这一板块多家公司跌破回购价 “黄金坑”来了吗？

存储概念股披露高速增长的中报数据之后，板块没有止跌，行业发展趋势成为企业与研究机构关注的重点。

存储概念股自7月以来股价大幅回调，为稳定市场信心，多家公司相继推出股份回购计划。然而，市场调整持续，截至9月14日，兆易创新、江波龙、澜起科技等公司的股价已跌破其实际回购价格区间，个别公司甚至低于回购方案的触发价，引发一些投资者关于黄金坑是否出现的讨论。

从盈利数据来看，江波龙、德明利、佰维存储等公司的归母净利润同比增长十余倍至上百倍不等。行业层面，AI算力需求爆发推动了本轮存储芯片的“超级周期”，但海外大厂产能向HBM（高带宽内存）等高端产品倾斜，导致普通DRAM（动态随机存取内存）和NAND（非易失性存储器）供应依然偏紧。与此同时，国产存储厂商长鑫科技与长存控股在技术和营收上取得突破，正逐步进入收获期，但其扩产计划尚不明确，对缓解供应紧张的作用有待观察。

股价走势与基本面背离

“黄金坑”还是“价值陷阱”？

2026年上半年，存储概念股业绩表现强劲，多家公司交出亮眼成绩单。从营收看，江波龙以240.88亿元位居榜首，德明利、佰维存储紧随其后，分别实现营收169.11亿元和155.75亿元。归母净利润方面，江波龙以105.77亿元领跑，佰维存储、兆易创新分别以71.66亿元、68.57亿元位列其后。从增长率来看，德明利营收与归母净利润均实现高速增长，增速分别为311.55%和5201.6%；江波龙归母净利润同比增幅最大，达到了71528.66%；佰维存储、同有科技的归母净利润表现也相当不错，同比增幅也分别达到3273.48%和1502.54%。

业绩高增的另一面是存储板块的股价走势与基本面背离。2026年7月，存储板块迎来集中回调，2026年7月1日至8月1日期间，多只中报业绩表现优秀的存储概念股股价下跌。其中，江波龙、德明利、佰维存储分别下跌50.7%、59.07%、54.32%，回调幅度位居板块前列。

股价回调期间，多家公司推出回购方案，向市场传递信心，试图稳定股价。其中，澜起科技计划回购规模为3亿元—6亿元，于7月29日启动，截至8月31日，公司已通过集中竞价累计回购A股股份91万股，占总股本的0.07%，每股购买价在190.01元—210.00元之间，支付总额约1.83亿元。

澜起科技披露的回购用途为“维护公司价值及股东权益”，并未说明回购股份是否全部注销，兆易创新和佰维存储则明确表示，回购股份用于注销并减少注册资本。其中，兆易创新回购方案实施期限为2026年8月20日至2027年2月19日，预计回购金额10亿元—20亿元，截至8月31日，公司通过集中竞价累计回购股份166.23万股，占公司总股本的0.24%，每股购买价在375.05元—411.95元之间，已支付总额约6.54亿元；佰维存储回购方案实施期限为2026年8月7日至2027年8月26日，每股回购价格不超过468.24元，预计回购总额2亿元—2.5亿元，截至8月31日，公司尚未通过集中竞价开始实施本次回购。

然而，公司的护盘努力暂时未能抵挡市场的下行趋势。9月以来存储板块股价持续回调，有五家已实施回购的公司股价进一步下探。截至9月14日收盘，兆易创新、江波龙、澜起科技、甬矽电子和普冉股份的收盘价均已跌破各自回购成交价格区间，与各自的回购价上限相比，整体折价幅度在9%—14%。其中兆易创新折价幅度最大，9月14日收盘价356.88元较回购价格上限411.95元折价13.37%，普冉股份次之，为11.38%，甬矽电子和江波龙的折价幅度则分别为9.95%、9.41%。而与最初回购方案的触发价格相比，9月14日五家公司的收盘价降幅多数超过50%。

