超越苹果？雷军135亿元豪赌玄戒O1：11年造芯终破局

5月22日晚，小米迎来成立15周年的重要里程碑。

在这场主题为“小米15周年战略新品发布会”的盛会上，小米创始人雷军站在聚光灯下，正式发布了自研SoC芯片“玄戒O1”。这颗芯片不仅是小米历经11年造芯之路的阶段性成果，更是小米首次以旗舰手机SoC正面挑战苹果。

雷军在发布会上毫不掩饰雄心，他坦言：“小米的芯片要对标苹果。”事实上，从公布的参数来看，玄戒O1的性能可谓不俗——采用台积电第二代3nm制程工艺，芯片集成190亿晶体管，面积109mm²，安兔兔跑分突破300万，已然跻身全球顶级旗舰芯片之列。

时代周报记者拍摄

玄戒O1架构设计采用创新的十核心四丛集方案，包括两颗3.9GHz Cortex-X925超大核、四颗3.4GHz性能大核、两颗1.9GHz能效大核以及两颗1.8GHz超级能效核。发布会现场数据显示，玄戒O1单核跑分超3000，多核跑分超9500，单核性能略逊于苹果A18 Pro，但多核性能实现反超。

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GPU方面，玄戒O1搭载最新Immortalis-G925 16核图形处理器，支持动态性能调度技术，不仅性能大幅超越苹果A18 Pro，功耗也更低。小米称，在实际应用中，无论是视频通话、MOBA游戏还是充电+导航场景，玄戒O1的机身温度控制均优于对手。

独立分析机构Canalys指出，在半导体领域，先进制程SoC的研发能力被视为科技企业的核心竞争力标杆。通过持续投入芯片自研，小米不仅能够实现产品差异化设计，更能塑造高端科技品牌形象，提升品牌溢价能力。

值得一提的是，玄戒O1发布前，市场上曾流传“高通套壳”的争议。然而，高通骁龙8 Elite采用自研Oryon CPU架构，配备2颗4.32GHz超大核和6颗3.53GHz性能大核，GPU为Adreno 830，与玄戒O1在CPU和GPU设计上存在本质差异。

华芯金通半导体研究首席专家吴全在接受时代周报记者采访时表示，SoC芯片集成了CPU、GPU、数字信号处理器（DSP）、嵌入式存储器、通信接口模块、模拟前端模块（含ADC/DAC）以及电源管理和功耗控制模块，技术复杂，简单“套壳”几乎不可能实现。

回溯小米造芯之路，始于2014年成立的松果电子。2015年，小米推出首款自研芯片澎湃S1，但因工艺制程落后和基带性能不足，未能经受市场考验，芯片研发随后陷入沉寂。2021年，小米重启芯片计划，发布自研ISP芯片澎湃C1和充电芯片澎湃P1。2022年，推出电源管理芯片澎湃G1。2024年，小米再进一步，发布信号增强芯片澎湃T1，展现了其在芯片领域的持续突破。

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如今，玄戒O1的问世标志着小米芯片研发迈上新台阶。雷军坦言，这条路异常艰辛，仅玄戒O1项目自2019年启动以来，累计研发投入已超135亿元人民币，2024年单年投入超60亿元。目前，小米芯片研发团队已扩充至2500余人。

雷军强调：“芯片研发是小米必须打赢的一仗，我们别无选择。”关于小米玄戒自研芯片的研发，雷军表示未来10年至少投资500亿元。而小米集团，未来五年研发投入预计达到2000亿。

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值得注意的是，小米在本次发布会上不仅推出旗舰级玄戒O1 SoC芯片，还发布了专为智能手表设计的玄戒T1芯片。玄戒T1是一款完整的SoC，集成CPU、GPU以及小米自研的4G基带模块。

雷军介绍，玄戒T1的4G基带模块完全由小米自主研发，涵盖调制解调器、射频模块及视频编解码模块，支持4G eSIM独立通信。相比传统方案，其4G-LTE实网性能提升35%，数据功耗降低27%。

吴全表示，小米的基带技术可追溯至2014年。当时，大唐电信全资子公司联芯科技与松果电子签署《SDR1860平台技术转让合同》，以1.03亿元的价格将联芯科技开发的SDR1860平台技术授权给松果电子。该SDR1860平台即LC1860芯片的核心技术。通过此次授权，小米获得了相应的基带技术，为如今玄戒T1芯片4G基带模块的研发奠定了基础。

Canalys认为，小米已形成涵盖智能汽车、智能手机、平板电脑、PC、可穿戴设备、智能电视及各类IoT产品的全场景硬件布局，芯片需求呈现指数级增长。通过自研芯片，小米能够打造自主可控的芯片供应链体系，从根本上保障产品供应安全。

在本次发布会尾声，小米汽车全新中大型纯电SUV YU7正式亮相。作为小米汽车家族的旗舰SUV，YU7在设计、性能、智能化以及续航能力上全面对标一线豪华品牌。车身尺寸4999×1996×1608mm，轴距3000mm，宽高比1.25，支持UWB手机无感开锁及三秒自动开启后备厢，兼顾科技感与实用性。

造型上，YU7采用镂空水滴大灯、电动内翻门把手及10组贯穿式风道，风阻系数低至0.245。安全方面，2200MPa超强钢与“内嵌式防滚架”通过50余项测试，满足C-NCAP、C-IASI标准。续航方面，YU7全系搭载800V碳化硅高压平台，支持高倍率闪充，最大充电倍率可达5.2C，最快15分钟可补能620公里。