银河微电拟投资10.78亿元实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”

挖贝网9月22日，银河微电[688689]近日披露关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的公告，公司为提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，扩大集成电路分立器件产品的生产规模，拟以自有或自筹资金人民币10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。

公司2026年9月21日召开第四届董事会第十一次会议，审议通过《关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的议案》，并同意授权公司管理层办理该项目投资的所有后续事项，包括但不限于办理相关审批手续、确定及签署相关协议与文件、项目建设运营等各项具体工作。

项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续和产业化落地环节，前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施，本项目不涉及新增土建，主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。

项目所涉产品，是指采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景，具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半导体器件；主要包含SGTMOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。

公司现阶段产品以常规分立器件为主，相关产品布局相对不足。本项目将新建产线，实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化生产，丰富产品矩阵，优化产品结构，增强综合竞争力。

挖贝网资料显示，银河微电是专注于半导体分立器件研发、晶圆制造、封装测试与市场销售的国家级高新技术企业，长期致力于打造分立器件细分领域综合型专业供应商、高端封测优质服务商，以成为世界知名的半导体分立器件供应商为长期发展目标。