国博电子（688375）2025年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期国博电子（688375）发布2025年年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明

    (一)主要业务、主要产品或服务情况

    国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通信设备制造商等。

    国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵T/R组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类芯片等，均属于模拟集成电路。

    （1）有源相控阵T/R组件

    T/R组件是指在雷达或通信系统中用于接收、发射一定频率的电磁波信号，并在工作带宽内进行幅度相位控制的功能模块，是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。整个雷达系统由成百上千个辐射器按照一定的排布构成，每个辐射器后端均连接一个单独有源相控阵T/R组件，在波束形成器的控制下，对信号幅度和相位进行加权控制，最终实现波束在空间的扫描。因此，有源相控阵T/R组件的性能参数直接决定相控阵雷达系统的作用距离、空间分辨率、接收灵敏度等关键参数。此外，有源相控阵雷达需要数量众多的T/R组件共同构成有源相控阵阵面，有源相控阵T/R组件的性能也进一步决定了有源相控阵雷达系统的体积、重量、成本和功耗。

    根据雷达的不同工作环境和不同的性能要求，有源相控阵T/R组件的构成形式不尽相同，但其基本结构一致，主要由数控移相器、数控衰减器、功率放大器、低噪声放大器、限幅器、环形器以及相应的控制电路、电源调制电路组成。

    （2）射频模块

    在射频模块领域，国博电子相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站、卫星通信、无人机通信、干扰机等领域。

    GaN射频放大器是射频发射链路的末级功率放大单元，核心作用是将基站基带/中频处理后的微弱射频信号高效放大到符合覆盖要求的射频功率，射频功率放大器模块的高效率、高线性、小型化直接决定基站信号的覆盖能力、通信质量、能效水平和部署形态，是射频前端的核心。

    GaN射频模块产品功率覆盖5W-700W，金属陶瓷封装、塑封、OMP等封装形式实现应用场景全覆盖，多款产品应用于4G、5G、U6G移动通信基站；在NTN领域，推出多款功率放大器产品，用于补充地面覆盖、实现全球无死角连接，支撑6G“空天地海”一体化架构；在低空经济领域，功率放大器同样扮演着重要角色，多款产品开发布局参与低空经济建设。

    2、射频芯片

    国博电子射频芯片主要包括射频放大类芯片、射频控制类芯片，广泛应用于移动通信、通信感知、卫星通信等系统设备和手机、无人机、物联网等终端产品。公司基站类射频芯片产品主要用于通信系统设备发射和接收时的信号控制、切换、放大等功能，产品包含低噪声放大器、功率放大器及射频大功率开关等，是国内基站射频器件的核心供应商。公司终端类射频芯片产品包含射频开关、天线调谐器、WIFI模组、终端模组等，供应链韧性及质量控制能力得到客户认可，已经开始向多家业内知名终端厂商批量供货；同时基于新型半导体工艺开发完成手机PA等新产品，逐步开始向客户供货。

    （1）射频放大类芯片

    公司射频放大类芯片产品主要包括低噪声放大器（Low-NoiseAmplifier，简称LNA）和功率放大器（PowerAmplifier，简称PA）。低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频信号放大，处于接收链路的前端，低噪声放大器的性能对整个通信设备的信噪比等指标至关重要。功率放大器的作用是对发射通道的射频信号进行放大，是无线通信设备射频的核心组成部分，影响整个无线通信设备发射性能、系统功耗等重要指标。

    （2）射频控制类芯片

    公司射频控制类芯片产品主要包括射频开关和数控衰减器。射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件，用于信号切换到不同的信号通路中去。数控衰减器主要用来控制微波信号幅度，实现对信号的定量衰减，通过数控衰减器调整射频链路的信号幅值，能够保证信号处在合适的电平上，从而防止发生过载、增益压缩和失真。

    (二)主要经营模式

    国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，具备满足不同平台、不同需求的提供射频系统集成解决方案的能力。公司构建了科学合理的经营模式，拥有完整的研发、采购、生产、销售及服务体系

