HBM再涨价，存储告急！

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今天，Maingear 首席执行官 Wallace Santos 在与媒体的电话会议上表示：“就目前我们看到的内存短缺情况而言，起初我基本上被告知这只是两到五个月的问题，生产线正在逐步恢复，一切都会好起来的”。

“作为一家原始设备制造商的老板，我做好了准备，我们在没有库存的情况下尽一切努力，做好了准备。但根据我们目前掌握的情况来看，内存短缺问题将持续数年。”Santos接着说。

尤其是在韩媒报道HBM将涨价之后，存储的情况持续告急。

HBM3E价格，上涨约20%

据韩媒报道，随着英伟达预计将开始正式向中国出口搭载第五代高带宽内存（HBM）HBM3E的H200人工智能（AI）芯片，三星电子和SK海力士等内存半导体公司已提高了明年HBM3E的供应价格。包括英伟达、谷歌和亚马逊在内的众多自主研发AI加速器的公司纷纷下单，订单量激增。

“此次价格上涨还受到内存半导体公司集中精力扩大第六代HBM（HBM4）产能的影响，预计明年HBM4的需求将大幅增长，导致这些公司产能有限，难以满足HBM3E的需求。”韩媒接着说。

业内人士24日透露，包括三星电子和SK海力士在内的多家存储半导体公司已将HBM3E的供货价格上调了近20%。分析师表示，鉴于HBM3E价格通常在下一代产品发布前会下降，此次上调价格实属罕见。普遍认为，谷歌和亚马逊等公司上调了明年HBM3E的订单量，而英伟达（此前是HBM3E的最大客户）也参与了此次价格上涨。谷歌和亚马逊均自行设计人工智能加速器。

一位业内人士表示：“今年HBM3E确立了其在HBM市场的主导地位，但预计明年HBM4市场开放后价格会有所回落。”他同时指出：“然而，随着除英伟达以外的全球大型科技公司明年发布搭载HBM3E的AI加速器，对HBM3E的需求持续增长。从存储器半导体公司的角度来看，他们不能放弃扩大HBM4产能，因此供应无法满足需求，导致价格溢价约20%。”

随着英伟达H200 AI芯片获准出口中国，HBM3E的需求似乎超出了预期。英伟达H200芯片每片搭载六个HBM3E显存单元。路透社22日（当地时间）报道称，“英伟达计划利用现有库存处理首批订单，预计总出货量为5000至10000个芯片模块（约40000至80000片H200芯片）”，并补充道，“英伟达已告知中国客户其扩大芯片产能的计划，预计将于明年第二季度开始接受相关新订单。”

谷歌和亚马逊等全球大型科技公司也需要HBM3E。这是因为谷歌的TPU（张量处理单元）和亚马逊的Trainium都配备了HBM3E，并将于明年开始出货。与上一代产品相比，这两款产品的HBM容量都将提升近20%至30%。据悉，谷歌第七代TPU每个设备可搭载8个HBM3E单元，而亚马逊的Trainium3则可搭载4个HBM3E单元。

由于三星电子和SK海力士预计将专注于生产下一代HBM4，HBM3E的需求已超过供应。KB证券分析师金东元表示：“预计明年HBM4将占HBM市场收入的55%，HBM3E占45%，并且从明年第三季度开始，HBM4预计将迅速吸收HBM3E的需求。”

随着HBM需求激增，以及DRAM等主流产品价格持续上涨，市场对三星电子和SK海力士明年盈利的预期也随之上调。据金融数据公司FnGuide的数据显示，三星电子将明年全年营业利润预期从一个月前的76.6544万亿韩元上调至85.4387万亿韩元，SK海力士同期营业利润预期也从71.4037万亿韩元上调至76.1434万亿韩元。

HBM的高需求，让从业者成为了其中大赢家。

存储三巨头，挣翻了

这波HBM热潮，让美光首先上演了逆袭好戏。市场对内存的高需求推动美光科技股价上涨，预计到 2025 年将上涨 168%。

美光是为人工智能应用提供高带宽内存的三家公司之一。例如， AMD大量使用美光的内存。

的最新人工智能芯片。

美光科技表示，截至11月27日的季度，公司营收为136.4亿美元，同比增长56.6%，高于上一季度46%的增速，主要得益于人工智能的蓬勃发展推动了市场需求的增长。按美国通用会计准则（GAAP）计算，公司利润为52.4亿美元，同比增长231%。利润率从上一季度的28.3%上升至本季度的38.4%。

总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“在第一财季，美光公司在公司层面以及各个业务部门都实现了创纪录的收入和显著的利润率增长。”

为此，美光计划最大限度地提高其晶圆厂的产能，通过提升高密度工艺节点的产量并投资新建洁净室空间来提高产能。具体而言，需要额外的洁净室空间来满足不断增长的HBM需求，但不同地区的洁净室建设周期都在延长。

“我们正在调整爱达荷州第一座晶圆厂的建设时间表，现在预计将于 2027 年年中实现首批晶圆产出，比我们之前预期的 2027 年下半年要早。今年早些时候，我们宣布了在爱达荷州建设第二座晶圆厂的计划，该晶圆厂将于 2026 年开始建设，并于 2028 年底投入运营。

