晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202511632272.8，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件设有第一电压区以及第二电压区，半导体器件的制备方法包括：提供基底，基底包括衬底、隔离结构以及掩膜层，掩膜层内具有第一开口，第一开口位于第一电压区且至少暴露部分衬底；基于第一开口刻蚀衬底，以于第一电压区形成第一栅介质沟槽；至少于第一栅介质沟槽的侧壁以及底部形成保护层；于位于第二电压区的掩膜层内形成第二开口，第二开口至少暴露位于第二电压区的部分衬底；基于第二开口刻蚀衬底，以于第二电压区形成第二栅介质沟槽；去除保护层；于第一栅介质沟槽内形成第一栅介质层，且于第二栅介质沟槽内形成第二栅介质层。本申请可以降低具有不同电压区的半导体器件的制备工艺复杂性。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。