    公司根据主营产品类别和行业特点，设立了科学合理的经营模式，从芯片设计Fabless模式逐步向Fabless模式和IDM模式相结合转型。其中，在T/R组件和射频模块领域，公司采取IDM模式，主要负责芯片设计，组件和模块的设计、制造以及测试，芯片的生产、封装一般委托第三方厂商或机构完成；在射频芯片领域，公司采用Fabless模式，负责射频芯片的设计和质量把控，芯片的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。

    公司建立了完备的采购控制程序和质量管理体系，建立了合格供应商名录；公司建立了较为完善的营销体系，与主要客户建立了稳定的合作关系，积极跟踪客户需求，依托自身的技术实力研发符合客户需求的产品。

    (三)所处行业情况

    1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

    （1）公司所处行业

    国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。根据《上市公司行业分类指引》和《国民经济行业分类》，公司有源相控阵T/R组件和射频模块所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”，射频芯片所处行业为“I65软件和信息技术服务业”。

    （2）行业基本特点和主要技术门槛

    集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了60多年的发展，如今已成为世界电子信息技术创新的基石。集成电路行业派生出诸如PC、互联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。

    从芯片制造流程来看，集成电路产业链可以分为集成电路设计、制造、封装测试、原材料、设备及软件工具等子行业。集成电路企业往往具有人才密集、技术密集、资本密集等特点，对企业的研发水平、技术积累、研发投入、资金实力和产业链整合能力有较高要求。根据集成电路设计企业是否拥有集成电路生产、封装及测试生产线，集成电路企业主要可分为IDM模式、Fabless模式。

    从信号分类上来看，集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路，其中模拟集成电路用于处理模拟信号（如温度、声音），数字集成电路用于处理数字信号（如0、1），与数字集成电路相比，模拟集成电路具有设计门槛高、制程要求不高、种类繁杂和生命周期长等特点。模拟集成电路的下游市场应用非常广泛，广泛应用于通信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

    国博电子的主要产品包括有源相控阵T/R组件和射频集成电路，这两者均属于模拟集成电路的范畴。随着雷达和通信技术的快速发展，以及智慧交通、低空经济、车（物）联网等下游新兴应用领域的兴起，带动了集成电路行业的加速发展。

    （2）行业政策

    近年来，国家先后出台了多项支持鼓励政策，如加大科技研发投入、优化营商环境、推动产业链协同发展等，旨在提升集成电路行业的国际竞争力。

    在《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划建议》中，航空航天、低空经济被列为战略性新兴产业，第六代移动通信（6G）被列为未来产业，提出要着力打造新兴支柱产业，前瞻布局未来产业，建设现代化产业体系。

    2025年8月，工业和信息化部、市场监督管理总局联合印发《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》，提出推动5G/6G关键器件、芯片、模块等技术攻关，支持三维异构集成芯片等前沿技术方向基础研究，一体推进卫星定位、导航、授时、遥感、地理信息系统、通信、网络等协同发展。

    2025年《“十四五”数字经济发展规划》中期评估及配套政策中，提出强化“强链补链”专项行动，对核心器件出台税收减免与研发补贴，推动“射频芯片-模组-终端”垂直整合，支持龙头企业联合高校共建射频技术创新中心，加速高端射频器件国产替代，提升产业链垂直整合能力，强化技术研发的产学研协同。

    随着国内相关政策的出台，通过加强产学研合作、加大研发投入、优化产业链布局，我国有望在射频集成电路领域实现技术突破，逐步缩小与国际先进水平的差距，并在全球市场中占据更具竞争力的地位。

    2、公司所处的行业地位分析及其变化情况

    报告期内，国博电子是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，产品均属于模拟集成电路，核心技术达到国内领先、国际先进水平。公司紧密结合国家战略新兴产业政策导向和市场需求，坚持创新驱动、产融结合发展道路，建立了以化合物半导体为核心的技术体系，形成了覆盖芯片、模块、组件的系列化产品布局。

    组件领域，公司已成功研制了数百款有源相控阵T/R组件，多个有源相控阵T/R组件定型批产，工程化应用于各个领域，产品市场占有率保持国内领先地位。除整机用户内部配套外，是国内面向各整机单位销量最大的有源相控阵T/R组件平台。公司积极开拓低轨卫星和商业航天等应用领域，多款T/R组件产品已批量交付客户,成为公司2025年度的主要收入来源之一。