“我们计划于 2026 年初在纽约破土动工兴建我们的第一座晶圆厂，预计该晶圆厂将在 2030 年及以后提供供应……在新加坡，我们的 HBM 先进封装工厂正按计划推进，预计将于 2027 年为我们的 HBM 供应做出重大贡献。”

2026 年的内存产能已售罄，包括 HBM4。美光预测，到 2028 年，HBM 市场规模将以约 40% 的复合年增长率增长，从 2025 年的约 350 亿美元增长到 2028 年的约 1000 亿美元。这一 2028 年 HBM 市场规模预测值将超过 2024 年整个 DRAM 市场的规模。

美光认为，它正处于历史上最佳的竞争地位，并且是半导体行业人工智能领域最大的推动者之一。

除了美光以外，韩国双雄的表现也尤为亮眼。

过去三个月，包括三星电子和SK海力士在内的国内主要半导体公司的盈利前景显著改善。随着预期增强，投资者也越来越关注近期股价上涨趋势能否持续。

据财经信息公司FnGuide 24日发布的数据显示，截至22日，三星电子今年的年度营业利润预期（市场平均预测值）为39.1491万亿韩元，较三个月前的预测值（30.1454万亿韩元）增长30%。同期，SK海力士今年的营业利润预期也上调了12%，从38.2883万亿韩元增至42.7712万亿韩元。

明年业绩预期上调幅度更大。三星电子明年的年度营业利润预期普遍上调至85.4387万亿韩元，较三个月前的44.1092万亿韩元飙升94%。市场甚至预期其营业利润可能超过100万亿韩元。在各证券公司中，韩亚证券给出的预期最高，预测三星电子明年的营业利润将达到112.8194万亿韩元。

SK海力士明年的营业利润预期在三个月内也上调了66%，从45.9060万亿韩元增至76.1434万亿韩元。iM证券则预测SK海力士明年的营业利润将达到93.8430万亿韩元，是韩国国内证券公司中预测值最高的。

证券公司指出，DRAM价格上涨以及人工智能需求增长推动HBM（高带宽内存）出货量增加，是明年业绩提升的关键因素。韩亚证券研究员金禄浩表示：“近期内存价格上涨趋势持续扩大，美国半导体公司美光对明年第一季度内存价格的预期很可能也会上调。”他还补充道：“三星电子和SK海力士的业绩预期仍有上调空间。”

未来资产证券研究员金永坤评估道：“预计今年全球大型科技公司的设备投资将达到4600亿美元，明年将扩大至6000亿美元。”他补充说：“在2016年至2022年第一个投资周期中引入的服务器更新周期很可能即将真正开始，这也是一个积极因素。”

也正因如此，让全球有了一个新隐忧，那就是大家都把目光盯向了HBM，让PC和移动设备等面临挑战。例如本月初，美光就表示，将停止直接向消费者销售内存和其他零部件，以保障人工智能芯片和数据中心的供应。

其他存储买家，难上加难

咨询机构IDC之言，内存市场正处于前所未有的拐点，需求远超供应。在他们看来，对于一个长期以来以繁荣与萧条周期为特征的行业来说，这次的情况有所不同。

人工智能基础设施和工作负载的快速扩张给内存生态系统带来了巨大压力。这些人工智能工作负载需要大量的内存，而造成内存短缺的部分原因是，制造商将产能从消费电子产品转向了利润丰厚的内存解决方案，以支持人工智能的发展。

“主要的内存制造商并没有扩大智能手机、个人电脑和其他消费电子产品中使用的传统DRAM和NAND的产能，而是将生产转向了人工智能数据中心使用的内存，例如高带宽内存（HBM）和高容量DDR5。这限制了通用内存模块的供应，并推高了所有内存模块的价格。 ”IDC进一步指出。

IDC表示，人工智能服务器和企业环境所需的单系统内存远高于消费级设备，因此人工智能的部署占用了全球不成比例的内存资源，导致内存短缺，因为供应商优先满足超大规模数据中心和用于构建人工智能服务器的原始设备制造商 (OEM) 的订单。这种动态导致可供消费级设备使用的 DRAM 减少，加剧了本已紧张的市场价格压力。

然而，这并非仅仅是供需不匹配导致的周期性短缺，而是全球硅晶圆产能可能永久性的战略性重新分配。

IDC指出，几十年来，智能手机和个人电脑的DRAM和NAND闪存生产一直是硅晶圆产能的主要驱动力。如今，这种格局已然逆转。微软、谷歌、Meta和亚马逊等超大规模数据中心对HBM的巨大需求，迫使三大内存制造商（三星电子、SK海力士和美光科技）将有限的洁净室空间和资本支出转向利润更高的企业级组件。

“这是一场零和博弈：分配给英伟达GPU的HBM堆叠的每一片晶圆，就意味着中端智能手机的LPDDR5X内存模块或消费级笔记本电脑的固态硬盘（SSD）缺少一片晶圆。”IDC强调。因此，IDC 预计 2026 年 DRAM 和 NAND 的供应增长将低于历史平均水平，同比分别增长 16% 和 17%。

