罗姆更换总裁，或将裁员重组

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2025年1月17日，罗姆宣布更换社长。负责质量、生产、通用器件业务和模块业务的高级常务执行官兼 ROHM Apollo 总裁 Katsumi Higashi 将从 2025 年 4 月 1 日起接替 Isao Matsumoto 的现任职位。

关于总裁变动的原因，罗姆表示，“为了提高企业价值，加速构建坚实的经营基础。” 2024年11月，罗姆宣布2024财年全年业绩预计将出现60亿日元的亏损。

新任总裁Katsumi Higashi 于 1989 年加入罗姆，曾担任分立器件生产部门总经理等多个职务。2023年，他将成为罗姆阿波罗总裁，从2024年起，他将兼任罗姆高级常务执行官，负责质量、生产、通用器件业务和模块业务。

Katsumi Higashi 在 2025 年 1 月 17 日罗姆召开的新闻发布会上表示：“罗姆目前正处于亏损前景和股价暴跌的困境中。作为在经营中发挥过作用的人，我对此我也深感遗憾。” “为了使公司恢复盈利，我们需要经历痛苦的改革。我们将坚定不移地进行这一改革。”具体来说，除了考虑工厂重组外，该公司“不排除”裁员的选择，他说。

Katsumi Higashi 分析了罗姆的产品，说道：“有些产品卖得很好，但我们已经没有只有罗姆才能提供的独特产品了。”展望未来，他计划“增加我们与罗姆的联系数量”。客户并开发下次需要的产品。”“我们正在考虑组织变革，以便开发人员可以专注于开发。”

此外，公司的高层管理人员正在继续讨论加强与东芝的半导体业务合作关系，该合作关系于 2024 年 3 月宣布。

功率SiC：ROHM未来扩张的基石

根据Yole Group 的年度《功率 SiC 报告》，SiC 器件市场预计到 2029 年将达到近 100 亿美元，2023 年至 2029 年的复合年增长率为 24% 。这一增长的主要驱动力是汽车和出行行业，尤其是纯电动汽车。2023 年，该行业占据了最大的市场份额，预计到 2029 年将进一步增长。截至 2024 年，400V 纯电动汽车（例如特斯拉生产的电动汽车）代表了对 SiC 的最高需求。OEM 推出更多 800V 纯电动汽车正在加速这一势头。此外，工业应用，尤其是能源领域的工业应用，正在成为 SiC 增长的另一个关键领域。

作为SiC的重要参与者，ROHM已经公布了其雄心勃勃的计划，通过扩大生产能力、过渡到 8 英寸平台以及推出新一代功率 SiC 器件和模块，在未来几年大幅增加其功率 SiC 收入。

Yole Group 的分析师有幸与ROHM 功率器件业务战略部经理 Akifumi Enomoto 进行了交谈。在这次采访中，Yole Group 复合半导体高级技术与市场分析师 Amine Allouche 和 Poshun Chiu深入探讨了 ROHM 的业务战略、技术创新以及快速扩张的功率 SiC 市场的产品路线图。

Poshun Chiu (PC)：Yole Group 最近的报告《Power SiC 2024》中预测 2029 年的收入将接近 100 亿美元，复合年增长率为 24%。而 ROHM 已经实施了产能扩张和 8 英寸产能建设。您能谈谈 ROHM 集团增加 SiC 收入的策略吗？

