SK海力士利润创新高，HBM4将全面出货

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来 源： 内容编译自chosun。

随着人工智能 (AI) 市场的开放，高带宽存储器 (HBM) 需求激增，SK 海力士引领该市场，并在今年第三季度（4 月至 6 月）再次创下季度业绩新高。随着人工智能行业的蓬勃发展，HBM 供应量也随之飙升，SK 海力士在第五代 HBM (HBM3E) 12 位高带宽存储器市场中占据优势，延续了强劲势头。SK 海力士表示，已与主要客户就下一个战场——第六代 HBM (HBM4) 完成了供应谈判，并计划于第四季度全面启动供应。

SK海力士29日披露，按合并口径计算，其今年第三季度营业利润为11.3834万亿韩元，较上年同期增长62%（初步统计）。营业利润率为47%。第三季度营收为24.4489万亿韩元，较上年同期增长39%。这一结果与证券行业11.4142万亿韩元的营业利润预测相近。

SK海力士表示，“随着客户扩大AI基础设施投资，存储器需求激增”，并补充道，“随着HBM3E 12位高和面向服务器的DDR5等高附加值产品的销售增长，我们再次超越了上个季度创下的历史最高纪录。”

SK海力士指出，随着人工智能市场快速转向推理，人工智能服务器的计算负载正逐渐分散到包括通用服务器在内的各种基础设施上，预计包括高性能DDR5和eSSD在内的整个内存市场的需求都将扩大。该公司还补充道，近期各大人工智能公司签署的一系列战略合作伙伴关系以及它们宣布的人工智能数据中心扩张计划也带来了积极影响。预计这将推动各种产品线的需求均衡增长，不仅包括HBM，还包括通用服务器内存。

因此，SK海力士将加速向目前已稳定量产的最先进的10纳米级第六代（1c）工艺过渡，以构建服务器、移动和图形应用领域的DRAM产品线，并扩大供应以满足客户需求。在NAND领域，SK海力士计划增加其全球最高321层产品的供应，以快速响应客户需求。

与此同时，SK海力士表示，已与主要客户就明年HBM供应完成所有谈判。其中，HBM4已于9月完成开发并建立量产体系，旨在满足所有客户所需的性能，并支持业界最高速度。SK海力士计划于第四季度开始出货，并于明年积极提升销量。此外，SK海力士表示，由于人工智能内存需求激增，其所有DRAM和NAND产品已确保客户明年全年的需求。

为了满足超出预期的客户需求，SK海力士计划通过M15X快速确保新产能（Capa）并加速向先进工艺的过渡，最近该公司提前开放了洁净室并开始迁入设备。

因此，明年的投资规模计划比今年有所增加，公司表示将根据市场情况持续优化投资策略。SK海力士首席财务官（CFO）金宇铉副总裁表示：“随着AI技术的创新，内存市场正在转向新的模式，需求已开始蔓延至所有产品领域。”他补充道：“我们将继续凭借市场领先的产品和差异化的技术竞争力，积极响应客户需求，并牢牢保持我们在AI内存领域的领先地位。”

利润创历史新高

SK海力士公司今天宣布，其第三季度营收为24.4489万亿韩元，营业利润为11.3834万亿韩元（营业利润率为47%），净利润为12.5975万亿韩元（净利润率为52%）。

受DRAM和NAND价格全面上涨以及AI服务器高性能产品出货量增加的推动，三星本季度业绩创历史新高，营业利润更是首次突破10万亿韩元。

由于客户加大对AI基础设施的投资，导致整个内存领域的需求激增，SK海力士凭借12位HBM3E和服务器用DDR5等高附加值产品的销量增长，再次超越了上一季度的历史最高业绩。

受惠于AI服务器需求激增，128GB以上大容量DDR5的出货量较上一季增加逾一倍；NAND领域，价格优势明显的AI服务器eSSD占比也大幅提升。

基于强劲的业绩表现，公司第三季度末的现金及现金等价物较上一季度增加10.9万亿韩元，达到27.9万亿韩元。同时，计息债务为24.1万亿韩元，使公司成功实现3.8万亿韩元净现金头寸的过渡。