    芯片和模块领域，公司立足国内移动通信市场，依托自身的研发实力和丰富的射频集成电路产品经验，形成了系列化的射频集成电路产品，广泛应用在移动通信、通信感知、卫星系统等系统设备，以及手机、无人机、物联网等终端产品，是国内移动通信基站射频器件的核心供应商。公司积极开拓终端领域，终端用射频芯片产品已经开始向多家业内知名终端厂商批量供货，硅基氮化镓功放芯片在业内首次实现了在终端射频领域的量产交付。公司积极开拓新的市场需求，积极开拓低空经济、卫星互联网等应用领域，与下游行业龙头企业紧密合作，聚焦国家经济战略，跟进重大项目工程，部分产品已经完成开发或进入送样阶段。

    3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

    （1）T/R技术创新发展方向

    ①三维高密度异构异质集成。面向下一代射频系统的小型化、轻量化、高性能和低成本要求，业界正积极探索采用异构异质三维集成工艺。该工艺将GaAs、GaN等化合物材料的高性能有源器件、RFMEMS、IPD等高性能无源器件，与硅基低成本、高集成度、高复杂度的数字/模拟/混合电路模块进行三维集成，通过充分发挥不同材料的物理特性优势，最终实现一个完整的二维至三维毫米波集成电路或系统。

    ②阵列超高频化。由于W波段及以上频率电磁波具有高精度扫描、大带宽等特性，使得其在高通量通信、高精度探测等领域有着广阔的应用前景。

    ③阵列数字化技术。数字相控阵是将射频信号转换为数字信号，利用数字信号处理器完成数字波束成形的相控阵体制，其简化了射频通道，且具有指向精度高、动态范围大、波束灵活性高等优势。

    （2）射频集成电路技术创新发展方向

    ①集成化和智能化。集成度的提高可以减小射频前端的体积、降低功耗并提高整体性能，智能化则涉及通过引入感知控制等技术实现射频前端的自适应调整和优化，提高通信系统的性能和可靠性。

    ②高效能和低功耗。射频前端芯片需要在更低的功耗下提供更高的性能，需要更高效率和线性度的功率放大器、更低的插入损耗的射频开关等来支撑通信系统实现更高的数据传输速率和更高阶的调制方式。

    ③超宽带和多频段支持。5G、6G技术以及低空经济需求带来了更宽、更高频率范围的需求，射频芯片需要能够处理更宽的频率范围，以适应多频段和多标准的通信需求，同时需要具备高度的灵活性和可配置性，能够在不同的通信场景下高效工作。

    ④新材料和新工艺。RFCMOS和SOI工艺在低成本、高集成度射频芯片方面已成为主流工艺，GaN等材料以其高的功率密度和效率、高的电子迁移率和击穿电压等优势在相关领域也已得到广泛应用，尤其是低成本GaN工艺的快速发展，以及MEMS工艺在射频领域的商用化推进是未来新材料和新工艺的重要方向。

    （3）新产业：卫星通信、低空经济等新场景迅速发展

    随着科技的不断进步，现代通信技术正经历一场重大变革。高效率、智能化和多样化已成为通信技术发展的核心驱动力之一，射频电子产业正从单一通信功能向“通信-感知-计算”融合方向升级。

    近年来，我国卫星通信市场进入规模化部署阶段。在国家政策的推动和商业资本持续加持下，我国已形成自主可控的卫星产业链，多个低轨星座计划进入密集发射期，卫星通信行业迈入高速增长通道。卫星网络与地面基站网络的融合发展趋势越来越清晰，正从目前独立组网向深度联网、协同服务的方向发展。这种融合发展的趋势不仅能够提高通信网络的覆盖范围和服务质量，还能催生和提升更多新产业和新业态的落地。

    2025年相关政策持续深化落地，低空经济已进入爆发式增长阶段，其发展将驱动能源航空动力技术、无人驾驶技术和新一代信息技术的持续发展和创新。在新一代信息技术产业的支撑下，卫星网络与地面基站网络形成互补，共同构建起一个立体的通信网络，保障低空领域作业更安全高效，高性能射频集成电路的作用不容忽视。

