路径。财务数据表明，报告期内归母净利润的高增速主要受出售拓荆股票与股权投资公允价值变动支撑，扣非净利润108.36%的增速则反映主业盈利能力的真实改善。研发投入资本化比重上升13.02个百分点、股份支付费用较上年同期增加，是理解未来利润表变化需要跟踪的两个变量。公司在维持刻蚀与MOCVD传统优势的同时，能否将薄膜、CMP、量检测等新业务顺利转化为规模化收入，将决定"覆盖60%以上集成电路高端设备市场"这一平台化目标的实际成色。

郑重声明：相关内容不构成任何投资建议，股市有风险，投资需谨慎。