晶合集成获得发明专利授权：“嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备”，专利申请号为CN202511704709.4，授权日为2026年4月3日。

专利摘要：本申请涉及一种嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底；衬底上包括经由衬底的第一表面向衬底内延伸的西格玛沟槽；于西格玛沟槽内表面形成缓冲层后，形成覆盖缓冲层的锗烯过渡层；锗烯过渡层包括因初始缓冲层晶格失配及局部应力形成的凸出部；采用脉冲等离子体刻蚀工艺选择性刻蚀并去除凸出部，以及凸出部覆盖的缓冲层；在相同工艺步骤中同期对缓冲层进行损伤修复，并去除锗烯过渡层；形成至少填满西格玛沟槽的锗硅籽晶层。能够避免杂质污染风险，减少缓冲层位错密度，提升硅锗生长质量。

今年以来晶合集成新获得专利授权140个，较去年同期增加了55.56%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目641次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1585条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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