俄罗斯首台350nm光刻机，即将量产

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泽列诺格勒纳米技术中心 (ZNTC) 和 Planar已完成俄罗斯首台支持 350nm 级工艺技术（0.35 微米）的光刻系统的开发。白俄罗斯 Planar 公司协助完成了这一开发。该机器已通过官方检查，正在泽列诺格勒进行集成试验。尽管具有象征意义，但该系统的设计已经过时了几十年，ZNTC 能否批量生产尚不清楚。

新工具

ZNTC 光刻设备于一年前正式推出，是一款基于固态激光器的 200 毫米光刻机，曝光场大小为 22 毫米 × 22 毫米（484 平方毫米）。ZNTC 和 Planar 并未透露有关该设备的关键技术细节，包括其使用的激光器波长或激光器可发射的功率。不过，该公司表示，其使用节能的“固态”激光器，具有“更窄”的发射范围和更长的使用寿命。

固态光源的使用似乎是一个重要的细节，它不仅将该工具与领先的晶圆厂工具制造商设计的工具区分开来，而且还可以暗示该公司未来的计划。

考虑到 ZNTC 发布的声明相当模糊（也许是为了保密其进展及其合作伙伴的进展），研究 ASML 所谓的最知名的生产工具以了解 ZNTC 的成就是有意义的。

ASML 的光刻工具专为 200 毫米晶圆设计，用于从 350nm 到 130nm 的工艺技术，传统上采用两种主要紫外线 (UV) 照明源中的一种，具体取决于确切的光刻模型和工艺节点要求：汞弧灯、KrF（氟化氪）或 ArF（氟化氩）激光。

对于350nm及以下的工艺技术，ASML的i-line步进机使用波长为365nm的汞弧灯（405nm和436nm较少见）。对于250nm及更先进的节点，ASML使用波长为248nm的KrF（氟化氪）激光器。从130nm节点开始，ASML的深紫外光刻系统已使用波长为193nm的ArF（氟化氩）激光器。

固态光源？

热心的读者会问：“半导体生产中的固态激光器是什么？”固态激光器广泛应用于半导体制造，但并非用于先进节点的主要光刻曝光。相反，它们用于辅助作用，例如晶圆检查、缺陷分析、标记和微加工工艺，包括晶圆切割或修整组件。

在成熟节点（例如≥250nm）下，也可以使用工作波长为 365nm 左右的固态激光器（三倍频 Nd:YAG 激光器）进行光刻，因为它们稳定、高效且可靠。然而，如上所述，自 1990 年代末以来，ASML 一直使用基于气体的准分子激光器（248nm 的 KrF、193nm 的 ArF）或汞灯（365nm i-line）。

有趣的是，ZNTC 表示正在研发一种能够实现 130nm 级工艺技术的光刻系统，但预计其开发将在 2026 年的某个时候完成。

为时已晚？

虽然有些设备采用了 350nm 级工艺技术，但以今天的标准来看，这种工艺技术已经过时了。20 世纪 90 年代中期，英特尔将这一节点用于其 Pentium MMX、Pentium Pro 和早期 Pentium II CPU，而 AMD 在 1997 年左右使用相同技术生产了其 K6 处理器。如今，先进的芯片采用 5nm 级或更先进的工艺技术制造。

即使是俄罗斯芯片制造商，如 Angstrem 和 Mikron，也不生产 350 nm 芯片。这两家公司的分辨率都在 250 nm 到 90 nm 之间。因此，新扫描仪与俄罗斯主要代工厂现有的生产节点不匹配，将其直接商业相关性限制在国内生产商的非关键层，这些生产商将继续使用ASML 的 PAS 5500 系列光刻工具，这些工具是走私到俄罗斯的。

不过，ZNTC 的工具在某些特定领域可能用途有限。一些汽车和电源管理 IC 采用成熟工艺生产。军事应用也可以从这种工具中受益，因为它们并不总是需要尖端性能。

不过，新机器的主要目的似乎是作为开发更强大版本的基础。ZNTC 目前正在开发一种针对 130nm 级工艺技术的新型号。预计 2026 年完成。该版本是俄罗斯政府制定的长期路线图的一部分，该路线图的目标是到 2025 年底实现 90nm 的国内生产，到 2027 年实现 28nm 的国内生产，到 2030 年实现 14nm 的国内生产。ZNTC 及其俄罗斯同行远远落后于该计划。

https://www.tomshardware.com/tech-industry/russia-completes-development-of-30-year-old-outdated-lithography-tool

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