    （4）新业态：新一代移动通信技术发展

    当前国家经济政策对5G/6G、卫星互联网、低空经济等新型基础设施的描述，核心是将其定位驱动未来经济增长的关键新型基础设备，国家政策层面强调协同演进，当前阶段注重5G-A与6G协同发展，在释放5G潜力的同时为6G发展奠定基础。

    目前5G-A已在全面布网，6G已完成第一阶段的技术验证，宏站/小站/皮站全面氮化镓化，MassiveMIMO通道数进一步增加，单站射频集成电路的用量激增；同时低轨星座与手机直连卫星，带动星载高功率集成电路、终端小型化集成电路、地面关口站集成电路三重需求。未来的6G将实现空天地海一体化，实现万物互联场景，对上游芯片、器件的需求旺盛，预计形成新的增长点。

    二、经营情况讨论与分析

    报告期内，面对外部环境变化，公司始终聚焦核心优势，夯实技术研发，推进精益化管理，提升运营质效。

    报告期内，公司实现营业总收入238599.95万元，较上年同期下降7.92%；实现营业利润54111.83万元，较上年同期增长5.25%；实现利润总额54073.76万元，较上年同期增长5.17%；实现归属于母公司所有者的净利润50752.63万元，较上年同期增长4.72%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润49328.66万元，较上年同期增长3.50%；实现基本每股收益0.85元，较上年同期增长4.94%。

    报告期末，公司总资产为855804.12万元，较期初增长7.04%；归属于母公司的所有者权益为646551.75万元，较期初增长4.52%；归属于母公司所有者的每股净资产为10.85元，较期初增长4.53%。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1、技术创新优势

    国博电子坚持技术引领、创新驱动，立足自主创新，在有源相控阵T/R组件和射频集成电路领域拥有深厚的技术积累，建立了以化合物半导体为核心的技术体系，核心技术达到国内领先、国际先进水平，产品覆盖芯片、模块、组件，广泛应用于移动通信基站和终端、卫星领域、雷达探测等领域。

    公司结合技术发展趋势和市场需求痛点，进一步推进新材料、新器件的开发应用，进一步完善和拓展产品种类及谱系，积极推进建立集成开发设计研发体系，推进先进封装技术产品化应用，合理布局一代（Si）、二代（GaAs）、三代（GaN）半导体射频IC和模块的技术研究和产品开发，强化客制化产品定向设计开发优势，聚焦重点应用有计划地开展技术研究和产品开发，持续拓展系统级应用市场。

    在T/R组件领域，公司建立了设计平台、微波高密度互连工艺平台、全自动通用测试平台，在高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计等技术领域积累了关键核心技术。在射频集成电路领域，公司以化合物半导体为基础，掌握了非线性仿真设计、模拟电路设计与仿真、芯片可靠性分析与测试等核心技术，形成了射频芯片和模块、微波毫米波芯片等产品。

    2、产品优势

    公司基于化合物半导体核心技术，形成了系列化的产品结构和产业化的生产能力，产品覆盖芯片、模块和组件，具备为有源相控阵雷达、移动通信基站和终端以及其他相关垂直应用提供成套解决方案的能力。

    在有源相控阵T/R组件领域，公司持续专注高频高密度领域业务，产品主要集中于多通道、高频、高集成方向。公司现已研制了数百款有源相控阵T/R组件，具有体积小、重量轻、集成度高、性能优异等特点，多个有源相控阵T/R组件定型批产，工程化应用于各个领域。除有源相控阵雷达外，公司在低轨卫星和商业航天领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款T/R组件产品已大批量交付客户。

    在射频集成电路领域，公司主要产品包括射频放大类芯片、射频控制类芯片、大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站和终端等领域。公司射频集成电路及模块产品已经在国内4G、5G移动通信领域实现大批量供货，在5G-A移动通信崭露头角。针对终端应用的射频开关、天线调谐器产品，逐渐形成完备产品谱系，实现大批量出货。针对卫星通信、下一代移动通信（6G/U6G）通感一体等领域需求，开展多款射频芯片产品的开发，部分产品已完成交付。尤其是为适应未来卫星互联网终端对于高功率、大带宽等应用场景的要求，解决此领域传统GaAs功率放大器在高频下功率密度接近极限的困境，公司基于新一代半导体低压硅基氮化镓工艺开发了多款高功率、高带宽、高效率的功率放大器，填补了行业空白，实现了行业内首次大批量出货。

