台积电罗镇球：N3已获约100份NTO 预计将成为高产量、长期运行的制程节点

2025集成电路发展论坛(成渝)暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2025）今日在成都举行，台积电（中国）总经理罗镇球表示，3nm是最终也是最优异的FinFET技术。其透露，台积电N3E已实现旗舰移动及HPC/AI产品的量产，N3P已按计划于2024年第四季度投产，接替N3E。台积电已提供多种N3变体以满足特定应用需求，N3X面向客户端CPU，N3A面向汽车领域，N3C面向价值级产品。N3预计将成为高产量、长期运行的制程节点，截至2025年9月已获得约100份NTO。（科创板日报）