IBM(IBM)发布全球首款1纳米芯片技术 盘前扬升4.12%

金吾财讯 | IBM(IBM)周四宣布了一项历史性的半导体技术突破：推出全球首款突破1纳米(sub-1 nm)瓶颈的芯片技术。该技术采用革命性的0.7纳米(即7埃，7 Angstrom)工艺节点，并首次引入了全新的三维“纳米堆叠”晶体管架构。

据官方公布的测试技术报告，新型0.7纳米芯片可在仅有指甲盖大小的硅片上集成了近1000亿个晶体管，其晶体管密度几乎是IBM在2021年推出的2纳米芯片的两倍。相较于当前的2纳米制程，该技术预计将带来高达50%的性能提升，或在同等性能下降低高达70%的能耗。同时，新架构成功实现了40%的静态随机存取内存(SRAM)尺寸微缩，意味着芯片设计商能够在同等面积下塞入更大的缓存，从而完美契合生成式人工智能和现代云基础设施对高带宽数据传输的极端需求。

作为本轮技术突破的核心，IBM研究院开发的“纳米堆叠”技术是全球首个已知的三维纳米片设计，它颠覆了目前主流的平面微缩逻辑，通过3D顺序集成技术，将晶体管在垂直方向上进行堆叠和交错。

IBM研究部主任杰伊·甘贝塔对此评价道：“这标志着计算机芯片开始从纳米时代正式迈向原子级尺度。通过纳米堆叠架构，我们不仅仅是在制造更小的晶体管，而是彻底重新发明了芯片的构建方式。它将确保全球逻辑芯片技术在未来至少十年内依然拥有持续微缩的路线图。”

目前，该技术已通过极其严苛的CMOS互连与双通道工程实验验证，成功运行了功能性CMOS反相器，证明了该3D物理架构在实际计算中的可行性。

据悉，该项尖端前沿研究由IBM与其位于纽约奥尔巴尼的全球半导体研究联盟共同完成。该研究中心近期将部署由ASML制造的高数值孔径极紫外光刻机，该设备能够实现超高精度的电路印刷。包括泛林集团、东京电子以及屏幕半导体在内的全球半导体设备巨头目前正与IBM通力合作，共同开发High NA EUV的配套工艺。

此外，IBM还披露了其此前成立的全球首家纯量产晶圆代工厂Anderon的战略布局，旨在确保未来先进工艺及量子晶圆的本土供应链安全。根据IBM的半导体路线图规划，这项代表人类芯片制造最高精度的0.7纳米“纳米堆叠”技术，预计最快将在未来5年内(即2031年前后)步入商业化量产阶段。

截至本文发稿，IBM美股盘前股价扬升4.12%，最新报273.80美元。