    3、品牌与客户优势

    国博电子设立以来获得了多项荣誉，积累了良好的品牌声誉。公司于2020年获赛迪网、《互联网经济》杂志评选的“2020行业信息化竞争力百强”和“2020行业信息化领军企业”；2020年获某主流移动通信设备供应商“供应商最佳交付奖”和“优秀质量协作奖”、2022年获某主流移动通信设备供应商“最佳协同奖”；2021年和2022年入选南京市“独角兽”企业，2023年获评为“江苏省优秀企业”，2024年获评“2023-2024年度射频芯片市场最佳产品奖”，2025年获评“科创板价值50强”，获某主流移动通信设备制造商“终端BG联合创新奖”“ICT年度最佳合作奖”。公司全资子公司国微电子入选“江苏瞪羚企业”。

    公司致力于有源相控阵T/R组件和射频集成电路领域系列产品的研发、生产和销售，并形成了相关核心技术。依靠卓越的科研能力和优良的产品质量，国博电子的产品得到了市场的认可，同下游单位建立了良好的企业形象和合作关系，主要客户为各科研院所、整机单位和移动通信设备制造商。

    4、人才优势

    公司的研发管理团队、生产管理团队、质量管理团队和市场销售团队具有丰富的集成电路行业相关经验，具备扎实的专业能力和丰富的管理经验。公司核心管理团队构成合理，涵盖经营管理、技术研发、市场营销、生产运营、质量控制、财务管理等各个方面，互补性强，保证了公司决策的科学性和有效性。

    公司高度重视研发人才队伍建设，通过不断引进行业专家并持续培养内部人才，组建了涵盖电子、通信、计算机、化学、材料等跨学科的复合型团队。截至本报告期末，国博电子共有研发人员466名，较上年同期增加了53名，研发人员占比26.24%，较上年同期提高了2.81个百分点。截至本报告期末，核心技术人员累计获得国家科学技术进步奖1项、国防技术发明奖1项、国防科学技术进步奖9项、中国电子学会科技进步奖3项和中国电子科技集团科学技术奖18项。

    公司结合发展需要，开展多层次人才培训，持续推动全体员工提升职业素质、提高履职能力。公司以服务中心工作为出发点，以促进人才健康成长为目标，以提升人才能力素质为核心，结合实际工作需要，制定员工培训教育管理制度，大力加强和改进公司教育培训工作，全面提升教育培训质量，不断改进和加强公司人力资源教育培训工作，推进员工教育培训工作科学化、制度化、规范化，培养造就高素质的员工队伍。

    5、产业链优势

    国博电子深耕射频电子专业技术领域，形成了从芯片到模块、组件的产业链布局，具备了射频微波毫米波核心技术领域的自主知识产权。公司以市场需求为导向，以核心产品为突破口，以优化性能、降低成本为动力，按照重点突破、平台支撑、体系推进的思路，推动T/R组件和射频集成电路产品设计、制造、测试验证能力体系成系统的发展。

    公司加快推进射频芯片和组件产业化项目，进一步提升射频芯片、模块和T/R组件领域的研发能力和制造能力。实现T/R组件设计技术、工艺制造技术、测试、可靠性评估等能力提升，实现移动通信射频芯片和微波毫米波芯片设计研发、在片测试能力提升，提高自动化设备占比，提高产线的柔性化和智能化，提高产线规模、完善产品结构布局，满足日益增加的市场需求。

    (一)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    （1）T/R组件领域

    国博电子具备T/R组件产品设计平台、高密度高精度三维集成工艺平台以及全自动通用测试平台，积累了关键核心技术，研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项。公司自主研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。

    公司积极推进射频组件设计数字化转型，开展设计平台数智化建设，通过自动化软件开发与实战化应用，实现T/R组件设计关键环节效率的大幅提升。重点围绕W波段有源相控微系统，开创性建立W波段产品谱系，通过自主创新的异构集成技术开发和无源传输技术攻关，实现产品异步开发，建立W波段管芯模型设计相应的多通道多功能芯片，填补公司在该领域多功能芯片空白；低剖面宽带毫米波数字阵列，突破了高密度集成封装、毫米波高效率大功率等关键技术新领域，持续开展相关关键技术攻关，拓宽超宽带T/R组件产品谱系、形成超宽带被动接收机谱系，打造高集成度功分网络产品，为新一代产品开拓打下基础。公司积极开展T/R组件应用领域拓展，在低轨卫星、商业航天、通信等多个领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款产品已开始交付客户。