EA：当然。我们必须提高产能以满足市场需求。从提高生产率的角度来看，在 8 英寸基板上制造是一个至关重要且必不可少的技术问题。ROHM 已开始生产 8 英寸基板，首批设备计划于 2023 年交付。我们预计从 2025 年开始发布设备和其他产品以供量产和出货。关于设施扩建，我们正准备在日本宫崎县的第二家工厂开始运营。该工厂总建筑面积约为 230,000 平方米，位于宫崎县国富町。该工厂以前被另一家公司用作工厂，包括一个洁净室。这使我们能够快速启动并满足快速增长的 SiC 市场的增长。2023 年 12 月，该工厂根据日本经济产业省 (METI) 的“确保功率半导体供应计划”获得批准。因此，我们获得了约三分之一投资额的补贴。随着宫崎第二工厂的开业，我们正在进行这项扩张。目前，罗姆集团的 SiC 工艺生产线位于宫崎和筑后。然而，随着 2023 年宫崎第二工厂的开业，我们预计生产能力将大幅提高，使我们能够满足到 2030 年的需求。

PC：汽车是功率 SiC 市场的主要推动力，占据了 70% 以上的市场份额。我们知道 ROHM 已经与多家 OEM 和一级供应商宣布了多项设计中标消息。您能评论一下 ROHM 在这个行业中的地位和前景吗？

EA：是的，正如您所说，汽车是 SiC 市场最大的细分市场。使用 SiC 数量最多的汽车应用是驱动电机的 xEV 牵引逆变器。单个牵引逆变器包含多个 SiC 芯片。除了供应 SiC 裸片外，ROHM 还扩大了其产品范围，包括模块。关于 SiC 模块，除了 ROHM 自己生产的模块外，还可以通过 ROHM 与中国正海集团的合资企业从 SiC 模块制造商 HAIMOSIC 获得。在牵引逆变器中使用 SiC 芯片时，需要考虑许多设计因素。ROHM 专注于提供应用级支持，包括配备自己的电机测试设施来解决这些问题。此外，我们公司不仅在总部，而且在欧洲、美洲和亚洲都设有一支应用现场工程师团队，使我们能够快速响应客户需求。我们还专注于车载充电器和 DC-DC 转换器的分立 SiC MOSFET 和 SiC SBD，并可以提供多种形式的设备。

凭借领先制造商对我们的尖端技术以及业务灵活性和稳定供应系统的综合评估，我们已经获得了全球 130 多家公司的设计订单。例如，在欧洲，Vitesco（舍弗勒集团成员）；在美洲，Lucid Motor；在中国，ZEEKR（吉利集团成员）；在日本，马自达。这些只是几个例子，但我们很高兴地报告，所有地区的采用和合作都在均衡地推进。

Amine Allouche (AA)：关于汽车的问题，我们了解到新发布的 2-in-1 TRCDRIVE 包™ 集成了 ROHM 的第四代 SiC MOSFET。您能否评论一下电源模块和 MOSFET 的优势以及应该强调的差异化因素？

EA：牵引逆变器的关键要求是功率模块既紧凑又能够处理大电流，这就需要高功率密度。TRCDRIVE pack™ 采用二合一配置，其多个 SiC 芯片可实现比分立产品更高的电流吞吐量。由于牵引逆变器必须处理 300A 或更大的大电流，因此使用高电流密度 SiC 模块可以设计紧凑型牵引逆变器。ROHM 的 TRCDRIVE pack™ 凭借其独特的结构（将一次电流和控制信号分开）和优化的内部布局，提供了业界领先的 SiC 模块功率密度。具体而言，它实现了现有 SiC 模制模块功率密度的约 1.5 倍。此外，从模具顶部伸出的分离控制引脚简化了与栅极驱动器基板的连接，减少了设计工作。

PC：目前，工业应用，例如电动汽车充电器、光伏逆变器、转换器和电源，都是 Power SiC 的重要应用。我们还看到热泵和电机驱动 Power SiC 的渗透率将进一步提高。从市场规模和 ROHM SiC 器件的附加值方面来看，ROHM 对工业应用有何看法？

