三星、SK海力士计划升级中国工厂 生产超过200层的NAND芯片

观点网讯：10月21日，据媒体报道，三星电子与SK海力士正计划升级其中国工厂，生产更先进的NAND闪存芯片，以应对AI存储需求增长，并反击长江存储在中国市场的竞争。

知情人士透露，两家公司正努力在中国工厂生产堆叠层数超过200层的NAND芯片，核心是将制造能力提升至韩国本土水平。

报道称，美国自2022年起实施芯片设备出口管制，三星与SK海力士中国厂房的技术升级受限，市场份额逐步被长江存储啃食。

研调机构Omdia数据显示，今年第二季长江存储于中国NAND市场的市占率为38.5%，超越三星的33.5%及SK海力士的17%。

三星西安厂目前生产约200层NAND芯片，占其全球NAND总产量约40%。该厂启动内部代号“Monami”的项目，拟将产线转换为286层V9 NAND，目标今年12月实现每月5000片晶圆产能，2027年12月提升至4万片。三星强调，此次升级符合美方法规，旨在满足全球客户需求，并非扩充总产能。

SK海力士计划将大连厂目前生产的192层产品升级至240层或以上。该厂为其2021年收购英特尔NAND业务所得，现为旗下筹备赴美上市子公司Solidigm唯一的NAND生产基地。

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