长鑫科技 IPO：业绩飙升市占率中国第一，产品迭代与业绩稳定性成最大挑战

行业周期波动与国际竞争压力交织，长鑫科技任重道远。

5月27日，科创板首单采用预先审阅机制的IPO企业长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）将参加上交所审议会议，接受上市委员有关其是否符合发行条件、上市条件和信息披露要求的审核。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，公司专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X，核心产品及工艺技术已达国际先进水平。

2023年至2025年，长鑫科技营业收入复合增长率高达160.78%，最近一年营收突破600亿元；累计研发投入206.05亿元，占最近三年累计营收的比例为21.67%；截至2025年12月31日，公司研发人员6259人，占员工总数的比例为32.43%，共拥有境内发明专利3,165件，具备较为显著的科创属性。

根据Omdia全球厂商2025年第四季度DRAM销售额统计，凭借不断优化的产品结构、持续迭代的工艺水平、日臻成熟的运营能力以及广泛的市场认可，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%，位列国内第一、全球第四，仅次于国际三大存储巨头三星电子、SK海力士与美光科技。

得益于2025年下半年全球DRAM市场供不应求对产品价格的快速拉升，以及公司规模效应的持续显现，长鑫科技毛利率呈现快速上升趋势，逐步向行业头部厂商水平靠近。2025年与三星电子、美光科技毛利率基本一致。不过，随着国际厂商新增产能逐步推进，行业周期将迎拐点，公司产品技术仍存代差，盈利稳定性面临一定的挑战。

行业新产能加速落地

业绩受周期波动影响

长鑫科技最近三年的业绩增速颇为惊人。2023年、2024年及2025年（以下简称“报告期”）公司录得营业收入90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元；净利润-192.25亿元、-90.51亿元、71.44亿元，营收利润年增长额高达百亿元。随着近年一季度经审阅财务数据的更新，市场关注度进一步升温。2026年1月-3月，公司实现营收508.00亿元、净利润330.12亿元，分别同比增长719.13%、1,268.45%。

本轮行情主要受全球AI算力需求持续增长及全球主要厂商产能调配等因素影响，DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年来持续呈现大幅上涨趋势。与此同时，伴随产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，长鑫科技营收、利润得以实现迅速增长。

从行业特点来看，当前景气度提升与存储市场阶段性供需失衡密切相关。在此背景下，景气周期的持续性以及公司业绩的稳定性，自然成为监管关注的重点。

首轮回复内，长鑫科技已对DRAM行业周期展开分析，但内容主要聚焦于已发生的市场变化，对于未来行业走势并未作出展望。公司援引CFM闪存市场数据称，2025年下半年以来，DRAM价格开始显著上涨，上行趋势逐渐确立。

图片来源：回复意见函

而在二轮回复中，面对监管进一步要求结合行业周期说明未来业绩增长的可持续性时，长鑫科技表示，人工智能正在驱动DRAM行业进入新一轮发展的大周期，并强化DRAM行业技术驱动特征，高技术含量、高性能DRAM产品价格抗波动性进一步增长，为公司未来业绩持续增长奠定了良好的行业基础。

此外，国际大厂与投资机构对本轮景气周期持续时间给出了相对具体的时间预期。三星电子预计当前存储供需紧张局面或于2028年前后逐步缓解；中信证券、瑞银（UBS）等机构则预计，DRAM供需缺口或持续至2027年底。

从行业动作来看，三大主要存储厂商也已着手推进扩产。公开信息显示，SK海力士在韩国龙仁的新生产基底将提前至2027年2月投产；美光科技亦计划于近两年逐步导入先进DRAM设备，并于2027年新增产能；三星电子虽保持较为审慎的扩张态度，但也在加快先进存储产线建设。换言之，当前行业供给虽仍偏紧，但新增产能多在未来一年内进入释放阶段。

值得注意的是，国际存储厂商持续推行长期供货协议模式，通过锁定产能周期及供货量提升价格稳定性。而长鑫科技超85%的收入来自经销，产品价格对市场行情波动的敏感度相对更高，因此，随着主要厂商新增产能爬坡达产，供需关系变化或对长鑫科技销售价格带来影响。

基于此，在审核中心意见落实函中，交易所有且仅有一个问题——要求公司全面、充分披露未来经营业绩波动和可持续性相关风险。长鑫科技此时也对风险因素进行了补充，坦言若人工智能对DRAM需求不及预期，叠加新产能的释放，或将导致供过于求，进而致使公司业绩下行。

往前看，在2022-2023年存储行业的下行周期中，DRAM产品价格一度接近甚至低于成本，行业盈利能力明显承压，长鑫科技彼时亦处于亏损状态。当景气周期结束，公司抗周期波动能力也将迎来挑战。

产品迭代节奏偏后

HBM布局尚处早期

从NOR Flash到DRAM，“追赶”一词几乎贯穿了长鑫科技创始人、董事长朱一明的创业路径。2008年，朱一明带领兆易创新前身芯技佳易技术团队推出我国首颗自主设计的NOR Flash芯片，彼时恰逢三星战略性收缩NOR Flash业务，市场出现空缺，产品快速铺货。时至今日，兆易创新已成为全球NOR Flash龙头，市占率高居第二。

同样的剧情也在长鑫科技发展历程中有所体现。

在三星电子完成DDR4首款样品开发约8年后，长鑫科技于2019年推出了自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破，但彼时行业已开始向DDR5演进。公开信息显示，JEDEC协会于2020年7月正式发布DDR5标准，同年10月，SK海力士推出全球首款DDR5内存，而长鑫科技的直到2024年第四季度才实现DDR5产品量产，LPDDR5X则是2025年才实现量产。

具体到市场变化上，2023年至2025年，DDR4市占率由64%降至27%，同期DDR5市占率由32%提升至71%；LPDDR产品方面，LPDDR4市占率由47%降至27%，同期LPDDR5市占率由52%提升至72%。在行业需求持续向先进DRAM产品倾斜的情况下，长鑫科技第五代产品量产时间相对靠后，在高端DRAM市场面临的竞争压力进一步加大。

另外，在AI训练与推理场景的强劲拉动下，HBM（高带宽内存）已成为高性能计算架构中不可或缺的核心组件。三大存储巨头正持续加码HBM市场，并享受AI产业带来的高景气红利。根据Yole数据，2024年HBM3/3E在HBM产品领域市场占有率达到83%，目前国际领先厂商已实现下一代产品HBM4的送样。而长鑫科技披露的产品布局当中，尚未出现HBM产品。

图片来源：回复意见函

当然，不可否认的是，HBM的发展在一定程度上为长鑫科技提供了发展机遇。随着HBM需求愈发高涨，国际存储厂商逐步将更多产能资源向HBM倾斜，传统DDR产品产能在一定程度上受到抑制。与此同时，我国作为全球最大的人工智能应用市场之一，2024年DRAM市场规模约250亿美元，占全球DRAM市场比例超过四分之一。但美国方面对高端AI算力产品出口收紧，国内市场对本土DRAM的需求大幅提升，为长鑫科技产品放量提供了市场窗口。

不过，这一风口能否助力市场份额的增长，取决于公司的技术迭代能力。受技术积累、制程工艺等因素限制，长鑫科技产品迭代节奏整体仍晚于国际存储厂商。相比之下，国际巨头通常能够在行业新标准推出后较快完成产品的导入及客户验证，从而率先抢占高端市场，长鑫科技相关产品实现量产后，在高端市场的份额拓展仍面临较大压力。

行业周期波动与国际竞争压力交织，长鑫科技任重道远。

作者 | 徐若林

编辑 | 吴雪

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