EA：光伏逆变器占工业应用 SiC 需求的很大一部分。光伏逆变器越来越多地将直流系统的工作电压提高到 1500V，以提高转换效率并减少传输损耗。ROHM 开发了一款专门针对这些 1500V 直流系统的 2kV SiC MOSFET。此外，ROHM 已经推出了从 650V 到 1,700V 的 SiC SBD 产品。这些产品有分立器件或裸片两种形式，被用于电动汽车充电器、不间断电源 (UPS) 和光伏逆变器的 PFC 部分。在汽车领域，ROHM 也在加速向模块制造商提供 SiC 裸片的商业模式。例如，我们已经与 Semikron 就 SiC 达成了合作伙伴关系，他们的 eMPack® 产品使用了 ROHM 的 SiC MOSFET 裸片。我们还在加强与 Semikron 在工业设备领域的合作，并已经开始提供 SiC 和 IGBT 裸片。

AA：随着 SiC 器件在全球范围内的普及和成本效益的提高，我们也看到其他应用对 SiC 器件表现出兴趣。在汽车和当前的工业应用之后，ROHM 可以瞄准哪些应用？例如高压应用，3.3kV、6.5kV 或更高。

EA：我们预计，未来 SiC 在高压工业应用中的采用将继续获得发展势头。具体来说，如前所述，目标将包括光伏逆变器、储能系统、脉冲电源和固态变压器。我们已经为 1,500VDC 光伏逆变器系统开发了 2kV SiC MOSFET，而 ROHM 长期以来一直致力于 3.3kV 及更高电压 SiC 技术的研究和开发。我们目前的战略是进一步扩大我们的产品范围，包括用于光伏逆变器的 2kV 额定组件。

AA：我们想进一步了解 SiC 器件和裸片/分立器件/功率模块的产品路线图。ROHM 是否预计未来几年会取得任何技术突破？（例如，我们知道 ROHM 推出了带散热器的 6 合 1 模制模块），或者正在开发新的器件技术等？有什么需要强调的具体挑战吗？

EA：如前所述，ROHM SiC 业务模式的主要优势之一是其灵活性，使其能够适应各种交付形式，包括裸片、分立器件和模块。我们目前正在开发第五代SiC MOSFET，预计于 2025 年发布。与第四代相比，这款新产品有望在高温下将导通电阻降低 30%。此外，在日本政府的支持下，我们正在开发包括第六代和第七代在内的下一代产品：这些下一代产品分别计划于 2027 年和 2029 年发布。通常，一代产品的演变需要四到六年的时间；但是，通过每两年发布一次产品，我们预计能够以更快的速度响应市场变化和需求。

但是，我想谈谈包括TRCDRIVE pack™在内的SiC成型模块的开发。除了进一步提高功率密度之外，我们的目标还包括实现提高散热性和降低导通电阻的突破，而这两者往往与功率密度相抵触。具体来说，我们正在开发高性能树脂，以支持具有出色散热性能的下一代接合材料，例如Ag烧结体。此外，我们还计划通过采用上述第5代SiC裸芯片来生产电流容量高达900Am的SiC成型模块。此外，我们还计划扩大成型SiC模块的产品线，包括推出DIP型（HSDIP）模块和DOT-247封装模块。

AA：继 SiC 挑战之后，成本竞争力也在推动各种系统电气化的渗透。ROHM 是否有任何策略和创新来提高 SiC 的成本竞争力？在良率方面，您如何看待目前的水平和未来的 8 英寸平台？

EA：鉴于 SiC 正进入广泛采用时期，我们敏锐地意识到成本竞争力的重要性。我们有信心通过三个要素增强成本竞争力 - 1）通过整合基板技术、外延器件加工技术和器件设计技术显著提高成品率 2）开发下一代器件 3）使用 8 英寸晶圆提高生产率。因此，系统电气化将在更广泛的市场中加速。

我们保持着一个涵盖从基板到器件模块的统一开发和生产系统。此外，我们拥有专业知识和技术，通过将晶圆直径从 3 英寸增加到目前的 6 英寸来确保稳定的供应。事实上，我们在 2010 年是世界上第一个成功量产 SiC MOSFET 的公司。

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2501/20/news064.html

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