随着人工智能市场迅速转向推理驱动的工作负载，人们越来越关注将人工智能服务器的计算负载分配到更广泛的基础设施（例如通用服务器）上。这一趋势预计将进一步扩大包括高性能 DDR5 和 eSSD 在内的整个内存产品组合的需求。

此外，近期全球领先的人工智能企业纷纷宣布建立战略合作伙伴关系并扩建人工智能数据中心，这为市场提供了进一步的动力。预计这不仅将推动高带宽存储器（HBM）的需求均衡增长，还将推动包括通用服务器内存解决方案在内的各类产品线的需求均衡增长。

为应对这一挑战，SK海力士计划加速向其最先进的1cnm工艺（即第六代10纳米工艺）迁移，该工艺目前已实现稳定量产。这将使公司能够建立涵盖服务器、移动和图形应用的完整DRAM产品线，并通过扩大供应灵活响应客户需求。在NAND领域，公司还将提高全球最高321层TLC和QLC产品的产量，以快速满足客户需求。

同时，该公司已与主要客户就明年的HBM供应完成了洽谈。HBM4已于9月完成开发并投入量产，完全满足客户的性能要求，并支持业界领先的速度。HBM4将于今年第四季度开始出货，并计划于明年全面扩大销售。

此外，在人工智能内存需求激增的情况下，该公司已经确保明年其全部 DRAM 和 NAND 生产都能满足客户需求。

为了满足超出预期的客户需求，SK海力士计划通过M15X扩大产能，并加速向先进工艺技术的迁移。M15X在早期启用了新的洁净室，并于近期开始设备安装。

因此，预计明年的投资将比今年有所增加，这反映了该公司对市场一致的投资战略的持续承诺。

首席财务官金宇铉表示：“随着人工智能技术的创新，内存市场已转向全新模式，需求已开始蔓延至所有产品领域。我们将通过市场领先的产品和差异化技术能力，持续响应客户需求，从而巩固我们在人工智能内存领域的领先地位。”

SK海力士目前正经历历史性的“超级周期”，其几乎所有产品的需求都在飙升。该公司供应了NVIDIA AI加速器中使用的大部分HBM3E芯片，并且即将完成NVIDIA对HBM4的质量测试。AI数据中心的扩张提振了对内存半导体的需求，而现有通用服务器的更新换代周期导致通用DRAM的价格飙升。PC级通用DRAM的固定交易价格从今年1月的1.35美元上涨到9月的6.30美元，涨幅达5倍。目前，DRAM价格占PC生产成本的7%，远高于4%的历史平均水平。

此外，服务器存储设备处理AI生成数据的需求日益增长，也推动了企业级SSD销量的增长。一位科技行业人士表示：“这个超级周期的独特之处在于，几乎所有内存半导体的价格都因结构性因素而上涨。”

SK海力士第四季度业绩预计将跑赢第三季度。强劲的HBM销售和DRAM内存芯片价格的持续上涨预计将推动其增长。证券公司预计第四季度的收入和利润将高于第三季度。该公司最近在其清州M15X晶圆厂启用了洁净室，并提前一个月开始设备安装，以在需求旺盛的情况下扩大HBM的供应。iM证券研究员宋明燮指出：“虽然第四季度内存半导体出货量通常会比第三季度下降，但今年强劲的需求预计将维持出货量水平。”分析师预测SK海力士第四季度营收为26.6万亿韩元，营业利润为13.3万亿韩元。

半导体行业预计，这一超级周期将强劲持续到至少明年第一季度。尽管SK海力士在HBM领域可能会被三星电子抢走部分市场份额，但由于通用DRAM需求持续增长，其营收有望进一步增长。IBK证券研究员金云浩表示：“预计到2026年，内存市场将以人工智能为中心实现增长，SK海力士有望在DRAM和NAND闪存领域展现差异化表现。”

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