AI算力军备竞赛狂潮从纽约跨太平洋到广岛 美光(MU.US)日本工厂存储扩产瞄准2028年供给

智通财经APP获悉，美国存储芯片巨头美光科技(MU.US)周六在日本西部工厂的存储芯片产能扩建项目上破土动工，这是一项耗资1.5万亿日元(大约93亿美元)的超级产能扩张工程，旨在生产最先进制程与先进封装体系打造出的HBM/DRAM/NAND存储芯片。

美光在日本扩建先进存储产能，对于AI算力投资主题的核心影响并不在于“短期供给宽松”，而是AI算力超级周期已经从英伟达/AMD GPU或者谷歌TPU这类AI芯片单点叙事，全面扩散为HBM以及DRAM、NAND存储芯片、2.5D/3D先进封装、数据中心CPU与光互连系统、半导体原材料与设备、数据中心电力系统等多个AI算力基建环节共同参与的系统性AI资本开支周期。

在华尔街金融巨头高盛看来，围绕AI算力链的全球牛市远未完结，市场主线已经从2008年长期以来的“编程/代码驱动的软件轻资产软件估值扩张”升级为“围绕一系列实体资产的AI算力基础设施再定价”。

另一金融巨头摩根士丹利表示，AI算力军备竞赛进入系统级扩张阶段，该机构对于2026年美国大型科技巨头们资本开支预期从一年前的4330亿美元大幅上修至8050亿美元，2027年资本开支则有望达到1.1万亿美元较此前预测的9500亿美元再度上调。大摩的最新预期可谓凸显出AI算力基础设施层面的供应链瓶颈已经从“大规模购买GPU/ASIC”扩展到“力争同时解决数据中心电力设备、液冷散热、数据中心CPU、DRAM/NAND/HBM、光通信/光互连、高性能网络互连、变压器、燃气轮机等整套完整链条的AI数据中心交付流程”。

AI算力基建引爆存储军备竞赛! 美光1.5万亿日元扩建广岛大型芯片工厂

这家总部位于爱达荷州博伊西的美国存储芯片巨头正在广岛建设该设施，用于生产高带宽内存(HBM)等存储芯片;这类存储芯片组件对英伟达等AI芯片领军者们打造出的数据中心AI算力集群至关重要;美光管理层此前预计大规模批量出货将于2028年夏季前后开始。日本经济产业省已拨款最高5000亿日元补贴，以帮助覆盖成本。与SK海力士以及三星电子定位类似，美光也是向英伟达等AI芯片领军者们供应高带宽内存，即HBM存储系统的最核心供应商。

这一举措是这家美国芯片巨头为满足AI算力相关的近乎无止境存储需求而在全球范围扩大产能的重要部分。美光正在博伊西建设两座前沿晶圆厂，并于1月为纽约州锡拉丘兹郊外一个价值高达1000亿美元生产基地举行了破土动工仪式，这是其提高美国本土DRAM/NAND产量承诺的一部分。

“美光第一片HBM生产晶圆——用于处于AI训练/推理中心核心地位的存储技术，正是在广岛这里制造出来的，”美光首席执行官Sanjay Mehrotra在中央和地方政府官员出席的仪式上表示。“当美国的大胆精神遇上日本的工匠技艺与顶级原材料、半导体设备供给，你得到的不是妥协。你得到的是世界最佳。”

日本工厂扩建将帮助美光提高AI数据中心和自动驾驶车辆等前沿科技领域所需存储芯片的功率效率和最终芯片制造、封装测试效率。加上用于支持研发的资金，日本政府迄今已为这家美国芯片公司划拨约7750亿日元。

自2021年以来，这个亚洲国家已为半导体和AI大型建设项目预留数百亿美元支持资金，力求在一个被视为国家安全核心的领域取得领导地位。上个月，日本首相高市早苗发布了一份投资路线图，目标是到2041年3月，将半导体和AI基建领域的私人及公共投资规模提高至101.6万亿日元，但没有说明其中有多少将来自政府财政资金。

“美光广岛工厂的优势在于供应链效率，以及能够迅速向客户交付尖端和高性能产品，”美光日本部门代表董事Kota Nosaka表示。“在这里创造下一代存储芯片，直接关系到美光的未来增长战略。”

