清溢光电加码15亿元，投建先进制程掩膜版三期

【导读】清溢光电加码15亿元，投建先进制程掩膜版三期

中国基金报记者 刘墨

11月9日晚间，清溢光电（688138）发布公告称，其控股子公司佛山清溢微计划总投资不超过15亿元，投建“高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期”，产品定位覆盖28nm至14nm制程的高端半导体掩膜版。这是公司2023年佛山基地整体规划中三期项目原定6亿元规模的2.5倍。

公司认为，当前国内先进制程掩膜版国产化率偏低，市场供给较为依赖境外厂商，供应链存在交付周期、价格、合规保供等风险，本项目契合产业链国产替代的长期趋势。

15亿元投什么？

根据公告，该项目建设地点位于佛山市南海区，方式是在佛山清溢微现有厂房基础上改造并引入新设备扩建生产线，预计2026年12月开工，建设期为36个月。投资总额不超过15亿元。

拉长时间线看，这一投资并非新增规划。2023年8月，清溢光电曾公告拟在佛山南海投资35亿元建设佛山生产基地，其中“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”分三期合计拟投资15亿元，其中，一期为6.05亿元，二期为2.95亿元，三期为6亿元。目前，一期已顺利投产，二期正稳步推进。而此次三期单期预算即达15亿元，等于把原规划三期的体量放大一倍以上。

公司将项目定位描述为“面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能”，意在承接国内晶圆厂扩产及制程升级带来的掩膜版增量需求，补齐国内先进制程掩膜版供给短板。

公司表示，目前已实现55nm Binary掩膜版量产、55nm PSM进入客户验证阶段，并掌握电子束光刻、干法蚀刻等中高端掩膜版核心关键工艺。从55nm向28nm—14nm迭代，技术路线具备连贯性，但设备配置与关键工艺攻关的投入强度将显著抬升，这也是单期投资规模大幅扩张的主因之一。

钱从哪来？

与投资公告同步，清溢光电还披露了两份配套资金安排公告。

其一是增加向佛山清溢微的财务资助额度。公司此前已于2026年4月24日审议通过向其提供不超过2亿元财务资助，本次拟新增不超过2亿元，总额度由2亿元提高到4亿元，借款利率为0。

其二是新增为子公司担保额度。公司拟为佛山清溢微新增10亿元担保额度，占最近一期经审计净资产的34.81%。

从经营层面看，三期扩产的底气来自业绩与产能的同步推进。2026年三季报显示，清溢光电前三季度实现营业收入9.74亿元，同比增长4.90%；归母净利润为1.60亿元，同比增长11.02%，加权平均净资产收益率5.60%。分季度看，第三季度实现营业收入3.20亿元，同比增长4.5%；归母净利润为0.42亿元，同比下降19.47%。

公司表示，利润承压并非需求转弱，而是佛山基地厂房与设备集中转固所致——三季度末固定资产达27.33亿元，环比二季度增加8.91亿元；当季综合毛利率为28.24%，环比下滑5.8个百分点。

在11月2日的投资者交流会中，公司表示，佛山平板显示掩膜版基地爬坡顺利并已实现盈亏平衡，半导体掩膜版基地因工艺难度更高仍处于爬坡阶段；期末在建工程已降至1.26亿元，意味着转固高峰基本过去，折旧对报表的边际冲击趋于稳定。

技术层面，55nm Binary掩膜版已实现量产，55nm PSM进入客户验证，130nm至40nm节点PSM与OPC工艺研发稳步推进，28nm节点工艺开发亦已启动，与本次28nm至14nm三期项目形成清晰衔接。

从需求来看，SEMI（国际半导体产业协会）预计2026年中国大陆12英寸晶圆月产能将增至321万片，约占全球三分之一，2027年进一步升至353万片，晶圆厂扩产叠加制程升级，为高端掩膜版本土化配套打开空间。

不过，清溢光电此次三期项目能否如期兑现，取决于设备到位节奏与客户验证周期。

编辑：赵新亮

校对：纪元

制作：鹿米

审核：陈思扬

注：本文封面图由AI生成

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