TrendForce：预计2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成

TrendForce集邦咨询的资深研究副总吴雅婷近日表示，由于HBM（High Bandwidth Memory）的销售单价较传统DRAM（Dynamic Random-Access Memory）高出数倍，加之AI芯片产品的快速迭代推动了HBM单机搭载容量的扩大，预计在2023至2025年间，HBM在DRAM的产能和产值中的占比将实现大幅增长。

在产能方面，吴雅婷预计2023年和2024年HBM占DRAM总产能的比例将分别达到2%和5%，而到了2025年，这一比例预计将超过10%。产值方面，从2024年开始，HBM在DRAM总产值中的占比预计将超过20%，到2025年，这一比例有可能超过30%。

此外，吴雅婷还指出，2024年HBM的需求量比特年成长率将接近200%，而到了2025年，这一增长率有望再次翻倍。针对2025年的HBM，供应商已在2023年第二季开始议价，由于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已初步将价格调涨5%至10%，涉及的产品包括HBM2e、HBM3和HBM3e。 议价时间的提前主要有三大原因。首先，HBM买方对AI的需求展望保持高度信心，愿意接受价格的持续上涨。其次，HBM3e的TSV（Through-Silicon Via）良率目前仅在40%至60%之间，尚需进一步提升，而且并非所有主要供应商都已通过客户的HBM3e验证，因此买方也愿意接受价格上涨以确保质量稳定的货源。第三，未来HBM每Gb的单价可能会因供应商的可靠性和供应能力而产生差异，这将导致供应商未来平均销售单价出现差异，并进一步影响其盈利。

展望2025年，从主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格的需求将大幅转向HBM3e，同时预计将有更多12hi（12层高）的产品推出，这将推动单芯片搭载HBM的容量进一步提升。TrendForce集邦咨询预估，2024年HBM的需求量年成长率接近200%，而到了2025年，这一增长率有望再次翻倍，显示出HBM技术在AI和高性能计算领域的强劲发展势头。

本文源自：金融界