先进封装赛道“卷”起来了：深科技砸18.5亿元扩产，2.5D新增产能将达1万片/月

本文来源：时代周报 作者：朱成呈

深科技（000021.SZ）的一纸封测产能扩充公告，激起市场的联想。

9月9日晚间，深科技公告称，为满足战略客户需求并把握AI产业增长带来的先进封装需求，公司全资子公司沛顿科技（深圳）有限公司（以下简称“深圳沛顿”）拟实施高端存储芯片封测产能扩充项目，计划总投资18.5亿元。

其中，12.2亿元拟用于新设全资子公司并建设新厂房，项目建成后预计形成传统封测9万片/月、2.5D先进封装1万片/月的产能承载能力；另有6.3亿元用于建设2.5D/3DS先进封装研发线，达产后预计新增2.5D、3DS先进封装产能各100片/月。

深科技此次扩产涉及的核心业务为存储封装测试。公司8月25日披露的2026年半年报显示，其主营业务包括存储半导体、高端制造和计量智能终端等。其中，存储半导体业务主要覆盖DRAM、NAND Flash及嵌入式存储芯片的封装测试。

不过，从公告披露的信息来看，公司此次新增产能对应的具体产品仍不明确。

2.5D/3D封装指的是在封装技术中采用的三维堆叠方式，其中2.5D通常涉及中介层(interposer)用于连接不同的芯片或元件，而3D则直接在垂直方向上堆叠多个芯片。

而AI芯片近年来对高带宽、高速互联的需求增长，使HBM成为先进封装领域的重要应用方向之一。HBM通常需要与GPU、AI加速器等计算芯片通过2.5D先进封装技术集成到中介层，以实现更高的存储带宽。

因此，深科技此次公告同时出现“2.5D”“3DS”“先进封装”等关键词，很容易引发市场联想。

但公司此前对HBM的表态并不激进。6月30日，公司在股票交易异常波动公告中称，HBM技术尚处于研发阶段，预计短期内不会产生相关销售收入和利润。

此次18.5亿元扩产项目与公司此前披露的HBM研发之间，仍存在一个需要厘清的时间差：研发中的HBM，是否已经走到了产业化扩产阶段？此次规划的2.5D/3DS产能，又究竟服务于哪些产品？

时代周报记者就此采访深科技，公司表示，媒体采访需发送至公开邮箱。随后记者发送相关问题，截至发稿尚未收到回复。

9月10日，深科技股价报收36.50元/股，大涨4.32%，总市值为578.5亿元。

大规模量产HBM还有距离

据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据预测，2026年全球半导体行业市场规模将达到1.51万亿美元，其中存储市场规模将超过8000亿美元。

细分至封装测试行业，咨询公司FortuneBusinessInsights数据表明，2025年全球先进封装市场规模为451.3亿美元，预测该市场将从2026年的487.5亿美元增长到2034年的943.3亿美元，复合年增长率为8.6%。

但需要注意的是，先进封装是一个很大的篮子。先进封装通常以RDL（重布线层）、TSV（硅通孔）、Bump（凸点）和Wafer（晶圆）等工艺为核心技术要素，覆盖晶圆级封装、2.5D/3D封装等多种技术路径。

“深科技此次18.5亿元扩产中，真正技术含量较高的是其中6.3亿元的2.5D/3DS研发线。2.5D/3D封装涉及TSV、微凸点键合、RDL等关键工艺，国内具备相关能力的企业并不多。”深度科技研究院院长张孝荣向时代周报记者表示，深圳沛顿本身已经有8层、16层堆叠，HBM样品也过了部分客户验证，还给国产存储做封测。

张孝荣认为，这意味着深科技已经具备切入HBM相关产业链的基础，但其角色仍然是封测和2.5D异构集成环节，而不是HBM原厂。“这个技术含量不低，离大规模量产HBM还有距离。”