    （2）射频模块领域

    公司的GaN射频模块主要应用于4G、5G基站设备中，并积极布局6G移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。

    公司推出的新一代金属陶瓷封装GaN射频模块及塑封PAM等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。

    公司在先进封装领域不断优化工艺技术，新型高导热材料封装技术、低成本塑封空腔封装技术等陆续应用，持续提升成品率、降低生产成本，保证产品的竞争力。加快封装基板研究、无源传输设计、三维堆叠和工艺植球技术攻关，构建微波、数字异构集成产品谱系。

    （3）射频芯片领域

    公司聚焦5G、5G-A、U6G基站和终端应用，针对宽带高线性功率放大器、宽带高线性低噪声放大器等进行产品开发，性能达到国内先进水平。

    公司应用于移动通信终端的射频开关、天线调谐器产品持续规模出货，多款新开发射频开关批量供货，产品性能达到国内先进水平。根据终端市场需求，基于国产化工艺，开关类产品以SPDT/SP4T/SP8T开关为基础，逐步扩展到大功率、卫星通信应用及国产化天线调谐器产品开发，通过产品性能优化和成本优化，满足更广泛的客户需求。

    公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功放芯片，针对手机等终端应用进行设计优化，填补了业内硅基氮化镓功放终端射频应用的空白。新产品攻克了硅基氮化镓外延的晶格缺陷比例高的材料难题，充分发挥了新型三代半导体材料的技术优势，在兼顾功率、效率、带宽等指标的前提下，实现了对传统砷化镓功放的性能提升，并突破了硅基氮化镓功放芯片的量产技术，在业内首次实现了硅基氮化镓功放芯片在终端射频领域的量产交付。

    在卫星通信和感知方面，公司逐步开展毫米波产品开发，拓展产品系列，已形成批量供货。公司将持续加大研发投入，不断提升产品的性能和质量以满足市场需求。此外，公司还针对卫星互联网各类终端开展了产品开发，尤其在终端直连卫星实现高速高通量网络服务领域，公司开发的产品处于行业最前沿，是目前终端直连卫星互联网的先进方案之一。

    1、报告期内获得的研发成果

    报告期内，公司申请发明专利21项，申请实用新型专利5项,申请集成电路设计布图专有权16项；取得发明专利授权3项，实用新型专利授权1项，集成电路设计布图专有权24项。截至报告期末，公司累计获得各类知识产权208项，其中发明专利60项，实用新型专利38项，软件著作权9项，集成电路设计布图专有权101项。

    四、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业总收入238599.95万元，较上年同期下降7.92%；实现营业利润54111.83万元，较上年同期增长5.25%；实现利润总额54073.76万元，较上年同期增长5.17%；实现归属于母公司所有者的净利润50752.63万元，较上年同期增长4.72%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润49328.66万元，较上年同期增长3.50%；实现基本每股收益0.85元，较上年同期增长4.94%。

    报告期末，公司总资产为855804.12万元，较期初增长7.04%；归属于母公司的所有者权益为646551.75万元，较期初增长4.52%；归属于母公司所有者的每股净资产为10.85元，较期初增长4.53%。

未来展望：

(一)行业格局和趋势

    1、有源相控阵T/R组件领域

    在有源相控阵T/R组件领域，信息化迭代与数字化升级正驱动行业模式深刻变革。随着我国信息化建设战略地位显著提升，人工智能、无人集群作战、智能感知等新域新质力量加速发展，有源相控阵T/R组件作为雷达系统的“核心神经元”，是信息化技术的核心和关键要素，必然将迎来新一轮快速增长。

    第三代半导体材料（GaN）的大规模应用显著提升T/R组件的功率密度与工作频段，支撑相控阵雷达向高频段升级，同时模块化设计（如瓦片式架构）将进一步降低体积与成本，推动单装T/R组件数量跃升。同时，相控阵技术逐步在汽车雷达、气象雷达、低空监测、智慧交通、卫星互联网等领域的应用规模日趋增大，将成为T/R组件领域的另一重要增长点。

