比亚迪发布IGBT4.0“中国芯” 打破国际巨头垄断电动车核心技术

　　12月10日，比亚迪(002594)在宁波发布了车规级IGBT4.0技术。该技术在电动车的电流输出能力、综合损耗、温度循环寿命等关键技术指标上都有所突破。据了解，比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，全面布局IGBT产业链。业内人士预计，未来五年，全球车规级IGBT市场的供应将愈加紧张。

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。IGBT属于汽车功率半导体的一种，因设计门槛高、制造技术难、投资大，被业内称为电动车核心技术的“珠穆拉玛峰”。此前，该技术主要掌握在国际巨头手中，中高端IGBT市场90%的份额被国际巨头垄断，导致“一芯难求”，成为制约我国电动车行业健康、快速发展的主要瓶颈。目前，比亚迪该技术处于全球先进水平，在大规模应用的1200V车规级IGBT芯片的晶圆厚度上，可将晶圆厚度减薄到120um(约两根头发丝直径)。

　　此次推出的比亚迪IGBT4.0，在诸多关键技术指标上都十分领先，例如：电流输出能力较当前市场主流的IGBT高15%，支持整车具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。同等工况下，综合损耗较当前市场主流的IGBT降低了约20%。这意味着电流通过IGBT器件时，受到的损耗降低，使得整车电耗显著降低。以比亚迪全新一代唐为例，在其他条件不变的情况下，仅此一项技术，就可将百公里电耗降低约3%。

　　此外，IGBT4.0的温度循环寿命可以做到当前市场主流IGBT的10倍以上。这意味着未来电动车在应对各种极端气候、路况时，能有更高的可靠性和更长的使用寿命。

　　中国电器工业协会电力电子分会秘书长蔚红旗表示：“比亚迪在电动车功率半导体领域创造了领先，中国的电动车发展不用担心被‘卡脖子’了。”

　　据了解，2005年，比亚迪组建自身研发团队布局IGBT产业。2009年9月，比亚迪IGBT芯片通过了中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定。目前，比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，全面布局IGBT产业链。

　　根据世界三大电子元器件分销商之一富昌电子(Future Electronics LTD)的统计，2018年，车规级IGBT模块的交货周期最长已经达到52周(IGBT的交货周期正常情况下为8-12周)。而2018-2022年，全球电动车年复合增长率达30%，但同期车规级IGBT市场的年复合增长率仅为15.7%。可以预见，未来几年全球车规级IGBT市场的供应将愈加紧张。

　　比亚迪方面还宣布，近期已经成功研发了SiCMOSFET(汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等)，有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。