5月21日，有投资者直接询问深科技在HBM、TSV等高端存储封测领域的技术储备，与安靠（Amkor）、美光等国际厂商相比还有多大差距，并追问市场传闻的“HBM3良率极高”“通过海外头部AI芯片厂商认证”等说法是否属实。深科技对此并未正面回应，仅表示正积极推进材料国产化与先进封测技术研发。

先进封装扩产，正在变得拥挤

AI算力需求正在把先进封装推到半导体产业链的前台。

过去，芯片性能提升更多依赖制程微缩。如今，先进制程成本不断上升，摩尔定律继续向前推进的代价越来越高，行业开始寻找另一条路径：不再一味追求把晶体管做得更小，而是把更多芯片以更高密度连接起来。

国泰海通在研报中指出，随着芯片数量、互连密度和系统规模不断提升，先进封装正在从芯片制造的配套环节，变成实现异构集成的核心平台。

产业趋势确定后，另一个问题也开始浮现：越来越多的封测厂商正在同时押注先进封装。其中，存储芯片封测成为国内封测企业扩产的重要方向。

今年以来，通富微电（002156.SZ）、华天科技（002185.SZ）和深科技均在加码存储封测。通富微电拟投入8.88亿元提升存储芯片封测产能，华天科技控股子公司拟投入30亿元建设存储集成电路封装测试项目。

钱正在加速流向先进封装，但产能扩张的速度，可能已经快于需求兑现的速度。

深科技此次规划新增2.5D先进封装产能1万片/月，张孝荣向时代周报记者表示，若以2028年为观察节点，这一规模在国内大致处于第一梯队后段，与通富微电目前规划的规模相近。

放到全球市场看，1万片/月也已是一定规模。据张孝荣估算，台积电CoWoS产能到2026年底或达到12万片/月至14万片/月，全球相关产能接近20万片/月。由此计算，深科技新增产能约占全球相关产能的5%。

问题也随之出现：如果多家封测企业同步扩充先进封装产能，未来市场是否能够消化这些新增产能？

“目前国内已有多家企业在建设2.5D先进封装产线。从现有项目和规划来看，盛合晶微在国内2.5D封装领域的产业化进展相对靠前，其现有产能已经能够覆盖相当一部分国内需求。”半导体资深业内人士吴梓豪向时代周报记者表示，长电科技（600584.SH）、通富微电、甬矽电子（688362.SH）、深科技以及其他封测企业也在布局2.5D先进封装。若相关项目集中落地，未来国内2.5D封装产能可能明显高于实际需求。

在吴梓豪看来，产能之外，更值得关注的是先进封装产业链的主导权变化。他认为，先进封装未来可能更多由晶圆代工厂（Foundry）主导。

原因并不只是封装技术本身，而在于3D堆叠对前端设计和制造环节的介入越来越深。上下层Die的TSV（硅通孔）位置、电源网络、热分布以及时序等参数，需要在芯片设计阶段进行协同规划，并在RTL（寄存器传输级）阶段考虑。对于同时掌握晶圆制造和先进封装能力的IDM或Foundry而言，这种从芯片设计、晶圆制造到封装的协同能力，是传统OSAT（外包封装测试）厂商较难通过单纯扩充封装能力实现的。

从全球市场来看，这一产业格局已有一定体现。台积电以CoWoS为代表的先进封装业务占据重要市场份额；英特尔布局EMIB、Foveros等技术，三星则发展I-Cube、X-Cube等先进封装技术。日月光、矽品、安靠能拿到的只是台积电不想做的oS段（将芯片封装到基板上）与bumping（芯片上制作“凸点”，属先进封装中段硅片加工的基础工艺）。

先进封装的竞争可能不再只是封测厂商之间的产能竞争，而是逐渐演变为芯片设计、晶圆制造与封装能力之间的系统竞争。对于深科技而言，最大的对手或许不止是长电科技、通富微电、甬矽电子、盛合晶微。