AI内存狂潮催生“单季抵三年”业绩神话！三星Q2利润暴增19倍创新高 股价却因预期“跑太快”反遭重挫

智通财经APP获悉，在人工智能(AI)对存储芯片近乎失控的需求推动下，三星电子交出了一份堪称“炸裂”的成绩单。该公司7月7日(周二)公布的初步业绩显示，今年第二季度(4月至6月)营业利润同比飙升19倍，达到创纪录的89.4万亿韩元(约合580亿美元)，不仅大幅超越市场预期，更凭一个季度的利润盖过了2023年至2025年三年利润的总和。

然而，资本市场却对此给出了“不及预期”的冷酷评判。三星电子股价在周二开盘即大跌，盘中跌幅一度扩大至近6%，拖累整个半导体板块进入“调整阶段”。

业绩创纪录，市场却喊“失望”

根据三星电子的监管申报文件，第二季度营业利润初步统计为89.4万亿韩元，这一数字显著超过了分析师平均预期的84.2万亿韩元。去年同期，三星的营业利润仅为4.7万亿韩元，这意味着在短短一年间，其季度盈利能力实现了近19倍的爆炸式增长。营收同样亮眼，同比增长129%至171万亿韩元(约合1110亿美元)。

然而，就是这样一份刷新历史纪录的财报，却被证券界普遍贴上“盈利不及预期”的标签，核心原因在于，市场预期早已跑在了业绩前面。

在计入5月劳资协议中与营业利润挂钩的巨额绩效奖金后，部分分析师此前已将营业利润预期上修至90万亿至100万亿韩元。BNK投资证券的分析师Lee Min-hee指出，若剔除此类奖金拨备，三星实际经营利润本可轻松突破100万亿韩元。此外，奖金支出分配至整个半导体部门，预计还将导致其晶圆代工和逻辑芯片业务在当季的亏损进一步扩大。

这种“利好出尽”的走势对三星而言并不陌生。统计显示，在过去八次初步业绩发布中，三星股价有四次在发布当日或次日收跌，包括此前营业利润首次突破20万亿韩元的季度。唯有在2026年第一季度，当57.2万亿韩元的营业利润大幅超出市场共识时，股价才在发布当天及次日分别录得上涨。

AI“芯”荒推升价格，定价权与监管风险并存

此次利润狂飙的根本驱动力，在于全球AI基础设施建设的狂热浪潮已从高端的高带宽内存(HBM)全面蔓延至传统的DRAM与NAND闪存领域。英伟达(NVDA.US)CEO黄仁勋等科技巨头高管持续警告，存储芯片短缺是当前AI发展的关键瓶颈。由于制造商优先将产能分配给利润更高的服务器产品，用于智能手机和PC的常规存储芯片正面临历史性的供应紧张。

花旗研究的数据显示，第二季度DRAM平均售价环比上涨44%，NAND闪存均价涨幅更高达53%。汇丰的测算也佐证了这一趋势，分别录得逾40%和逾50%的价格跳升。CLSA证券韩国研究主管Sanjeev Rana指出，需求的强劲程度已使三星等厂商获得极大定价权，可向其包括英伟达在内的大客户提出显著的涨价要求。

并且，短缺的状况短期内难以缓解。分析师普遍预计，存储芯片的供不应求将至少持续到2027年，从而使三星、SK海力士和美光科技(MU.US)持续享有巨大的议价空间。为锁定产能，下游客户正越来越多地寻求签订长期供应协议，这进一步巩固了价格高企的预期。

市场研究机构Counterpoint预计，当季三大存储巨头的平均营业利润率将高达75%至80%。不过，该机构同时发出警告，如此惊人的利润率已构成“过度获利”，若该状况延续，行业可能面临监管压力。

涨势进入调整，长期风险与雄心并存

在三星的业绩引发获利回吐后，半导体股普现疲态。SK海力士股价同日一度下跌近4%，美国存储厂商美光及闪迪(SNDK.US)在盘后交易时段也跟随走低。摩根士丹利在评论中称：“半导体板块的涨势已进入速度调整阶段。”

放眼长远，行业面临的最大风险是AI基础设施投资可能出现放缓。美国数据中心建设因劳动力短缺、电力瓶颈和地方反对等问题面临延迟，一旦这些压力传导至上游，AI硬件供应链的需求将受到削弱。但也有分析人士认为，此轮存储芯片的景气周期正变得更加具有结构性，因为新建一家存储晶圆厂动辄数年，产能扩张的速度远赶不上AI需求的爆发。

三星显然在为更长期的竞赛做准备。公司上周刚刚宣布了到2040年在韩国投资2100万亿韩元的宏大计划，并已规划在2026年投入超700亿美元用于产能扩张与研发。三星与SK海力士同为韩国争当AI领导者的核心支柱，两大集团均计划在韩国西南部新建多座晶圆厂，合计投资额高达800万亿韩元，目标是推动韩国在五年内将存储芯片产能翻一番。