长鑫科技发布G5平台 LPDDR6首次公开展出 传输速率达12800Mbps

大湾区经济网9月21日讯 国产存储芯片迎来技术代际突破。长鑫科技在2026世界制造业大会上正式发布第五代DRAM技术平台（G5平台），同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。值得注意的是，公司8月底刚宣布量产的LPDDR6也在本次大会上首次公开展出，最高传输速率达12800Mbps，较上一代LPDDR5X提升约20%，功耗降低20%，标志着国产DRAM在高端内存标准上实现全球首发量产。

G5平台的技术参数令人瞩目。据长鑫科技副总裁骆晓东介绍，该平台依托创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。存储电容深宽比达45:1，通过高介电常数金属栅（HKMG）工艺，核心功能区高度缩小至6762纳米。在研发过程中，公司引入了AI大模型和全流程数字孪生仿真技术，大幅提升研发效率。性能方面，G5平台每片晶圆产出裸片数量较第四代提升至少50%，在产品能效和成本控制上均具备显著优势。

本次大会同步展出了两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball和245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、可穿戴设备、平板电脑等多种场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

值得关注的是，长鑫科技的技术突破正在加速向终端产品转化。公司已率先将LPDDR5X新品适配智能手机场景，并与小米宣布全球首发量产先进的低功耗存储器，首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。展会现场，努比亚NaviXUltra搭载的长鑫最高速率10667Mbps LPDDR5X内存也引人注目，这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片的首次量产应用。此外，长鑫科技还展示了全球首款由中兴通讯与字节跳动联合研发的AI智能体手机——“豆包手机”。

从产业格局看，长鑫科技近年来技术升级飞速。骆晓东在会上回顾，2019年公司正式官宣第一代DDR4内存芯片投产，打破了DRAM产品长期被海外垄断的局面，此后完成了从第一代到第四代技术平台的迭代，并实现DDR5量产。此次G5平台的发布和LPDDR6的首展，意味着中国存储企业的研发生产水平已跻身全球前列，为国产存储芯片在AI时代的竞争中赢得重要话语权。

文/徐玲，图为/新品