在IDC看来，这种供需失衡的结果是双重的：近几个月来，DRAM 和 NAND/SSD 的价格大幅上涨，而这些组件的供应有限，迫使设备制造商应对瞬息万变的局面。

他们认为，2026年，全球智能手机市场，尤其是安卓手机制造商，将面临威胁。过去十年，智能手机行业通过将旗舰功能引入价格亲民的智能手机来普及配置的趋势正在发生逆转。

智能手机的成本结构很大程度上取决于所使用的内存。对于中端机型而言，内存成本可能占到物料清单总成本的15%到20%，而对于高端旗舰机型，这一比例约为10%到15%。随着内存价格持续飙升，OEM厂商可能不得不大幅提价、降低配置，或者两者兼而有之。

短缺的影响极不对称，在供应链韧性和垂直整合方面造成了赢家和输家。

主要面向低端市场的制造商可能会遭受重创。像TCL、传音、Realme、小米、联想、OPPO、vivo、荣耀和华为等厂商的商业模式都建立在微薄利润之上。成本上涨将大幅挤压它们的利润空间，它们别无选择，只能将成本（或部分成本）转嫁给最终用户。

在高端市场，苹果和三星虽然面临压力，但其结构性优势使其能够提前12-24个月锁定内存供应。另一方面，2026年的新款旗舰机型可能不会升级内存，Pro机型仍将保持12GB的配置，而非提升至16GB。此外，现有机型在新机型发布后不太可能出现价格大幅下降的情况。

存储逻辑，变了

彭博社在一篇文章中指出，通常，存储芯片行业最令人担忧的时期就是这个时候。高速增长、巨额利润以及对未来一片光明前景的预测，往往是灾难的预兆。

两种芯片——用于存储信息的NAND闪存和为英伟达和英特尔等公司的复杂处理器提供运行环境以进行计算的DRAM芯片——在计算机领域至关重要，从最大的数据中心到我们离不开的智能手机，无所不包。它们甚至已经渗透到汽车和家用电子产品中。

然而，尽管这些芯片不可或缺，但其制造商长期以来一直面临着供过于求或供过于求的循环。一家公司的芯片可以直接替代另一家公司的芯片，这使得它们成为了一种大宗商品。再加上短期需求的快速波动以及建造工厂所需的大量时间和成本，就形成了供过于求的局面，导致价格暴跌至生产成本以下。

由于其他厂商都认为内存芯片市场竞争过于激烈，难以生存，因此目前只有四家主要的内存芯片制造商。众所周知，就连现代内存产业的缔造者英特尔，以及目前领先的芯片生产中心——台湾的企业，也都已放弃。

尽管如此，如果你对内存行业的了解仅限于近几年，那么内存行业如今已成为炙手可热的领域。SK海力士和美光科技的营收和市值均创历史新高，华尔街预测，它们的增长势头还将在此基础上进一步加速。专注于NAND闪存的日本铠侠控股公司，自2024年12月上市以来，股价已上涨超过六倍。就连曾经历过技术波折的三星电子，也在2025年实现了快速反弹。

那么，究竟是什么改变了这一切？

芯片制造商认为，人工智能计算领域巨额支出的激增带来了复利效应。人工智能软件需要海量数据。这催生了前所未有的需求。人工智能需要尽快访问这些数据，这就需要配备高速接口的芯片，而这些芯片价格昂贵。由于这些芯片制造难度高，占用了大量的生产线空间，进而限制了可用于手机和笔记本电脑的内存容量。

尽管美光科技（Micron）的股价今年已上涨超过两倍，仍有约88%的分析师建议买入其股票。韩国SK海力士（SK Hynix）的股票更受青睐，这主要得益于分析师的推荐。两家公司都对近期前景充满信心，外部预测也印证了这种乐观情绪。如今，它们的净利润总额已超过不久前的营收水平。从财务角度来看，它们的实力也达到了前所未有的高度。

那么，在这片光明的前景背后，究竟隐藏着怎样的冰山呢？人工智能泡沫破裂的阴影笼罩着整个科技行业，而不仅仅是内存行业。更具体地说，尽管技术进步的独特融合创造了有利的环境，但还有一个潜在趋势加剧了SK海力士和美国美光科技的命运转变。

自上世纪90年代以来一直主导行业的三星，在满足人工智能设备制造商（尤其是英伟达）的需求方面反应迟缓。技术问题意味着其惯用的策略不再奏效。在以往的周期中，这家韩国公司会利用其雄厚的财力迅速提高产量。但这一次，供应方面并未出现从短缺到丰收的转变，这意味着价格居高不下。

考虑到从零开始建设一座工厂通常需要一年以上的时间才能投产，除非人工智能需求崩溃，否则2026年不太可能出现内存芯片过剩的情况。但任何指望SK海力士和美光科技持续增长和盈利的人都应该密切关注三星的技术进展。

彭博分析师认为，这次情况跟以往不同，我不应该再以历史为鉴，但值得注意的是，就在2023年，SK海力士和美光两家公司合计净亏损超过100亿美元。在这个行业，形势瞬息万变。

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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4266期内容，欢迎关注。

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