长鑫科技拟以130亿元超募资金投建DRAM研发项目 项目投资总额349亿

观点网讯：9月28日晚间，长鑫科技公告，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。

同时，长鑫科技拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。

该二期项目计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。

公告显示，上述两个项目投资总额分别为241亿元和108亿元。

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