国产存储芯片入局

产能扩张尚不明确

全球存储芯片市场集中度高，2025年及以前长期由韩国原厂主导，其中DRAM领域三星、SK海力士与美光科技合计市占率超过90%，NAND领域三星和SK海力士合计市占率约50%。回顾本轮周期，2025年下半年起，AI算力需求爆发叠加海外大厂产能向HBM倾斜，普通DRAM、NAND供需持续偏紧，价格进入上行周期。

在此背景下，国产存储芯片产业2026年迎来技术与营收规模的双重突破，长鑫科技与长存控股分别主攻DRAM与NAND两大存储芯片晶圆代工赛道。2026年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%，归母净利润为776.05亿元，与上年同期-23.32亿元相比，不仅扭亏，且大幅增长。按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。目前，长鑫科技自主研发的LPDDR6芯片已向关键客户送样验证，正加速推进量产，该产品性能较上一代LPDDR5X实现全面跃升，数据传输峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。

长存控股已建成中国最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，成为全球首批突破200层NAND存储芯片的企业，公司招股书援引TrendForce数据计算，2026年1月—3月，公司在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

尽管国产力量崛起，但行业整体的供给紧张局面在短期内或难有根本性逆转。截至目前，长鑫科技并没有对外明确普通DRAM芯片的扩产规模，长存控股亦未给出普通NAND芯片具体的产量目标。因此，国产代工的崛起能在多大程度上改善普通DRAM与NAND芯片的供应紧张问题，目前尚无定论。

长鑫科技总经理赵纶在9月7日的业绩说明会上向本刊表示，公司已与下游主要客户建立了稳定的合作关系，并根据客户需求和市场预测来制定生产计划。“同时，作为IDM厂商，我们具备一定的产能调节灵活性，可以根据市场变化动态调整产品组合和产出节奏，以应对市场波动。”

回到全球供给层面，2026年海外三大存储原厂对普通DRAM和NAND的扩产整体克制，绝大部分产能增量被高端存储芯片（HBM、300层以上3D Nand）挤占。总体来看，虽然全球存储芯片仍在扩张产能，但目前的增量主要应用于AI服务器，普通消费级存储虽然产能有所恢复，但供给仍然趋紧。

板块跌宕

发展趋势是关注重点

随着二级市场投资热情的持续降温，存储板块仍在下跌，9月1日至14日，存储器指数（8841241.WI）区间跌幅为6.60%，本轮存储周期的后续发展趋势成为企业与研究机构关注的重点。

佰维存储是下游模组厂、企业级存储的代表，9月9日，在公司业绩说明会上回答本刊关于“如何看待下半年存储行业的景气度和市场需求变化”的问题时，佰维存储董事长孙成思表示，根据TrendForce集邦咨询数据，2026年第三季一般性DRAM合约价预计增长13%—18%，NAND Flash合约价预计增长10%—15%。目前不同品类价格走势分化，部分品类持续上涨，部分持平。本轮存储涨价由AI算力需求爆发引起，公司将持续跟踪未来存储行业的发展趋势。

券商研报亦从需求端侧关注行业趋势，东吴证券指出，美光2026财年第三季度DRAM和NAND价格环比分别上涨约60%和85%（含高性能存储），四大业务单元营收均创纪录，后续应重点跟踪DRAM/NAND合约价与现货价、原厂库存及资本开支、晶圆投片和制程迁移、HBM产能转换，以及云厂商资本开支和AI加速器出货节奏。头部云厂商资本开支已进入AI驱动的扩张周期，Bloomberg显示市场一致预期2026年前五大云厂商资本开支合计达6918亿美元，2027年进一步提升至9069亿美元。云厂商加码AI数据中心建设，为HBM（高带宽内存）、DDR（双倍速率同步动态随机存储器）及企业级SSD（固态硬盘）等存储产品需求提供总量支撑。

（本文已刊发于9月19日出版的《证券市场周刊》。文中提及个股仅为举例分析，不作投资建议。）