美光早在2013年收购陷入破产危机的日本DRAM制造巨头Elpida Memory Inc.存储公司时，接手了广岛工厂。

日本拥有许多先进芯片材料和半导体设备领域的最为关键企业，但在成品半导体领域已基本让出领导地位。Nosaka表示，广岛工厂目前所需芯片制造原材料约80%来自日本。

供不应求或延续至2028年，三大存储芯片巨头继续奏响存储牛市狂想曲

无论是谷歌无比庞大的TPU AI算力集群，抑或天量级别英伟达AI GPU算力集群，均离不开需要全面集成搭载AI芯片的HBM存储系统，叠加当前科技巨头们加速新建或扩建AI数据中心必须大规模购置服务器级别DDR5存储以及企业级高性能SSD/HDD;而三星电子、SK海力士以及美光科技正好同时卡在这三块最核心存储领域：HBM、服务器高性能DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端数据中心级别SSD，是“AI内存+存储堆栈”里最直接的受益势力，可谓吃到AI基建浪潮的“超级红利”。

GPU负责生成智能，HBM/DRAM负责高速喂数，企业级NAND/eSSD负责热数据与缓存，而HDD负责天量级别的冷/温数据的长期留存，因此高盛等华尔街金融巨头们认为云计算巨头们主导的AI算力军备竞赛正在把存储芯片从周期品推成稀缺战略资产，2026年DRAM/NAND涨价不是尾声，而可能是超级周期的初步阶段。

知名半导体产业链研究机构SemiAnalysis最新发布的一项研究显示，尽管中国DRAM存储巨头长鑫存储未来几年将维持全球最快的扩产节奏之一，但SemiAnalysis并不认为这会改变DRAM市场供给偏紧的大趋势。相反，该机构认为，AI服务器、高性能计算以及云计算基础设施建设正在持续推高存储需求，而新增产能释放速度仍难以追上需求增长。

根据SemiAnalysis测算，即便将长鑫存储、三星、SK海力士和美光等主要厂商的扩产计划全部纳入模型，2026年全球DRAM市场仍将面临高个位数比例的供应缺口;到2027年，供需缺口甚至可能进一步扩大至低至中双位数水平。基于这一判断，该研究机构预计DRAM供给紧张格局有望延续至2028年前后——即美光日本广岛工厂大规模出货前后。换句话说，即便长鑫存储快速崛起并持续扩产，也难以从根本上扭转行业供不应求的局面，这也是SemiAnalysis持续看多DRAM价格以及整个HBM/DRAM/NAND存储行业景气周期的重要逻辑基础。

华尔街知名投资机构野村本周发布最新研报，反驳“半导体见顶论”。野村反驳“半导体见顶论”的关键，不是简单说AI芯片还会涨，而是指出AI云基础设施需求正在从单点GPU短缺扩散为系统性零部件错配。按照野村研究框架，2026年和2027年AI服务器营收预计分别增长78%和76%，全球数据中心项目从240个增至280个，其中吉瓦级项目约50个，2027年新增算力部署预计达32GW，2028年也已有23GW可见度;但真正瓶颈正在从GPU产能、台积电CoWoS先进封装向存储芯片、晶圆级基板、AI PCB、覆铜板(CCL)、电子布、MLCC、玻璃基板/ABF基板、IC载板、高端电容、电源管理芯片和数据中心光学类高速光互连元件外溢。

华尔街目前对于美光的最乐观目标股价是来自知名资管机构DA Davidson的高级分析师Gil Luria给出的每股2000美元，评级维持“买入”，目标价由,500美元大幅上调至2000美元。按美光最新约975.56美元股价计算，这一目标价对应约105%潜在上行空间;若股价达到2,000美元，对应潜在市值约2.29万亿美元，也就是接近2.3万亿美元级别。

Gil Luria的核心看涨逻辑基本上可以概括为：AI算力基础设施扩张正在拉长本轮存储上行周期，美光不再只是传统强周期DRAM内存条公司，而是在HBM、服务器DRAM/NAND和长期供货协议重塑下，获得更强盈利可见度与更高估值倍数的AI算力瓶颈资产。 他此前强调，本轮存储周期不同于以往“扩产—过剩—价格崩盘”的旧范式，AI算力建设可能无限期延长需求景气;同时，美光签署多年期HBM/存储销售协议，提升未来收入和EPS清晰可见度。