    2、射频模块

    我国5G网络建设深度覆盖，根据国家工业和信息化部《2025年通信业统计公报》，截至2025年底，全国移动电话基站总数达1287万个，比上年末净增22.7万个。其中，4G基站为719.2万个，比上年末净增8万个；5G基站为483.8万个，比上年末净增58.8万个。5G基站占移动电话基站总数达37.6%，占比较上年末提升4个百分点。在经历2020-2022年的5G投资高峰后，基站设备制造商固定资产投资增速显著放缓。受此影响，射频集成电路及氮化镓（GaN）射频模块需求出现结构性回调。

    5G、未来6G技术以及衍生的低空需求带来了更宽、更高频率范围的需求，射频前端芯片需要支持这些广泛的频段，以满足多样化的通信需求，支持超宽带频谱和灵活的频率调谐将变得越来越重要。5G-A作为5G向6G演进的过渡技术，通过AI深度融合、通感一体等创新，实现网络速率提升10倍、时延降低至毫秒级，支撑低空飞行器管控、车联网、工业互联网等高价值场景。目前，5G-A技术加速落地，如上海市通信管理局发布《上海信息通信业聚焦提升企业感受持续打造国际一流通信服务能级和营商环境行动方案》，提出2025年新增部署5G-A基站1万个。5G-A需支持Sub-6GHz与毫米波（24.25-52.6GHz）双频段协同，对高频段、高功率射频器件的需求持续释放，要求射频器件向高集成度模组化方向升级，带动GaN等第三代半导体工艺和先进工艺发展。

    3、射频集成电路

    射频集成电路市场由国际巨头主导，但国内厂商在国产替代政策与技术突破下快速崛起，已在部分细分市场占据重要地位。技术向高集成化、模组化、新材料、先进封装演进；市场向汽车、卫星、物联网、6G等新场景拓展。随着5G-A/6G、卫星互联网等新需求爆发，射频集成电路行业将继续保持高增长，国内企业在全球产业链中的地位有望进一步提升。

    (二)公司发展战略

    公司以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，立足新发展阶段、贯彻新发展理念、融入新发展格局，以技术为引领、市场为导向、客户满意度为追求，聚焦主责主业，坚持创新驱动发展道路，不断提升射频集成电路芯片和微波毫米波高密度集成组件的研发与制造能力，建立新技术创新策源地，经济规模和发展质量稳定提升，成为国内领先、国际先进的有源相控阵T/R组件及射频集成电路系列产品生产企业，推动国内射频电子产业协同发展。

    (三)经营计划

    1、产品开发和技术创新

    持续推动产品的低成本、数智化设计。推进产品体系深度布局，充分发挥公司业务优势，体系化推进射频微系统产品化技术，完善拓展组件及模块的产品种类及谱系，进一步提升产品市场推广应用；布局产品域内部协同与保障，推进项目低成本和生产全自动化提升，持续提升设计端统型应用于制造的高效协调适配能力，构建从设计到制造端到端的、快速响应的大通量、低成本研制生产体系。充分利用微电子工艺平台、新材料、新器件的最新进展，综合运用一体化集成技术，进一步提升有源相控阵T/R组件集成能力。

    2、市场拓展

    深度布局有源相控阵雷达、5G-A/6G通信基站射频前端、移动通信终端用射频器件等核心领域，积极拓展商业航天、卫星通信、低空经济感知系统等新兴领域，深化与整机单位、科研院所和国内主流移动通信设备制造商的战略合作，完善市场营销体系和经销商网络，提升核心竞争力，扩大市场份额和客户群体，提高市场响应速度、产品市场占有率和客户服务水平，适应快速变化的市场和技术环境。

    3、精细化管理

    为了加强在科研生产过程中的成本管控能力，提升成本精细化管理水平，落实“高质量、高效益、低成本、可持续发展”的价格全面管控要求。在年度成本管理、产品策划、设计开发、生产制造等环节开展产品成本控制，通过成本管理活动事前科学谋划、事中控制反馈、事后改进提升的有效实施，推动低成本制造、可持续发展的目标实现。

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